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    VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR ÜBERWACHUNG EINER ENTLADUNG IN EINEM PLASMAPROZESS
    12.
    发明申请
    VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR ÜBERWACHUNG EINER ENTLADUNG IN EINEM PLASMAPROZESS 审中-公开
    装置和方法用于监测放电等离子体处理

    公开(公告)号：WO2015049213A1

    公开(公告)日：2015-04-09

    申请号：PCT/EP2014/070856

    申请日：2014-09-30

    Applicant: TRUMPF HÜTTINGER GMBH + CO. KG

    Inventor： LEYPOLD, Daniel ,  RICHTER, Ulrich ,  WUNN, Fabian

    IPC: H01J37/32

    CPC classification number: H01J37/32009 ,  G01R19/0061 ,  G01R31/12 ,  H01J37/32917 ,  H01J37/32926 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/32944

    Abstract: Vorrichtung und Verfahren zur Überwachung einer Entladung in einem Plasmaprozess, insbesondere zwischen Elektroden einer Kathodenzerstäubungsanordnung (13), dem von einem Leistungsgenerator mit einem sich periodisch verändernden Ausgangssignal des Leistungsgenerators Leistung zugeführt wird, mit den folgenden Schritten: a. Erfassen zumindest eines ersten Signalverlaufs (2) zumindest eines Plasmaversorgungssignals (19) innerhalb zumindest eines ersten Zeitintervalls innerhalb zumindest einer Periode des Plasmaversorgungssignals, b. Erfassen zumindest eines zweiten Signalverlaufs (6) zumindest eines Plasmaversorgungssignals (19) innerhalb zumindest eines zweiten Zeitintervalls, das an der dem ersten Zeitintervall entsprechenden Stelle in zumindest einer weiteren Periode des Plasmaversorgungssignals liegt, c. Generierung eines Erkennungssignals, wenn der zweite Signalverlauf um mindestens einen Abstand vom ersten Signalverlauf abweicht, wobei der Abstand eine Mindestzeitdifferenz (22) und eine Mindestsignalamplitudendifferenz (21) aufweist. Insbesondere Arcs können auf diese Weise sehr zuverlässig und sehr schnell erkannt werden.

    Abstract translation: 装置和方法用于在等离子体工艺监测的放电，特别是Kathodenzerstäubungsanordnung（13），其由发电机与所述发电机输出的周期性变化的输出信号供给电极之间，所述方法包括以下步骤：a。 等离子体供给信号的至少一个周期内至少在第一时间间隔内的至少一个检测第一波形（2）的至少一个等离子体源信号（19）中，b。 检测至少一个第二时间间隔内的至少一个等离子体源信号（19），其位于在对应于所述第一时间间隔的位置在等离子体供给信号c中的至少一个其它时间段的至少一个第二波形（6）。 产生一个检测信号时，所述第二波形由至少从所述第一波形的距离，其中所述距离具有最小时间差（22）和最小信号振幅差（21）不同。 尤其是弧可以检测非常可靠，这种方式非常快。

    半導体装置の製造方法、基板処理装置および記録媒体
    13.
    发明申请
    半導体装置の製造方法、基板処理装置および記録媒体 审中-公开
    用于生产半导体器件的方法，衬底处理器件和记录介质

    公开(公告)号：WO2014050979A1

    公开(公告)日：2014-04-03

    申请号：PCT/JP2013/076092

    申请日：2013-09-26

    Applicant: 株式会社日立国際電気

    Inventor： 中山　雅則

    IPC: H01L21/31 ,  C23C16/44 ,  C23C16/50 ,  H05H1/46

    CPC classification number: H01J37/32862 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32871 ,  H01J37/32926 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3464 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/6875

    Abstract: 　要約　課題　処理室内で発生する汚染物質により製品用基板が汚染されることを抑制する。　解決手段　処理室内の第１プラズマ生成領域にプラズマを発生させて基板を処理する本処理工程と、前記処理室内の前記第１プラズマ生成領域と、該第１プラズマ生成領域とは異なる第２プラズマ領域にプラズマを発生させて前記処理室内の金属成分を除去する除去工程と、を有する。

