公开(公告)号：WO2011153843A1

公开(公告)日：2011-12-15

申请号：PCT/CN2011/071055

申请日：2011-02-17

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  徐秋霞 ,  李永亮

Inventor： 徐秋霞 ,  李永亮

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/32136 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/823828 ,  H01L29/4966

公开(公告)号：WO2011124003A1

公开(公告)日：2011-10-13

申请号：PCT/CN2010/001456

申请日：2010-09-21

Applicant: 中国科学院微电子研究院 ,  徐秋霞 ,  李永亮

Inventor： 徐秋霞 ,  李永亮

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/2822 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32136 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

公开(公告)号：WO2010095196A1

公开(公告)日：2010-08-26

申请号：PCT/JP2009/006226

申请日：2009-11-19

Applicant: パナソニック株式会社 ,  島美希

Inventor： 島美希

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/32139

Abstract: 　膜のプラズマエッチング処理毎に、プラズマの状態の時間変化を検知する第１の工程と、膜のプラズマエッチング処理毎に、被処理物上に入射するイオンエネルギ分布とプラズマ中の各イオン種の密度とに基づいて膜の加工形状を予測したうえで、その予測結果が所望加工形状になるようにバイアス電力とエッチングガスの混合比とを制御する第２の工程とを含む。

Abstract translation: 提供了一种等离子体处理方法，其包括用于通过对膜进行每次等离子体蚀刻处理来确定等离子体的状态随时间的变化的第一步骤，以及用于基于膜的分布来估计膜的成品形状的第二步骤 通过对膜进行等离子体蚀刻处理，然后控制偏置功率和蚀刻气体混合比，使得估计结果变为一个待处理对象的离子能量和等离子体中每种离子的密度 预定工作形状。

公开(公告)号：WO2009002389A3

公开(公告)日：2009-02-19

申请号：PCT/US2008006884

申请日：2008-05-30

Applicant: MICRON TECHNOLOGY INC ,  ZHU HONGBIN ,  MADSEN JEREMY

Inventor： ZHU HONGBIN ,  MADSEN JEREMY

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31122 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76816 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/265 ,  H01L2924/00

Abstract: A method for patterning a material during fabrication of a semiconductor device provides for the selective formation of either asymmetrical features or symmetrical features using a symmetrical photomask, depending on which process flow is chosen. The resulting features which are fabricated use spacers formed around a patterned material. If one particular etch is used to remove a base material, symmetrical features result. If two particular etches are used to remove the base material, asymmetrical features remain.

Abstract translation: 在制造半导体器件期间图案化材料的方法使用对称光掩模来选择性地形成不对称特征或对称特征，这取决于选择哪个工艺流程。 所制造的特征使用围绕图案化材料形成的间隔物。 如果使用特定的蚀刻来去除基底材料，则产生对称的特征。 如果使用两个特殊的蚀刻来去除基材，则不对称的特征保留。

公开(公告)号：WO2008033886A3

公开(公告)日：2008-05-08

申请号：PCT/US2007078224

申请日：2007-09-12

Applicant: TOKYO ELECTRON LTD ,  FERNANDEZ LUIS ISIDRO ,  URAKAWA MASAFUMI

Inventor： FERNANDEZ LUIS ISIDRO ,  URAKAWA MASAFUMI

IPC: C09K13/00 ,  G03F7/004 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/31122 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32697 ,  H01J2237/334

Abstract: A method and system for etching a hafnium containing material using a boron tri-chloride (BCI 3 ) based process chemistry is described. A substrate having a hafnium containing layer, such as a layer of hafnium dioxide (HfO 2 ) is subjected a dry etching process comprising BCI 3 and an additive gas including: an oxygen-containing gas, such as O 2 ; or a nitrogen-containing gas, such as N 2 ; or a hydrocarbon gas (C x H y ), such as CH 4 ; or a combination of two or more thereof.

Abstract translation: 描述了使用基于三氯化硼（BCI 3/3）的工艺化学蚀刻含铪材料的方法和系统。 具有含铪层，例如二氧化铪层（HfO 2 SUB）层的衬底经受包含BCI 3和包含氧的添加气体的干法刻蚀工艺 含气体，如O _{2 ; 或含氮气体，例如N 2 SUB; 或碳氢化合物气体（CH H Y ），例如CH 4 ; 或其两种或更多种的组合。}

公开(公告)号：WO2007136515A1

公开(公告)日：2007-11-29

申请号：PCT/US2007/010629

申请日：2007-05-02

Applicant: LAM RESEARCH CORPORATION ,  KIM, Jonathan ,  KIM, Yoojin ,  RUSU, Camelia

Inventor： KIM, Yoojin ,  RUSU, Camelia

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01J37/32082 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32139

Abstract: Disclosed is a method for processing a two layer mask for use in fabrication of semiconductor devices whereby the critical dimension (CD) of a semiconductor device being fabricated with the mask can be controlled. After forming a carbon mask layer, preferably by a spin-on process, and a silicon containing photoresist layer on the carbon mask, a two-step process forms openings in the carbon mask layer, as required for subsequent device fabrication. The structure is placed in a plasma processing chamber, and an oxygen plasma is employed to partially etch the carbon layer. The oxygen plasma reacts with silicon in the photoresist to form a hard silicon oxide layer on the surface of the photoresist. A hydrogen plasma is then employed to complete the etch through the carbon layer with a reduced critical dimension.

