公开(公告)号：WO2017209881A1

公开(公告)日：2017-12-07

申请号：PCT/US2017/030516

申请日：2017-05-02

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： KURITA, Shinichi ,  INAGAWA, Makoto ,  LIN, Hanzheng H. ,  MATSUMOTO, Takayuki ,  ANWAR, Suhail

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67167 ,  C23C14/566 ,  C23C16/042 ,  C23C16/308 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C23C16/54 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32743 ,  H01J37/32788 ,  H01J37/32816 ,  H01J37/32899 ,  H01J37/32908 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/3326 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/68742

Abstract: A transfer chamber for a processing system suitable for processing a plurality of substrates and a method of using the same is provided. The transfer chamber includes a lid, a bottom disposed opposite the lid, a plurality of sidewalls sealingly coupling the lid to the bottom and defining an internal volume, wherein the plurality of sidewalls form the faces of a dodecagon. An opening is formed in each of the faces, wherein the opening is configured for a substrate to pass therethrough. A transfer robot is disposed in the internal volume, wherein the transfer robot has effectors configured to support the substrate through one opening to another opening.

Abstract translation: 提供了适于处理多个基板的处理系统的传送室及其使用方法。 传送室包括盖子，与盖子相对设置的底部，将盖子密封地连接到底部并限定内部体积的多个侧壁，其中多个侧壁形成十二边形的面。 在每个面中形成开口，其中该开口被配置为使基板穿过其中。 传送机器人布置在内部容积中，其中传送机器人具有构造成通过一个开口将衬底支撑到另一个开口的效应器。

公开(公告)号：WO2017059017A1

公开(公告)日：2017-04-06

申请号：PCT/US2016/054348

申请日：2016-09-29

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： AGARWAL, Ankur

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/02 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/30655 ,  B05D1/62 ,  B05D5/083 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/458 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32816 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/67069

Abstract: Methods and apparatus for processing substrates are provided. In some embodiments, methods of processing substrates includes: (a) providing a process gas comprising a polymer-forming gas and an etching gas between a first electrode and a second electrode within the processing volume, wherein the first electrode is opposite the second electrode; (b) applying a first voltage waveform from a first RF power source to the second electrode to form a plasma from the process gas, wherein the plasma has a first ion energy to deposit a polymer layer directly atop a dielectric layer of the substrate; and (c) adjusting the first voltage waveform to a second voltage waveform to increase an ion energy of the plasma from the first ion energy to a second ion energy, wherein the plasma at the second ion energy ceases to deposit the polymer layer and proceeds to etch the polymer layer and the dielectric layer.

Abstract translation: 提供了处理基板的方法和装置。 在一些实施例中，处理衬底的方法包括：（a）在处理体积内提供包括聚合物形成气体和蚀刻气体的工艺气体，其中第一电极和第二电极在第二电极之间; （b）将来自第一RF电源的第一电压波形施加到第二电极以形成来自处理气体的等离子体，其中所述等离子体具有第一离子能量以将聚合物层直接沉积在所述衬底的介电层的顶部; 和（c）将第一电压波形调整到第二电压波形，以将等离子体的离子能量从第一离子能量增加到第二离子能量，其中在第二离子能量处的等离子体停止沉积聚合物层并进行到 蚀刻聚合物层和电介质层。

公开(公告)号：WO2017037064A1

公开(公告)日：2017-03-09

申请号：PCT/EP2016/070421

申请日：2016-08-30

Applicant: TOTAL MARKETING SERVICES ,  ECOLE POLYTECHNIQUE ,  CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE

Inventor： JOHNSON, Erik ,  BRUNEAU, Bastien ,  ROCA I CABARROCAS, Pere ,  BULKIN, Pavel ,  HABKA, Nada

IPC: H01J37/32 ,  H01L31/18 ,  C23C14/04 ,  C23C16/509

CPC classification number: H01J37/32091 ,  C23C16/04 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32366 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32816 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/50

Abstract: The invention concerns a plasma generating apparatus, for manufacturing devices having patterned layers, comprising a first electrode assembly (1) and a second electrode assembly (2) placed in a plasma reactor chamber, an electrical power supply (6) for generating a voltage difference between the first electrode assembly (1) and the second electrode assembly (2). According to the invention, the first electrode assembly (1) comprises a plurality of protrusions (11) and a plurality of recesses (12, 13, 14, 15, 16, 17, 18), the protrusions (11) and recesses (12, 13, 14, 15, 16, 17, 18) being dimensioned and set at respective distances (D1, D2) from the surface (51) of the substrate (5) so as to generate a plurality of spatially isolated plasma zones (21, 22) located selectively either between said second electrode assembly (2) and said plurality of recesses (12, 13, 14, 15, 16, 17, 18) or between said second electrode assembly (2) and said plurality of protrusions (11).

