公开(公告)号：WO01046999A2

公开(公告)日：2001-06-28

申请号：PCT/US2000/041853

申请日：2000-11-01

IPC: C23C14/50 ,  B65G49/07 ,  C23C16/44 ,  G03F7/42 ,  H01L21/00 ,  H01L21/027 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67167 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/67745 ,  Y10S414/135

Abstract: An apparatus for supercritical processing and non-supercritical processing of a workpiece comprises a transfer module, a supercritical processing module, a non-supercritical processing module, and a robot. The transfer module includes an entrance. The supercritical processing module, and the non-supercritical processing module are coupled to the transfer module. The robot is preferably located within the transfer module. In operation, the robot transfers a workpiece from the entrance of the transfer module to the supercritical processing module. After supercritical processing, the robot then transfers workpiece from the supercritical processing module to the non-supercritical processing module. After the non-supercritical processing, the robot returns the workpiece to the entrance of the transfer module. Alternatively, the non-supercritical processing is performed before the supercritical processing.

Abstract translation: 一种用于工件的超临界处理和非超临界处理的装置包括转移模块，超临界处理模块，非超临界处理模块和机器人。 传送模块包括入口。 超临界处理模块和非超临界处理模块耦合到传送模块。 机器人优选地位于传送模块内。 在操作中，机器人将工件从传送模块的入口传送到超临界处理模块。 超临界处理后，机器人将工件从超临界处理模块传送到非超临界处理模块。 在非超临界处理之后，机器人将工件返回到传送模块的入口。 或者，在超临界处理之前执行非超临界处理。

公开(公告)号：WO2018063851A1

公开(公告)日：2018-04-05

申请号：PCT/US2017/052155

申请日：2017-09-19

Applicant: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.

Inventor： WEED, Allan

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/687

CPC classification number: H01L21/67742 ,  H01J37/185 ,  H01J37/20 ,  H01J37/3171 ,  H01L21/265 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/67718 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/67754 ,  H01L21/67757 ,  H01L21/6833 ,  H01L21/68707 ,  H01L21/68728

Abstract: An electrostatic chuck and gripping system are configured for clamping and processing workpieces having differing diameters. An ion implantation apparatus selectively provides ions to a first workpiece and a second workpiece in a process chamber, where a diameter of the first workpiece is greater the second workpiece. A chuck supports the respective first or second workpiece within the process chamber during exposure to the ions. A load lock chamber isolates a process environment from an external environment and has a workpiece support for the respective first or second workpiece during a transfer of the first or second workpiece between the process chamber and the external environment. A vacuum robot transfers the first or second workpiece between the chuck and workpiece support, and has a gripper mechanism configured to selectively grip the first or second workpiece between a plurality of stepped guides.

Abstract translation: 静电卡盘和夹紧系统被构造用于夹紧和加工具有不同直径的工件。 离子注入装置选择性地将离子提供给处理室中的第一工件和第二工件，其中第一工件的直径大于第二工件的直径。 在暴露于离子期间，卡盘支撑处理室内的各个第一或第二工件。 负载锁定腔室将工艺环境与外部环境隔离，并且在第一或第二工件在处理腔室和外部环境之间的传输期间具有用于相应第一或第二工件的工件支撑件。 真空机器人在卡盘和工件支架之间传送第一或第二工件，并具有夹持机构，该夹持机构构造成选择性地夹持多个阶梯式导向器之间的第一或第二工件。

公开(公告)号：WO2017196934A1

公开(公告)日：2017-11-16

申请号：PCT/US2017/031894

申请日：2017-05-10

Applicant: ENTEGRIS, INC.

Inventor： CHAMBERS, Barry Lewis ,  TAOYUAN, Bling-Tsair Tien ,  SWEENEY, Joseph D. ,  TANG, Ying ,  BYL, Oleg ,  BISHOP, Steven E. ,  YEDAVE, Sharad N.

IPC: H01J37/02 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  C09D1/00 ,  C09D5/24 ,  H01J37/026 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/022 ,  H01L21/265 ,  H01L21/67213