Abstract translation: 公开了一种用于制造半导体器件的双层掩模的处理方法，由此可以控制用掩模制造的半导体器件的临界尺寸（CD）。 在碳掩模上优选通过旋涂工艺形成碳掩模层和形成含硅光致抗蚀剂层之后，根据随后的器件制造的要求，两步法在碳掩模层中形成开口。 将该结构放置在等离子体处理室中，并且使用氧等离子体来部分蚀刻碳层。 氧等离子体与光致抗蚀剂中的硅反应，在光致抗蚀剂的表面上形成硬的氧化硅层。 然后使用氢等离子体来完成通过具有减小的临界尺寸的碳层的蚀刻。

公开(公告)号：WO2007030522B1

公开(公告)日：2007-07-12

申请号：PCT/US2006034688

申请日：2006-09-06

Applicant: LAM RES CORP ,  LIU SHENJIAN ,  LEE LINDA FUNG-MING ,  CHEN ANTHONY

Inventor： LIU SHENJIAN ,  LEE LINDA FUNG-MING ,  CHEN ANTHONY

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/67069

Abstract: A method for selectively etching a high k layer with respect to a silicon based material is provided. The high k layer is placed into an etch chamber. An etchant gas is provided into the etch chamber, wherein the etchant gas comprises H 2 . A plasma is generated from the etchant gas to selectively etch the high k layer with respect to a silicon based material.

Abstract translation: 提供了一种用于相对于硅基材料选择性地蚀刻高k层的方法。 高k层置于蚀刻室中。 蚀刻剂气体被提供到蚀刻室中，其中蚀刻剂气体包括H 2/2。 从蚀刻剂气体产生等离子体以相对于硅基材料选择性蚀刻高k层。

公开(公告)号：WO2007030522A3

公开(公告)日：2007-05-03

申请号：PCT/US2006034688

申请日：2006-09-06

Applicant: LAM RES CORP ,  LIU SHENJIAN ,  LEE LINDA FUNG-MING ,  CHEN ANTHONY

Inventor： LIU SHENJIAN ,  LEE LINDA FUNG-MING ,  CHEN ANTHONY

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/67069

Abstract: A method for selectively etching a high k layer with respect to a silicon based material is provided. The high k layer is placed into an etch chamber. An etchant gas is provided into the etch chamber, wherein the etchant gas comprises H 2 . A plasma is generated from the etchant gas to selectively etch the high k layer with respect to a silicon based material.

公开(公告)号：WO2007008901A3

公开(公告)日：2007-03-22

申请号：PCT/US2006026896

申请日：2006-07-11

Applicant: SANDISK 3D LLC ,  RAGHURAM USHA ,  KONEVECKI MICHAEL W

Inventor： RAGHURAM USHA ,  KONEVECKI MICHAEL W

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/311

CPC classification number: C23F4/00 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32136 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1675

Abstract: A method of plasma etching comprises using a primary etchant of carbon monoxide gas to etch a transition metal or transition metal compound and to form a volatile by-product of metal carbonyl.

Abstract translation: 等离子体蚀刻的方法包括使用一氧化碳气体的主要蚀刻剂来蚀刻过渡金属或过渡金属化合物并形成金属羰基的挥发性副产物。

公开(公告)号：WO2005031816A1

公开(公告)日：2005-04-07

申请号：PCT/SG2004/000268

申请日：2004-08-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  ZHUANG, Haoren ,  EGGER, Ulrich ,  BRUCHHAUS, Rainer ,  HORNIK, Karl ,  LIAN, Jingyu ,  GERNHARDT, Stefan

Inventor： ZHUANG, Haoren ,  EGGER, Ulrich ,  BRUCHHAUS, Rainer ,  HORNIK, Karl ,  LIAN, Jingyu ,  GERNHARDT, Stefan

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L21/31122 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60

Abstract: Ferrocapacitors having a vertical structure are formed by a process in which a ferroelectric layer (33) is deposited over an insulator (31). In a first etching stage, the ferroelectric material is etched to form openings (35) in it, leaving the insulating layer substantially intact. Then a conductive layer (39) is deposited into the openings formed in the ferroelectric layer, forming electrodes on the sides of the openings. Further etching is performed to form gaps in the AI 2 O 3 layer (31), for making connections to conductive elements (3) beneath it. Thus, by the time the second etching step is performed, there are already electrodes overlying the sides of the ferroelectric material, without insulating fences in between.

Abstract translation: 具有垂直结构的铁电体通过在绝缘体（31）上沉积铁电层（33）的工艺形成。 在第一蚀刻阶段，蚀刻铁电材料以在其中形成开口（35），使绝缘层基本上保持完整。 然后，将导电层（39）沉积到形成在铁电层中的开口中，在开口的侧面形成电极。 执行进一步蚀刻以在Al 2 O 3层（31）中形成间隙，以便连接到其下的导电元件（3）。 因此，在执行第二蚀刻步骤之前，已经有电极覆盖在铁电材料的侧面，而两者之间没有绝缘栅栏。