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造具有图案化层的器件的等离子体产生装置，其包括放置在等离子体反应器室中的第一电极组件（1）和第二电极组件（2），用于产生电压差的电源 在第一电极组件（1）和第二电极组件（2）之间。 根据本发明，第一电极组件（1）包括多个突起（11）和多个凹部（12,13,14,15,16,17,18），突出部（11）和凹部（12） ，13,14,15,16,17,18），其尺寸设定为与衬底（5）的表面（51）相对应的距离（D1，D2），以便产生多个空间上隔离的等离子体区域（21 ，22）选择性地位于所述第二电极组件（2）和所述多个凹部（12,13,14,15,16,17,18）之间或位于所述第二电极组件（2）和所述多个突起（11）之间 ）。

公开(公告)号：WO2016042530A1

公开(公告)日：2016-03-24

申请号：PCT/IB2015/057205

申请日：2015-09-18

Applicant: PLASMA APP LTD.

Inventor： YARMOLICH, Dmitry

IPC: H01J37/34 ,  C23C14/34 ,  H01J3/02 ,  H01J37/077 ,  H01J37/32

CPC classification number: C23C14/30 ,  C23C14/32 ,  H01J3/025 ,  H01J37/32055 ,  H01J37/3233 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32596 ,  H01J37/32816 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3467 ,  H01J2237/06366 ,  H01J2237/3137 ,  H01J2237/332

Abstract: A virtual cathode deposition apparatus utilises virtual plasma cathode for generation of high density electron beam to ablate a solid target. A high voltage electrical pulse ionizes gas to produce a plasma which temporarily appears in front of the target and serves as the virtual plasma cathode at the vicinity of target. This plasma then disappears allowing the ablated target material in a form of a plasma plume to propagate toward the substrate. Several virtual cathodes operating in parallel provide plumes that merge into a uniform plasma which when condensing on a nearby substrate leads to wide area deposition of a uniform thickness thin film.

Abstract translation: 虚拟阴极沉积装置利用虚拟等离子体阴极产生高密度电子束以消融固体靶。 高电压电脉冲使气体电离，产生临时出现在靶前方的等离子体，并用作目标附近的虚拟等离子体阴极。 然后该等离子体消失，允许以等离子体羽流形式的烧蚀的靶材料向衬底传播。 并行操作的几个虚拟阴极提供合并成均匀等离子体的羽流，当等离子体在附近的基底上凝结时，导致均匀厚度薄膜的广泛沉积。

公开(公告)号：WO2015174094A1

公开(公告)日：2015-11-19

申请号：PCT/JP2015/002450

申请日：2015-05-14

Applicant: 国立大学法人名古屋大学 ,  国立研究開発法人産業技術総合研究所 ,  学校法人杏林学園

Inventor： 堀　勝 ,  石川　健治 ,  池原　譲 ,  池原　早苗 ,  榊田　創 ,  秋元　義弘

IPC: C08J5/18 ,  C08J7/00 ,  H05H1/24 ,  A61L15/58

CPC classification number: C08J5/18 ,  B29C35/0866 ,  B29C67/24 ,  B29K2089/00 ,  C08J2389/00 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32816 ,  H01J37/32825 ,  H01J2237/33 ,  H05H1/2406 ,  H05H2001/2418 ,  H05H2001/2443

Abstract: 【課題】　タンパク質の変性を抑制しつつタンパク質の膜を成膜することのできるタンパク質膜の製造方法を提供することである。 【解決手段】　タンパク質膜の製造方法は、水系溶媒にタンパク質を混合してタンパク質水溶液ＰＡＳ１を作製するタンパク質水溶液作製工程と、プラズマ発生装置１００により発生させたプラズマをタンパク質水溶液ＰＡＳ１に照射するプラズマ照射工程と、を有する。プラズマ発生装置１００により発生されるプラズマのプラズマ密度は、１×１０ 13 ｃｍ -3 以上１×１０ 15 ｃｍ -3 以下の範囲内である。

Abstract translation: [问题]提供一种在形成蛋白质膜时可以防止蛋白质变性的蛋白质膜制造方法。 [解决方案]蛋白质膜的制造方法包括生成蛋白质水溶液的步骤，由此蛋白质与水性溶剂混合以产生蛋白质水溶液（PAS1）和等离子体照射步骤， 由等离子体发生器（100）产生的等离子体照射蛋白质（PAS1）。 由等离子体发生器（100）产生的等离子体的等离子体密度在1×10 13 cm -3至1×10 15 cm -3的范围内。

