公开(公告)号：WO2011111057A1

公开(公告)日：2011-09-15

申请号：PCT/IN2010/000735

申请日：2010-11-11

Applicant: COUNCIL OF SCIENTIFIC & INDUSTRIAL RESEARCH ,  SHUKLA, Satyajit, Vishnu ,  WARRIER, Krishna, Gopakumar ,  KIZHAKKEKILIKOODAYIL,Baiju, Vijayan ,  SHIJITHA, Thachan

Inventor： SHUKLA, Satyajit, Vishnu ,  WARRIER, Krishna, Gopakumar ,  KIZHAKKEKILIKOODAYIL,Baiju, Vijayan ,  SHIJITHA, Thachan

IPC: C23C18/16 ,  C23C18/18 ,  C23C18/12 ,  C04B18/08 ,  C04B20/10

CPC classification number: C23C18/1868 ,  C04B18/082 ,  C04B20/12 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1245 ,  C23C18/1254 ,  C23C18/1295 ,  C23C18/1601 ,  C23C18/1642 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1658 ,  C23C18/1692 ,  C23C18/1851 ,  C23C18/1879 ,  C23C18/1889 ,  C23C18/405 ,  C23C18/44 ,  Y02W30/92 ,  C04B18/08 ,  C04B20/04 ,  C04B20/1066 ,  C04B20/1062

Abstract: Process for the surface-modification of flyash and industrial applications thereof have been described in this invention, which involve the new surface-sensitization, the new surface-activation, and the subsequent Cu or Ag coating of the as-received flyash particles in the conventional electroless bath. These new surface-modification processes offer efficient and cost-effective alternatives for the conventional processes which modify the surface of flyash particles with the costlier Sn-Pd catalyst-system. The flyash processed with the new surface-modification processes is also suitable for more number of industrial applications relative to that processed with the costlier Sn-Pd catalyst- system. The as-received flyash particles, processed via new surface-modification processes, find the industrial applications such as the conductive filler for manufacturing the conducting polymers, paints, adhesives, sealers, and resins used for the EMI shielding of the electronic devices, in the lead-based composites used in the automobile industries, and as a catalyst to purify the industrial waste-water by decomposing longer chains of organic molecules into smaller ones.

Abstract translation: 在本发明中已经描述了用于飞灰及其工业应用的表面改性的方法，其涉及新的表面敏化，新的表面活化和随后的常规的粉煤灰颗粒中的Cu或Ag涂层 无电镀浴。 这些新的表面改性方法为使用成本更高的Sn-Pd催化剂体系改性飞灰颗粒的表面的常规方法提供了有效和成本有效的替代方案。 使用新的表面改性工艺处理的飞灰也适用于相对于用较昂贵的Sn-Pd催化剂体系加工的工业应用的更多数量的工业应用。 通过新的表面改性方法处理的所接收的飞灰颗粒发现工业应用，例如用于制造用于电子设备的EMI屏蔽的导电聚合物，油漆，粘合剂，密封剂和树脂的导电填料，在 汽车工业中使用的铅基复合材料，作为通过将有机分子长链分解成更小的工业废水来净化工业废水的催化剂。

公开(公告)号：WO2010125191A3

公开(公告)日：2011-01-13

申请号：PCT/EP2010055923

申请日：2010-04-30

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  BERTHELOT THOMAS ,  BAUDIN CECILE

Inventor： BERTHELOT THOMAS ,  BAUDIN CECILE

IPC: C08J3/28 ,  C08J7/04 ,  C08J7/12 ,  C08J7/14 ,  C08J7/16 ,  C23C18/16 ,  C23C18/18

CPC classification number: C23C18/1601 ,  C08J3/28 ,  C08J7/123 ,  C08J7/16 ,  C08J2323/26 ,  C08J2327/18 ,  C23C18/18 ,  C23C18/1844 ,  C23C18/1893 ,  C23C18/2086 ,  Y10T428/1352

Abstract: The invention relates to a method for chemically modifying a polymer matrix through the thickness thereof, said polymer matrix being selected from among fluoropolymer matrices and aliphatic polymer matrices. The method includes at least one step consisting in irradiating the matrix with UV light having a wavelength of less than 300 nm in order to generate zones in the thickness of the matrix that have: short polymer chains formed by scission of the existing chains during the passage of the UV rays, and free radicals known as "activated zones". The invention also relates to the polymer matrix that can be chemically modified using one such method.