Abstract: Compositions, methods, and apparatus are described for carrying out nitrogen ion implantation, which avoid the incidence of severe glitching when the nitrogen ion implantation is followed by another ion implantation operation susceptible to glitching, e.g., implantation of arsenic and/or phosphorus ionic species. The nitrogen ion implantation operation is advantageously conducted with a nitrogen ion implantation composition introduced to or formed in the ion source chamber of the ion implantation system, wherein the nitrogen ion implantation composition includes nitrogen (N 2 ) dopant gas and a glitching-suppressing gas including one or more selected from the group consisting of NF 3 , N 2 F 4 , F 2 , SiF4, WF 6 , PF 3 , PF 5 , AsF 3 , AsF 5 , CF 4 and other fluorinated hydrocarbons of C x F y (x≥1, y≥1) general formula, SF 6 , HF, COF 2 , OF 2 , BF 3 , B 2 F 4 , GeF 4 , XeF 2 , O 2 , N 2 O, NO, NO 2 , N 2 O 4 , and O 3 , and optionally hydrogen-containing gas, e.g., hydrogen-containing gas including one or more selected from the group consisting of H 2 , NH 3 , N 2 H 4 , B 2 H 6 , AsH 3 , PH 3 , SiH 4 , Si 2 H 6 , H 2 S, H 2 Se, CH 4 and other hydrocarbons of C x H y (x≥1, y≥1) general formula and GeH 4 .

Abstract translation: 描述了用于进行氮离子注入的组合物，方法和设备，其避免了在氮离子注入之后进行另一离子注入操作易受到毛刺影响的严重毛刺的发生，例如植入 砷和/或磷离子物质。 氮离子注入操作有利地利用引入或形成在离子注入系统的离子源室中的氮离子注入组合物来进行，其中氮离子注入组合物包括氮（N 2）掺杂剂气体 以及包含选自由NF 3，N 2，F 4，F 2组成的组中的一种或多种的抑制脉冲的气体 SiF4，WF6，PF3，PF5，AsF3，AsF _{5，CF 4和其它C≡FY（x≥1，y≥1）的氟化烃通式 ，SF 6，HF，COF 2，OF 2，BF 3，B 2， subF 4，GeF 4，XeF 2 0，O 2，N 2，...，sub / 2， > O，NO，NO 2，N 2 O 4和O 3，以及任选含有氢的 气体，例如含氢气体，包括选自由以下组成的组中的一种或多种： H 2，NH 3，N 2，H 4，B 2，H 4， AsH 3，PH 3，SiH 4，Si 2 H 的其它烃 > H （x≥1，y≥1）通式和GeH 4 。}

公开(公告)号：WO2016029072A1

公开(公告)日：2016-02-25

申请号：PCT/US2015/046203

申请日：2015-08-21

Applicant: GTAT CORPORATION

Inventor： BRAILOVE, Adam, Alexander ,  GILLESPIE, Joseph

IPC: H01L21/265 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01L21/6776 ,  H01J37/20 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/204 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/67748

Abstract: In one embodiment, a system for exfoliating a crystalline lamina from an implanted crystalline donor substrate comprises substrate supports attached to a transporting structure, where the supports are configured to support an implanted crystalline donor substrate by a vacuum (e.g., with an implanted surface in contact with the vacuum). The transporting structure is configured to sequentially transport the substrate supports from a loading station, through one or more heating modules and a cleaving module (where the crystalline lamina is thermally cleaved from the implanted crystalline donor substrate along a cleave plane while the lamina remains in contact with the vacuum), and then to an unloading station.

Abstract translation: 在一个实施例中，用于从植入的晶体施主衬底剥离晶体层的系统包括附着到传输结构的衬底支撑件，其中所述支撑件构造成通过真空（例如，与植入的表面接触地支撑植入的晶体施主衬底 与真空）。 输送结构被配置为从加载站，通过一个或多个加热模块和切割模块（其中结晶层沿着解理面从注入的晶体施主衬底被热切割而顺序地输送衬底支撑体，同时层板保持接触 用真空），然后到卸货站。

公开(公告)号：WO2013067307A1

公开(公告)日：2013-05-10

申请号：PCT/US2012/063250

申请日：2012-11-02

Applicant: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. ,  SCHALLER, Jason, M. ,  VOPAT, Robert, Brent ,  CARLSON, Charles, T. ,  DANIEL, Malcolm ,  WEBB, Aaron, P. ,  WEAVER, William, T.

Inventor： SCHALLER, Jason, M. ,  VOPAT, Robert, Brent ,  CARLSON, Charles, T. ,  DANIEL, Malcolm ,  WEBB, Aaron, P. ,  WEAVER, William, T.

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/67

CPC classification number: B65G49/00 ,  B65G47/918 ,  B65G49/061 ,  B65G2203/041 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/67733 ,  H01L21/67736 ,  H01L21/67754

Abstract: One embodiment of this workpiece handling system has conveyor belts and a load lock. A first swap robot holds and transports workpieces between a build station and the load lock. A gantry robot transports the workpieces between each of the conveyor belts and the first swap robot. In one instance, processed workpieces are transported from the first swap robot to a first conveyor belt and unprocessed workpieces are transported from a second conveyor belt to the first swap robot using the gantry robot. A second swap robot also may be used with the first swap robot to load and unload workpieces from the load lock.