公开(公告)号：WO2013074824A1

公开(公告)日：2013-05-23

申请号：PCT/US2012/065333

申请日：2012-11-15

Applicant: LAM RESEARCH CORPORATION ,  SHAJII, Ali ,  GOTTSCHO, Richard ,  BENZERROUK, Souheil ,  COWE, Andrew ,  NAGARKATTI, Siddharth, P. ,  ENTLEY, William, R.

Inventor： SHAJII, Ali ,  GOTTSCHO, Richard ,  BENZERROUK, Souheil ,  COWE, Andrew ,  NAGARKATTI, Siddharth, P. ,  ENTLEY, William, R.

IPC: H05H1/00

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32669 ,  H01J37/32816 ,  H01J2237/334 ,  H05H1/50 ,  H05H2001/4682

Abstract: The present invention fills these needs by providing a distributed multi-zone plasma source. It should be appreciated that the present invention can be implemented in numerous ways, including as a process, an apparatus, a system, computer readable media, or a device. Several inventive embodiments of the present invention are described below. One embodiment provides a processing chamber including multiple plasma sources in a process chamber top. Each one of the plasma sources is a ring plasma source including a primary winding and multiple ferrites. Multiple plasma chamber outlets can couple a plasma chamber of each one of the plasma sources to the process chamber.

Abstract translation: 本发明通过提供分布式多区域等离子体源来满足这些需求。 应当理解，本发明可以以多种方式实现，包括作为过程，装置，系统，计算机可读介质或设备。 下面描述本发明的几个发明实施例。 一个实施例提供在处理室顶部中包括多个等离子体源的处理室。 每个等离子体源是包括初级绕组和多个铁氧体的环形等离子体源。 多个等离子体室出口可以将每个等离子体源的等离子体室耦合到处理室。

公开(公告)号：WO2010080420A2

公开(公告)日：2010-07-15

申请号：PCT/US2009068183

申请日：2009-12-16

Applicant: LAM RES CORP ,  FISCHER ANDREAS ,  HUDSON ERIC

Inventor： FISCHER ANDREAS ,  HUDSON ERIC

IPC: H05H1/34

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32816 ,  H01J37/3299 ,  H01L21/3065

Abstract: A plasma processing system having a plasma processing chamber configured for processing a substrate is provided. The plasma processing system includes at least an upper electrode and a lower electrode for processing the substrate. The substrate is disposed on the lower electrode during plasma processing, where the upper electrode and the substrate forms a first gap. The plasma processing system also includes an upper electrode peripheral extension (UE-PE). The UE-PE is mechanically coupled to a periphery of the upper electrode, where the UE-PE is configured to be non-coplanar with the upper electrode. The plasma processing system further includes a cover ring. The cover ring is configured to concentrically surround the lower electrode, where the UE-PE and the cover ring forms a second gap.

Abstract translation: 提供了一种等离子体处理系统，具有配置用于处理基板的等离子体处理室。 等离子体处理系统至少包括用于处理基板的上电极和下电极。 在等离子体处理期间，衬底布置在下电极上，其中上电极和衬底形成第一间隙。 等离子体处理系统还包括上电极外围扩展（UE-PE）。 UE-PE机械耦合到上电极的外围，其中UE-PE被配置为与上电极不共面。 等离子体处理系统还包括盖环。 覆盖环配置成同心地围绕下电极，其中UE-PE和覆盖环形成第二间隙。

公开(公告)号：WO2008082518A3

公开(公告)日：2008-08-21

申请号：PCT/US2007025831

申请日：2007-12-19

Applicant: LAM RES CORP ,  DHINDSA RAJINDER ,  ANTOLIK JERREL K ,  STEVENOT SCOTT

Inventor： DHINDSA RAJINDER ,  ANTOLIK JERREL K ,  STEVENOT SCOTT

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C16/455 ,  C23C16/4417 ,  C23C16/45517 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45587 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/52 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32816 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/3299 ,  H01L21/3065

Abstract: Apparatuses are provided for controlling flow conductance of plasma formed in a plasma processing apparatus that includes an upper electrode opposite a lower electrode to form a gap therebetween. The lower electrode is adapted to support a substrate and coupled to a RF power supply. Process gas injected into the gap is excited into the plasma state during operation. The apparatus includes a ground ring that concentrically surrounds the lower electrode and has a set of slots formed therein, and a mechanism for controlling gas flow through the slots.