Abstract translation: 本发明涉及一种通过其聚合物基体的厚度对聚合物基质进行化学改性的方法，所述聚合物基体选自含氟聚合物基体和脂族聚合物基质。 该方法包括至少一个步骤，其包括用波长小于300nm的UV光照射基质，以便产生基质厚度的区域，该区域具有：在通道期间通过现有链条的断开而形成的短聚合物链 的紫外线，以及称为“活化区”的自由基。 本发明还涉及可以使用一种这样的方法化学改性的聚合物基质。

公开(公告)号：WO2010125191A2

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：PCT/EP2010/055923

申请日：2010-04-30

Applicant: COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES ,  BERTHELOT, Thomas ,  BAUDIN, Cécile

Inventor： BERTHELOT, Thomas ,  BAUDIN, Cécile

IPC: C08J3/28 ,  C08J7/12 ,  C08J7/14 ,  C23C18/16 ,  C23C18/18 ,  C08J7/04 ,  C08J7/16

CPC classification number: C23C18/1601 ,  C08J3/28 ,  C08J7/123 ,  C08J7/16 ,  C08J2323/26 ,  C08J2327/18 ,  C23C18/18 ,  C23C18/1844 ,  C23C18/1893 ,  C23C18/2086 ,  Y10T428/1352

Abstract: La présente invention concerne un procédé pour modifier chimiquement, dans son épaisseur, une matrice polymérique choisie parmi les matrices en polymères fluorés et les matrices en polymères aliphatiques, ledit procédé comprenant au moins une étape consistant à irradier ladite matrice par une lumière UV de longueur d'onde inférieure à 300 nm pour générer, dans l'épaisseur de ladite matrice, des zones présentant des chaînes courtes de polymères, formées par scission des chaînes existantes lors du passage du rayonnement UV et présentant des radicaux libres ci- après désignées « zones activées ». La présente invention concerne également la matrice polymérique susceptible d'être modifiée chimiquement par un tel procédé.

Abstract translation: 本发明涉及一种通过其聚合物基体的厚度化学改性聚合物基质的方法，所述聚合物基体选自含氟聚合物基质和脂族聚合物基质。 该方法包括至少一个步骤，其包括用波长小于300nm的UV光照射基质，以便产生基质厚度的区域，该区域具有：在通道期间通过现有链的断裂形成的短聚合物链 的紫外线，以及称为“活化区”的自由基。 本发明还涉及可以使用一种这样的方法化学改性的聚合物基质。

公开(公告)号：WO2010125189A2

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：PCT/EP2010055920

申请日：2010-04-30

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  BERTHELOT THOMAS ,  VIEL PASCAL ,  GARCIA ALEXANDRE ,  ROUSSEL SEBASTIEN

Inventor： BERTHELOT THOMAS ,  VIEL PASCAL ,  GARCIA ALEXANDRE ,  ROUSSEL SEBASTIEN

IPC: C23C18/16 ,  B05D5/00 ,  B05D7/16 ,  C23C18/18

CPC classification number: C23C18/1601 ,  C08J3/28 ,  C08J7/123 ,  C08J7/16 ,  C08J2323/26 ,  C08J2327/18 ,  C23C18/18 ,  C23C18/1844 ,  C23C18/1893 ,  C23C18/2086 ,  Y10T428/1352

Abstract: The invention relates to a method for preparing a metallised substrate, comprising the following steps consisting in: grafting a polymer-type compound to the substrate, said compound optionally having a group capable of chelating at least one metal ion; bringing the aforementioned compound, which is capable of chelating at least one metal ion, into contact with at least one metal ion, exposing said polymer-type compound to conditions that allow the reduction of the chelated metal ion(s) and repeating the chelation/reduction steps until a metallised substrate is obtained. The invention also relates to the resulting substrates and to the uses thereof.

Abstract translation: 本发明涉及一种制备金属化基材的方法，包括以下步骤：将聚合物型化合物接枝到基材上，所述化合物任选具有能螯合至少一种金属离子的基团; 使能够螯合至少一种金属离子的上述化合物与至少一种金属离子接触，将所述聚合物型化合物暴露于允许还原螯合金属离子并重复螯合/ 还原步骤直到获得金属化的基底。 本发明还涉及所得到的基材及其用途。

公开(公告)号：WO2010045639A1

公开(公告)日：2010-04-22

申请号：PCT/US2009/061172

申请日：2009-10-19

Applicant: NCC NANO, LLC ,  SCHRODER, Kurt, A.