Abstract translation: 该工件处理系统的一个实施例具有输送带和装载锁。 第一个交换机器人在建站和装载锁之间夹持和运输工件。 台架机器人在每个传送带和第一交换机器人之间传送工件。 在一个实例中，经处理的工件从第一交换机器人传送到第一输送带，未加工的工件使用龙门架机器人从第二输送带输送到第一交换机器人。 第二交换机器人也可以与第一交换机器人一起使用，以从装载锁装载和卸载工件。

公开(公告)号：WO2011136525A2

公开(公告)日：2011-11-03

申请号：PCT/KR2011/003002

申请日：2011-04-25

Applicant: 주식회사 테라세미콘 ,  김수웅 ,  이경호 ,  정순빈

Inventor： 김수웅 ,  이경호 ,  정순빈

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/042

CPC classification number: H01L21/67173 ,  H01L21/67213

Abstract: 인라인 기판 처리 장치가 개시된다. 본 발명에 따른 인라인 기판 처리 장치는 기판(10)을 예열하는 제1 챔버(100); 제1 챔버(100)에서 예열된 기판(10)을 전달받아 가열하면서 플라즈마 처리하는 제2 챔버(200); 및 제2 챔버(200)에서 플라즈마 처리된 기판(10)을 전달받아 냉각하면서 플라즈마 처리하는 제3 챔버(300)를 포함하고, 제1 챔버(100), 제2 챔버(200) 및 제3 챔버(300)는 순차적으로 일렬로 연결되어 배치된 구성이다.

Abstract translation: 公开了一种在线基板处理装置。 根据本发明的在线衬底处理设备包括其中预热衬底（10）的第一腔室（100） 第二室（200），其中在第一室（100）中预热的基板（10）被转移，加热和等离子体处理; 以及第三室（300），其中在第二室（200）中等离子体处理的基板（10）被转移，冷却和等离子体处理，其中第一室（100），第二室（200）和第三室 室（300）依次连接并排列成一行。

公开(公告)号：WO2010132706A1

公开(公告)日：2010-11-18

申请号：PCT/US2010/034793

申请日：2010-05-13

Applicant: SILICON GENESIS CORPORATION ,  BRAILOVE, Adam ,  LIU, Zuqin ,  HENLEY, Francois, J. ,  LAMM, Albert, J.

Inventor： BRAILOVE, Adam ,  LIU, Zuqin ,  HENLEY, Francois, J. ,  LAMM, Albert, J.

IPC: H01G9/20 ,  H01L31/00

CPC classification number: H01L31/0392 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/76254 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50

Abstract: The present invention relates to the use of a particle accelerator beam to form thin films of material from a bulk substrate. In particular embodiments, a bulk substrate having a top surface is exposed to a beam of accelerated particles. Then, a thin film of material is separated from the bulk substrate by performing a controlled cleaving process along a cleave region formed by particles implanted from the beam. To improve uniformity of depth of implantation, channeling effects are reduced by multiple techniques. In one technique, a miscut bulk substrate is subjected to the implantation, such that the lattice of the substrate is offset at an angle relative to the impinging beam In another technique, the substrate is tilted at an angle relative to the impinging beam. In another technique, the substrate is subjected to a ditheπng motion dunng the implantation. These techniques may be employed alone or in combination

Abstract translation: 本发明涉及使用粒子加速器束从大量衬底形成材料的薄膜。 在具体的实施方案中，具有顶表面的本体衬底暴露于加速颗粒束。 然后，通过沿着从光束注入的颗粒形成的切割区域进行受控的切割过程，将薄膜材料与本体基板分离。 为了提高植入深度的均匀性，通过多种技术减少了沟道效应。 在一种技术中，对杂散块体进行注入，使得衬底的晶格相对于入射光束以一定角度偏移。在另一种技术中，衬底相对于撞击光束以一定角度倾斜。 在另一种技术中，衬底对植入进行双重运动。 这些技术可以单独使用或组合使用

公开(公告)号：WO2010042577A3

公开(公告)日：2010-07-15

申请号：PCT/US2009059782

申请日：2009-10-07

Applicant: APPLIED MATERIALS INC ,  PORTHOUSE KEITH ,  BORDEN PETER G ,  HOLTAM TRISTAN R ,  ZHOU LISONG ,  LATCHFORD IAN SCOTT ,  AQUI DEREK ,  SHAH VINAY

Inventor： PORTHOUSE KEITH ,  BORDEN PETER G ,  HOLTAM TRISTAN R ,  ZHOU LISONG ,  LATCHFORD IAN SCOTT ,  AQUI DEREK ,  SHAH VINAY

IPC: H01L31/042 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67236 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67213 ,  H01L31/1876 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: The present invention generally provides a batch substrate processing system, or cluster tool, for in-situ processing of a film stack used to form regions of a solar cell device. In one configuration, the film stack formed on each of the substrates in the batch contains one or more silicon-containing layers and one or more metal layers that are deposited and further processed within the various chambers contained in the substrate processing system. In one embodiment, a batch of solar cell substrates is simultaneously transferred in a vacuum or inert environment to prevent contamination from affecting the solar cell formation process.