    Abstract translation: 摘要[问题]抑制用作由处理室内产生的污染物引起的产品的基板的污染。 [解决方案]具有用于通过在处理室内的第一等离子体产生区域中产生等离子体来处理衬底的主要处理步骤，以及用于通过在第二等离子体区域中产生等离子体来除去处理室内部的金属组分的去除步骤 从第一等离子体产生区域。

    METHODS AND APPARATUS FOR DEPOSITING AND/OR ETCHING MATERIAL ON A SUBSTRATE
    14.
    发明申请
    METHODS AND APPARATUS FOR DEPOSITING AND/OR ETCHING MATERIAL ON A SUBSTRATE 审中-公开
    在基材上沉积和/或蚀刻材料的方法和装置

    公开(公告)号：WO2013128181A1

    公开(公告)日：2013-09-06

    申请号：PCT/GB2013/050481

    申请日：2013-02-27

    Applicant: OXFORD INSTRUMENTS NANOTECHNOLOGY TOOLS LIMITED

    Inventor： MCNIE, Mark Edward ,  COOKE, Michael Joseph ,  LEA, Leslie Michael

    IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/3065

    CPC classification number: H01J37/32926 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  G05B19/418 ,  G05B2219/34198 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32816 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32917 ,  H01J2237/24564 ,  H01J2237/24585 ,  H01J2237/248 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/306 ,  H01L21/30655 ,  H01L22/12 ,  H01L22/26

    Abstract: Methods are disclosed for depositing material onto and/or etching material from a substrate in a surface processing tool having a processing chamber, a controller and one or more devices for adjusting the process parameters within the chamber. The method comprises: the controller instructing the one or more devices according to a series of control steps, each control step specifying a defined set of process parameters that the one or more devices are instructed to implement, wherein at least one of the control steps comprises the controller instructing the one or more devices to implement a defined set of constant process parameters for the duration of the step, including at least a chamber pressure and gas flow rate through the chamber, which duration is less than the corresponding gas residence time (T gr ) of the processing chamber for the step.

    Abstract translation: 公开了用于在具有处理室，控制器和用于调节室内的工艺参数的一个或多个装置的表面处理工具中从衬底上沉积材料和/或蚀刻材料的方法。 该方法包括：控制器根据一系列控制步骤指示一个或多个设备，每个控制步骤指定一个或多个设备被指示实现的一组定义的过程参数，其中至少一个控制步骤包括 所述控制器指示所述一个或多个设备在所述步骤的持续时间内实现一组定义的恒定过程参数，包括至少通过所述室的腔室压力和气体流速，所述持续时间小于相应的气体停留时间（Tgr ）的步骤处理室。

    METHODS FOR AUTOMATICALLY CHARACTERIZING A PLASMA
    15.
    发明申请
    METHODS FOR AUTOMATICALLY CHARACTERIZING A PLASMA 审中-公开
    自动表征等离子体的方法

    公开(公告)号：WO2009158556A4

    公开(公告)日：2010-06-03

    申请号：PCT/US2009048747

    申请日：2009-06-26

    Applicant: LAM RES CORP ,  KEIL DOUGLAS ,  BOOTH JEAN-PAUL ,  THORGRIMSSON CHRISTOPHER

    Inventor： KEIL DOUGLAS ,  BOOTH JEAN-PAUL ,  THORGRIMSSON CHRISTOPHER

    IPC: H05H1/36 ,  H05H1/24

    CPC classification number: H01J37/32935 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32926 ,  H01J37/32954 ,  H01J2237/244 ,  H01J2237/24564 ,  H01J2237/327 ,  H01L21/263

    Abstract: A method for automatically characterizing plasma during substrate processing is provided. The method includes collecting a set of process data, which includes at least data about current and voltage. The method also includes identifying a relevancy range for the set of process data, wherein the relevancy range includes a subset of the set of process data. The method further includes determining a set of seed values. The method yet also includes employing the relevancy range and the set of seed values to perform curve-fitting, wherein the curve-fitting enables the plasma to be automatically characterized.