Inventor： SCHRODER, Kurt, A.

IPC: H05K1/09

CPC classification number: H05K3/105 ,  C23C18/1601 ,  C23C18/1658 ,  C23C18/1667 ,  C23C18/31 ,  H05K1/0393 ,  H05K2203/087 ,  H05K2203/1157 ,  H05K2203/125 ,  H05K2203/1545

Abstract: A method for reacting thin films on a low-temperature substrate within a reactive atmosphere is disclosed. The thin film contains a reducible metal oxide, and the reactive atmosphere contains a reducing gas such as hydrogen or methane. The low temperature substrate can be polymer, plastic or paper. Multiple light pulses from a high intensity strobe system are used to reduce the metal oxide to metal and to sinter the metal if applicable.

Abstract translation: 公开了一种在反应性气氛中的低温基板上使薄膜反应的方法。 该薄膜含有可还原的金属氧化物，反应气氛中含有还原性气体如氢气或甲烷。 低温基材可以是聚合物，塑料或纸。 来自高强度选通系统的多个光脉冲用于将金属氧化物还原成金属并且如果适用的话将其烧结。

公开(公告)号：WO2010012810A2

公开(公告)日：2010-02-04

申请号：PCT/EP2009/059889

申请日：2009-07-30

Applicant: JET METAL TECHNOLOGIES ,  STREMSDOERFER, Samuel

Inventor： STREMSDOERFER, Samuel

IPC: C23C18/31

CPC classification number: C23C18/1601 ,  C03C17/003 ,  C03C17/10 ,  C23C18/1619 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/18 ,  C23C18/1803 ,  C23C18/2006 ,  C23C18/31 ,  Y10T428/1317 ,  Y10T428/31678

Abstract: La présente invention a pour objet un procédé de métallisation de la surface d'un substrat par voie non électrolytique et par projection d'une ou plusieurs solutions oxydo-réductrices qui soit industriel, automatisable propre, multi-substrat, optimum en adhérence et en aspect décoratif. Pour ce faire le procédé met en œuvre les étapes suivantes : a. traitement physique ou chimique de diminution de la tension de surface du substrat avant métallisation, b. métallisation non électrolytique de la surface du substrat traitée à l'étape a., par projection d'une ou plusieurs solutions oxydo-réductrices sous forme d'aérosol(s), c. réalisation d'une couche de finition sur la surface métallisée. Les dispositifs compacts pour la mise en œuvre de ce procédé est un autre objet de l'invention, ainsi que les produits obtenus, à savoir notamment : les flacons verre creux notamment à usage cosmétique, les pièces d'automobile, les pièces pour la domotique ou pour l'aéronautique et les pièces d'électronique telle une piste conductrice, une antenne d'étiquette radiofréquence ou un revêtement pour un blindage électromagnétique.

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种用于控制本发明的主题的方法。 通过非电解方式和通过投射一种或多种工业化的，可自动清洁的，多种基材，在粘合和外观上最佳的一种或多种氧化还原溶液来对基材表面进行金属化 Décoratif。 要做到这一点，程序是 实施以下步骤：a。 b。在金属化之前降低基材表面张力的物理或化学处理，b。 处理过的基材表面的非电解金属化; 步骤a，通过喷洒一种或多种阿诺洛尔形式的氧化还原溶液，c。 在金属表面上的精整层。 用于执行此过程的紧凑型设备。 是本发明的另一个目的，以及获得的产品，＆amp; 要特别了解：特别是中空玻璃烧瓶; 化妆品用途，汽车零部件，家庭自动化或用于航空和电子部件的房间，如导电轨道，射频空中天线 用于电磁屏蔽的镀层或涂层。