Abstract translation: 本发明通常提供用于原位处理用于形成太阳能电池器件区域的薄膜叠层的批量衬底处理系统或群集工具。 在一种配置中，在批料中的每个衬底上形成的膜堆包含一个或多个含硅层和一个或多个金属层，所述金属层在包含在衬底处理系统中的各个室内沉积并进一步处理。 在一个实施例中，一批太阳能电池基板同时在真空或惰性环境中转移以防止污染影响太阳能电池形成过程。

公开(公告)号：WO2010023221A1

公开(公告)日：2010-03-04

申请号：PCT/EP2009/060994

申请日：2009-08-26

Applicant: SINGULUS TECHNOLOGIES AG ,  HUBER, Marco ,  BECKER, Wolfgang ,  BINKOWSKA, Patrick ,  CORD, Bernhard ,  HOHN, Oliver ,  KEMPF, Stefan ,  REISING, Michael ,  ROOS, Björn ,  RÜTH, Edgar ,  SICHMANN, Eggo ,  WOHLFART, Peter

Inventor： HUBER, Marco ,  BECKER, Wolfgang ,  BINKOWSKA, Patrick ,  CORD, Bernhard ,  HOHN, Oliver ,  KEMPF, Stefan ,  REISING, Michael ,  ROOS, Björn ,  RÜTH, Edgar ,  SICHMANN, Eggo ,  WOHLFART, Peter

IPC: H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67213 ,  C23C16/54 ,  H01L21/67167

Abstract: Durch die Erfindung wird eine Beschichtungsanlage zum Beschichten von Substraten im Takt-Betrieb bereitgestellt. Die Prozessstationen der Beschichtungsanlage sind kreisförmig angeordnet. Eine Handhabung zum Überfuhren der Substrate zwischen den Prozessstationen wird bereitgestellt. Die Prozessstationen weisen eine Schleuse zum Be- bzw. Entladen der Substrate, mindestens zwei Beschichtungskammern jeweils mit einer Plasmaquelle zum stationären Beschichten der Substrate und vorzugsweise eine Heizstation auf.

Abstract translation: 本发明提供了提供了一种用于在循环操作涂覆基材的涂层系统。 所述涂覆设备的处理站被布置成圆形。 为处理站之间传送基板的搬运车提供。 处理站包括用于装载和基板的卸载锁，每个具有用于涂覆底物的静止等离子体源的至少两个涂布室，并优选在加热站。

公开(公告)号：WO2008124555A1

公开(公告)日：2008-10-16

申请号：PCT/US2008/059334

申请日：2008-04-04

Applicant: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. ,  MUKA, Richard, S. ,  ROWLAND, Christopher, A. ,  ENGLAND, Jonathan, Gerald

Inventor： MUKA, Richard, S. ,  ROWLAND, Christopher, A. ,  ENGLAND, Jonathan, Gerald

IPC: C23C14/50 ,  H01J37/20 ,  H01L21/00 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687

CPC classification number: F28D20/02 ,  C23C14/48 ,  C23C14/50 ,  C23C14/541 ,  F28F3/12 ,  H01J37/20 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/67248 ,  Y02E60/145

Abstract: Techniques for low- temperature ion implantation are disclosed. In one particular exemplary embodiment, the techniques may be realized as a wafer support assembly (300) for low- temperature ion implantation. The wafer support assembly (300) may comprise a base (32). The wafer support assembly (300) may also comprise a platen (30) configured to mount to the base (32) via one or more low- thermal-contact members (312), wherein the platen (30) has a heat capacity larger than that of a wafer mounted thereon, such that, if pre-conditioned to a predetermined temperature, the platen (30) causes the wafer temperature to stay within a range of the predetermined temperature during ion implantation.

Abstract translation: 公开了用于低温离子注入的技术。 在一个特定的示例性实施例中，技术可以被实现为用于低温离子注入的晶片支撑组件（300）。 晶片支撑组件（300）可以包括基座（32）。 晶片支撑组件（300）还可以包括经由一个或多个低热接触构件（312）安装到基座（32）的压板（30），其中压板（30）具有大于 如果预先调节到预定温度，则在离子注入期间，压板（30）使得晶片温度保持在预定温度的范围内。