Abstract translation: 提供了用于控制在等离子体处理装置中形成的等离子体的流动电导的装置，其包括与下电极相对的上电极，以在其间形成间隙。 下电极适于支撑衬底并耦合到RF电源。 注入到间隙中的过程气体在操作期间被激发成等离子体状态。 该装置包括同心地围绕下电极并具有形成在其中的一组槽的接地环，以及用于控制通过槽的气流的机构。

公开(公告)号：WO2005099320A2

公开(公告)日：2005-10-20

申请号：PCT/EP2005/003442

申请日：2005-04-01

Applicant: PLASMATREAT GMBH ,  FOERNSEL, Peter ,  BUSKE, Christian ,  HARTMANN, Uwe

Inventor： FOERNSEL, Peter ,  BUSKE, Christian ,  HARTMANN, Uwe

IPC: H05H1/24

CPC classification number: H01J37/32357 ,  H01J37/32816 ,  H05H1/42

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Erzeugen eines Niederdruckplasmas, bei dem mit Hilfe einer Vakuumpumpe in einer Niederdruckkammer ein Unterdruck erzeugt wird und bei dem ein Plasmastrahl mit höherem Druck in die Niederdruckkammer eingeleitet wird. Die Erfindung betrifft auch verschiedenen Anwendungen des Niederdruckplasmas zum Oberflächenvorbehandeln, zum Oberflächenbeschichten oder zum Behandeln von Gasen. Ebenso betrifft die Erfindung eine Vorrichtung zum Erzeugen eines Niederdruckplasmas.

Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于生成低压等离子体，其中通过其在更高的压力的等离子流被引入到低压室的低压室，并在真空泵产生的负压。 本发明还涉及低压等离子体以Oberflächenvorbehandeln的各种应用中，用于表面涂层或为气体的处理。 本发明还涉及一种设备，用于生成低压等离子体。

公开(公告)号：WO2017029771A1

公开(公告)日：2017-02-23

申请号：PCT/JP2016/002814

申请日：2016-06-10

Applicant: 株式会社アルバック

Inventor： 中村　真也 ,  藤井　佳詞

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/00

CPC classification number: C23C14/34 ,  C23C14/081 ,  C23C14/35 ,  C23C14/52 ,  C23C14/54 ,  G01L13/00 ,  H01J37/32798 ,  H01J37/32816 ,  H01J37/34

Abstract: 真空チャンバ内の雰囲気が成膜に適した状態かを確実に判別できるスパッタリング装置及びその状態判別方法を提供する。　ターゲット２をスパッタリングしてこのターゲットに対向配置される基板Ｗに成膜するスパッタリング装置ＳＭにて、基板への成膜に先立って真空チャンバ内の雰囲気が成膜に適した状態かを判別する本発明のスパッタリング装置の状態判別方法は、スパッタリング装置として、隔絶手段６，７１～７３によってターゲットと基板とが臨む、真空チャンバ内と隔絶された隔絶空間を真空チャンバ内に設け、真空チャンバ内の真空引きに伴って隔絶空間が真空引きされるようにしたものを用い、真空チャンバ内を予め設定された圧力まで真空引きし、この状態でガスを導入し、このときの隔絶空間内の圧力を取得し、所定の膜厚・膜質面内分布で成膜したときに予め求めた前記隔絶空間内の圧力を基準圧力とし、この基準圧力と前記取得した隔絶空間内の圧力とを比較してスパッタリング装置の状態を判別する第１の判別工程を含む。

Abstract translation: 提供了一种溅射装置和用于确定其状态的方法，其可以可靠地确定真空室中的气氛是否适于成膜。 用于确定溅射装置的状态的方法对于通过溅射目标而设置在与靶2相对的基板W上形成膜的溅射装置SM确定真空室中的气氛是否处于适当的状态 用于在基底上形成膜之前的成膜。 该方法中使用的溅射装置是一种溅射装置，其在真空室中包括通过分离装置6,71-73与真空室隔离的空间。 隔离空间包括目标和基板彼此面对，并且由于真空室的排空而被排空。 在该状态下，将真空室抽真空至预定压力并将气体引入真空室。 此时，获得隔离空间的压力。 作为参考压力，在形成具有预定的面内厚度和质量分布的膜的情况下，预先确定隔离空间的压力。 该方法包括第一确定步骤，比较分离空间的参考压力和获得的压力，以确定溅射装置的状态。