公开(公告)号：WO2009078254A1

公开(公告)日：2009-06-25

申请号：PCT/JP2008/071452

申请日：2008-11-26

Applicant: 日鉱金属株式会社 ,  伊藤 順一 ,  矢部 淳司 ,  関口 淳之輔 ,  伊森 徹

Inventor： 伊藤 順一 ,  矢部 淳司 ,  関口 淳之輔 ,  伊森 徹

IPC: H01L21/3205 ,  C23C18/16 ,  C23C18/18 ,  C23C18/40 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/288 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/288 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/165 ,  C23C18/1601 ,  C23C18/1637 ,  C23C18/165 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/40 ,  C23C18/54 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76874 ,  H01L23/53238 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 　高温加熱時におけるバリア性に優れる、バリア能と触媒能を有する銅拡散防止用バリア膜を有する基板、およびその製造方法を提供することを目的とする。 　基材上に、タングステン、モリブデン及びニオブから選択した１種以上の金属元素と、白金、金、銀、パラジウム等の無電解めっきに対する触媒能を有する金属元素と、前記タングステン、モリブデン及びニオブから選択した１種以上の金属元素との窒化物の形態で含有される窒素からなる銅拡散防止用バリア膜を有することを特徴とする基板。前記銅拡散防止用バリア膜は、タングステン、モリブデン及びニオブから選択した１種以上の金属元素と、前記無電解めっきに対する触媒能を有する金属元素から選択した１種以上の金属元素とを含有するターゲットを用いて、窒素雰囲気中でスパッタリングすることにより製造される。

Abstract translation: 公开了具有防止铜扩散的阻挡膜的基板，其具有阻挡能力和催化能力，同时在高温下加热时的阻隔性优异。 还公开了一种用于制造这种基板的方法。 具体公开了一种基材，其特征在于，在基材上具有防止铜扩散的阻挡膜，其由选自钨，钼和铌的一种或多种金属元素，金，铂，金，银或钯等金属元素构成， 具有化学镀的催化能力，以及选自钨，钼和铌中的一种或多种金属元素的氮化物形式的氮。 用于防止铜扩散的阻挡膜是通过使用含有一种或多种选自钨，钼和铌的金属元素的靶和在选自具有催化能力的金属元素中的一种或多种金属元素在氮气气氛中进行溅射工艺来制造的 用于化学镀。

公开(公告)号：WO2008123767A3

公开(公告)日：2008-12-11

申请号：PCT/MY2008000029

申请日：2008-04-08

Applicant: UNIV MALAYSIA SAINS ,  MOHAMAD IBRAHIM MOHAMAD NASIR ,  SIPAUT COSWALD STEPHEN

Inventor： MOHAMAD IBRAHIM MOHAMAD NASIR ,  SIPAUT COSWALD STEPHEN

IPC: C09D125/00 ,  C08L75/08 ,  C23C18/18

CPC classification number: C08G18/04 ,  C09D4/00 ,  C09D175/04 ,  C23C18/1601 ,  C23C18/1893 ,  C23C18/2086 ,  C23C18/30 ,  C08F222/00

Abstract: Described herein is a coating formulation for non-platable grade substrate prior to undergoing an electroless metal plating process. Said coating formulation comprises of a mixture of multifunctional based monomer and diphenylmetane- 4, 4-diisocyanate (MDI), said multifunctional based monomer has allyl group or alkyl group or vinyl group or ether group or ester group or methacrylate group or acrylate group or phthalate group or combination thereof but does not include multifunctional monomer having hydroxyl group. According to the present invention, the ratio of said multifunctional based monomer is less than or equal (

Abstract translation: 本文描述了在进行无电镀金属电镀工艺之前用于不可镀层的基材的涂料配方。 所述涂料配方由多官能基单体和二苯基甲烷-4,4-二异氰酸酯（MDI）的混合物组成，所述多官能基单体具有烯丙基或烷基或乙烯基或醚基或酯基或甲基丙烯酸酯基或丙烯酸酯基或邻苯二甲酸酯 基团或其组合，但不包括具有羟基的多官能单体。 根据本发明，所述多官能基单体的比例小于或等于二苯基甲烷-4,4-二异氰酸酯（MDI）。 所述涂料配方在真空室中混合约30分钟，然后施加到不可镀层的基材的表面上。

公开(公告)号：WO2008076677A1

公开(公告)日：2008-06-26

申请号：PCT/US2007/086895

申请日：2007-12-08

Applicant: LAM RESEARCH CORPORATION ,  DORDI, Yezdi ,  BOYD, John ,  REDEKER, Fritz ,  THIE, William ,  ARUNAGIRI, Tiruchirapalli ,  YOON, Hyungsuk Alexander

Inventor： DORDI, Yezdi ,  BOYD, John ,  REDEKER, Fritz ,  THIE, William ,  ARUNAGIRI, Tiruchirapalli ,  YOON, Hyungsuk Alexander