    Abstract translation: 提供了一种在衬底处理期间自动表征等离子体的方法。 该方法包括收集一组过程数据，其至少包括关于电流和电压的数据。 该方法还包括识别该组过程数据的相关性范围，其中相关性范围包括过程数据组的子集。 该方法还包括确定一组种子值。 该方法还包括使用相关性范围和该组种子值来执行曲线拟合，其中曲线拟合使得能够自动表征等离子体。

    METHODS FOR AUTOMATICALLY CHARACTERIZING A PLASMA
    16.
    发明申请
    METHODS FOR AUTOMATICALLY CHARACTERIZING A PLASMA 审中-公开
    自动表征等离子体的方法

    公开(公告)号：WO2009158556A2

    公开(公告)日：2009-12-30

    申请号：PCT/US2009/048747

    申请日：2009-06-26

    Applicant: LAM RESEARCH CORPORATION ,  KEIL, Douglas ,  BOOTH, Jean-Paul ,  THORGRIMSSON, Christopher

    Inventor： KEIL, Douglas ,  BOOTH, Jean-Paul ,  THORGRIMSSON, Christopher

    IPC: H05H1/36 ,  H05H1/24

    CPC classification number: H01J37/32935 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32926 ,  H01J37/32954 ,  H01J2237/244 ,  H01J2237/24564 ,  H01J2237/327 ,  H01L21/263

    Abstract: A method for automatically characterizing plasma during substrate processing is provided. The method includes collecting a set of process data, which includes at least data about current and voltage. The method also includes identifying a relevancy range for the set of process data, wherein the relevancy range includes a subset of the set of process data. The method further includes determining a set of seed values. The method yet also includes employing the relevancy range and the set of seed values to perform curve-fitting, wherein the curve-fitting enables the plasma to be automatically characterized.

    Abstract translation: 提供了一种用于在衬底处理期间自动表征等离子体的方法。 该方法包括收集一组过程数据，其至少包括关于电流和电压的数据。 该方法还包括识别该组过程数据的相关范围，其中相关范围包括一组过程数据的子集。 该方法还包括确定一组种子值。 该方法还包括采用相关范围和种子值集来执行曲线拟合，其中曲线拟合使等离子体能够被自动表征。

    IN SITU OXIDATION OF SUBSURFACE FORMATIONS
    19.
    发明申请
    IN SITU OXIDATION OF SUBSURFACE FORMATIONS 审中-公开
    在原位氧化表面形成

    公开(公告)号：WO2009052043A1

    公开(公告)日：2009-04-23

    申请号：PCT/US2008/079704

    申请日：2008-10-13

    Applicant: SHELL OIL COMPANY ,  SHELL INTERNATIONALE RESEARCH MAATSCHAPPIJ B.V. ,  BEER, Gary, Lee ,  BUSHENG, Li ,  MO, Weijian

    Inventor： BEER, Gary, Lee ,  BUSHENG, Li ,  MO, Weijian

    IPC: E21B43/243

    CPC classification number: H01F29/04 ,  E21B36/04 ,  E21B43/24 ,  E21B43/30 ,  H01F27/38 ,  H01J37/32926 ,  H01J37/32935 ,  Y10T29/49083

    Abstract: Methods and systems for treating a hydrocarbon containing formation described herein include providing heat to a first portion of the formation from a plurality of heaters in the first portion, producing fluids through one or more production wells in a second portion of the formation, reducing or turning off heat provided to the first portion after a selected time, providing an oxidizing fluid through one or more of the heater wells in the first portion, providing heat to the first portion and the second portion through oxidation of at least some hydrocarbons in the first portion, and producing fluids through at least one of the production wells in the second portion. At least two of the heaters may be located in heater wells in the first portion. The second portion may be substantially adjacent to the first portion. The produced fluids may include at least some oxidized hydrocarbons produced in the first portion.

    Abstract translation: 用于处理本文所述的含烃地层的方法和系统包括从第一部分中的多个加热器向地层的第一部分提供热量，通过地层的第二部分中的一个或多个生产井产生流体，减少或转动 在选定的时间之后提供给第一部分的热量，通过第一部分中的一个或多个加热井提供氧化流体，通过第一部分中的至少一些烃的氧化向第一部分和第二部分提供热量 并且通过第二部分中的至少一个生产井产生流体。 至少两个加热器可以位于第一部分中的加热器孔中。 第二部分可以基本上与第一部分相邻。 产生的流体可以包括在第一部分中产生的至少一些氧化的烃。

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