IPC: H01L21/28

CPC classification number: C23C8/02 ,  C23C8/80 ,  C23C10/02 ,  C23C10/60 ,  C23C16/54 ,  C23C16/56 ,  C23C18/1601 ,  C23C18/1632 ,  C23C18/54 ,  C23C26/00 ,  C23C28/023 ,  C23C28/322 ,  C23C28/34 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76861 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76873

Abstract: This invention pertains to methods and systems for fabricating semiconductor devices. One aspect of the present invention is a method of depositing a gapfill copper layer onto barrier layer for semiconductor device metallization. In one embodiment, the method includes forming the barrier layer on a surface of a substrate and subjecting the barrier layer to a process condition so as to form a removable passivated surface on the barrier layer. The method further includes removing the passivated surface from the barrier layer and depositing the gapfill copper layer onto the barrier layer. Another aspect of the present invention is an integrated system for depositing a copper layer onto a barrier layer for semiconductor device metallization. In one embodiment, the integrated system comprises at least one process module configured for barrier layer deposition and passivated surface formation and at least one other process module configured for passivated surface removal and deposition of copper onto the barrier layer. The system further includes at least one transfer module coupled so that the substrate can be transferred between the modules substantially without exposure to an oxide-forming environment.

Abstract translation: 本发明涉及用于制造半导体器件的方法和系统。 本发明的一个方面是在用于半导体器件金属化的阻挡层上沉积间隙填充铜层的方法。 在一个实施例中，该方法包括在衬底的表面上形成阻挡层，并使阻挡层经受处理条件，以便在阻挡层上形成可移除的钝化表面。 该方法还包括从阻挡层去除钝化表面并将间隙填充铜层沉积到阻挡层上。 本发明的另一方面是用于在用于半导体器件金属化的阻挡层上沉积铜层的集成系统。 在一个实施例中，集成系统包括被配置用于阻挡层沉积和钝化表面形成的至少一个工艺模块和被配置用于钝化表面去除和沉积到阻挡层上的至少一个其它工艺模块。 所述系统还包括至少一个传送模块，所述至少一个传送模块被耦合，使得所述衬底可以在所述模块之间基本上不被暴露于形成氧化物的环境

公开(公告)号：WO2005090454A1

公开(公告)日：2005-09-29

申请号：PCT/JP2005/006218

申请日：2005-03-24

Applicant: FUJI PHOTO FILM CO., LTD. ,  KANO, Takeyoshi ,  KAWAMURA, Koichi

Inventor： KANO, Takeyoshi ,  KAWAMURA, Koichi

IPC: C08J7/18

CPC classification number: C08J7/12 ,  C08J7/045 ,  C08J7/16 ,  C08J2379/08 ,  C23C18/1601 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/1692 ,  C23C18/2006 ,  C23C18/2086 ,  C23C18/28 ,  C25D5/34 ,  H05K3/389 ,  H05K3/4661 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49156 ,  Y10T29/4921 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/31721

Abstract: The present invention provides a method for forming a surface graft, comprising the process of applying energy to the surface of a substrate containing polyimide having a polymerization initiating moiety in the skeleton thereof, to generate active points on the surface of the substrate and to generate a graft polymer that is directly bonded to the surface of the substrate starting from the active points and that has a polar group, and a surface graft material obtained thereby. The present invention also provides a method for forming a conductive film, comprising the processes of applying energy to the surface of a substrate containing polyimide having a polymerization initiating moiety in the skeleton thereof, to generate active points on the surface of the substrate and to generate a graft polymer that is directly bonded to the surface of the substrate starting from the active points and that has a polar group, and causing a conductive material to adhere to the graft polymer, and a conductive material obtained thereby.

Abstract translation: 本发明提供了一种形成表面接枝物的方法，包括向基体上具有聚合引发部分的含有聚酰亚胺的基材的表面施加能量的方法，以在基材的表面上产生活性点，并产生 从活性点开始并且具有极性基团直接结合到基材表面的接枝聚合物，以及由此获得的表面接枝材料。 本发明还提供一种形成导电膜的方法，其包括在基体上具有聚合引发部分的含有聚酰亚胺的基材的表面施加能量的工序，以在基板的表面产生活性点，并产生 从活性点开始直接键合到基材表面并具有极性基团并使导电材料附着到接枝聚合物上的接枝聚合物，以及由此获得的导电材料。