中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

60 records (took 0.016 seconds)

    PROGRAMMABLE MIT SENSOR USING THE ABRUPT MIT DEVICE, AND ALARM APPARATUS AND SECONDARY BATTERY ANTI-EXPLOSION CIRCUIT INCLUDING THE MIT SENSOR
    31.
    发明申请
    PROGRAMMABLE MIT SENSOR USING THE ABRUPT MIT DEVICE, AND ALARM APPARATUS AND SECONDARY BATTERY ANTI-EXPLOSION CIRCUIT INCLUDING THE MIT SENSOR 审中-公开
    使用破碎麻醉器装置的可编程麻省传感器，以及包括麻省传感器的报警装置和二次电池防爆电路

    公开(公告)号：WO2007142423A1

    公开(公告)日：2007-12-13

    申请号：PCT/KR2007/002614

    申请日：2007-05-30

    Applicant: ELECTRONICS AND TELECOMMUNICATIONS RESEARCH INSTITUTE ,  KIM, Hyun-Tak ,  KIM, Bong-Jun ,  CHAE, Byung-Gyu ,  YUN, Sun-Jin ,  CHOI, Sung-Youl ,  LEE, Yong-Wook ,  LIM, JungWook ,  CHOI, Sang-Kuk ,  KANG, Kwang-Yong

    Inventor： KIM, Hyun-Tak ,  KIM, Bong-Jun ,  CHAE, Byung-Gyu ,  YUN, Sun-Jin ,  CHOI, Sung-Youl ,  LEE, Yong-Wook ,  LIM, JungWook ,  CHOI, Sang-Kuk ,  KANG, Kwang-Yong

    IPC: H01L29/78

    CPC classification number: H01L49/003 ,  G01K3/005

    Abstract: Provided are an abrupt MIT device with variable MIT temperature or voltage, an MIT sensor using the abrupt MIT device, and an alarm apparatus and a secondary battery anti-explosion circuit including the MIT sensor. The MIT device includes an abrupt MIT layer undergoing an abrupt MIT at a transition temperature or a transition voltage and at least two electrode layers contacting the abrupt MIT layer. The transition temperature or the transition voltage varies with at least one of factors including a voltage applied to the electrode layers, a temperature, an electromagnetic wave, a pressure, and a gas concentration that affect the abrupt MIT layer. The MIT sensor is a temperature sensor, an infrared sensor, an image sensor, a pressure sensor, a gas-concentration sensor, or a switch. The alarm apparatus includes the MIT sensor and an alarm-signaling unit connected in series with the MIT sensor. The secondary battery anti-explosion circuit includes a secondary battery, the MIT sensor attached to the secondary battery to sense the temperature of the secondary battery and thus to prevent the possible explosion of the secondary battery, and a protection circuit body powered by the secondary battery.

    Abstract translation: 提供了具有可变MIT温度或电压的突发MIT装置，使用突发MIT装置的MIT传感器以及包括MIT传感器的报警装置和二次电池防爆电路。 MIT装置包括在转变温度或转变电压下经历突变MIT的突变MIT层和与突变MIT层接触的至少两个电极层。 转变温度或转变电压随着包括施加在电极层上的电压，温度，电磁波，压力和影响突发MIT层的气体浓度的因素中的至少一个而变化。 MIT传感器是温度传感器，红外传感器，图像传感器，压力传感器，气体浓度传感器或开关。 报警装置包括MIT传感器和与MIT传感器串联连接的报警信号单元。 二次电池防爆电路包括二次电池，MIT传感器附接到二次电池以感测二次电池的温度，从而防止二次电池的可能的爆炸，以及由二次电池供电的保护电路体 。

    ABRUPT METAL-INSULATOR TRANSITION DEVICE, CIRCUIT FOR REMOVING HIGH-VOLTAGE NOISE USING THE ABRUPT METAL-INSULATOR TRANSITION DEVICE, AND ELECTRICAL AND/OR ELECTRONIC SYSTEM COMPRISING THE CIRCUIT
    33.
    发明申请
    ABRUPT METAL-INSULATOR TRANSITION DEVICE, CIRCUIT FOR REMOVING HIGH-VOLTAGE NOISE USING THE ABRUPT METAL-INSULATOR TRANSITION DEVICE, AND ELECTRICAL AND/OR ELECTRONIC SYSTEM COMPRISING THE CIRCUIT 审中-公开
    用于使用破坏金属绝缘体过渡装置以及包括电路的电气和/或电子系统来消除高压噪声的电路的绝缘金属绝缘体过渡装置

    公开(公告)号：WO2007013724A1

    公开(公告)日：2007-02-01

    申请号：PCT/KR2006/001249

    申请日：2006-04-05

    Applicant: ELECTRONICS AND TELECOMMUNICATIONS RESEARCH INSTITUTE ,  KIM, Hyun-Tak ,  KANG, Kwang-Yong ,  KIM, Bong-Jun ,  LEE, Yong-Wook ,  YUN, Sun-Jin ,  CHAE, Byung-Gyu ,  KIM, Gyung-Ock

    Inventor： KIM, Hyun-Tak ,  KANG, Kwang-Yong ,  KIM, Bong-Jun ,  LEE, Yong-Wook ,  YUN, Sun-Jin ,  CHAE, Byung-Gyu ,  KIM, Gyung-Ock

    IPC: H02H7/22

    CPC classification number: H01L49/003

    Abstract: Provided are an abrupt metal-insulator transition (MIT) device for bypassing super-high voltage noise to protect an electric and/or electronic system, such as, a high-voltage switch, from a super-high voltage, a high-voltage noise removing circuit for bypassing the super-high voltage noise using the abrupt MIT device, and an electric and/or electronic system including the high-voltage noise removing circuit. The abrupt MIT device includes a substrate, a first abrupt MIT structure, and a second abrupt MIT structure. The first and second abrupt MIT structures are formed on an upper surface and a lower surface, respectively, of the substrate. The high-voltage noise removing circuit includes an abrupt MIT device chain connected in parallel to the electric and/or electronic system to be protected. The abrupt MIT device chain includes at least two abrupt MIT devices serially connected to each other.

    Abstract translation: 提供了用于绕过超高压噪声以保护诸如高压开关的电和/或电子系统的突发金属 - 绝缘体转变（MIT）装置，从超高电压，高压噪声 使用突发MIT装置绕过超高压噪声的除电路，以及包括高压噪声去除电路的电气和/或电子系统。 突变MIT装置包括基板，第一突发MIT结构和第二突发MIT结构。 第一和第二突变MIT结构分别形成在基板的上表面和下表面上。 高电压噪声去除电路包括与要保护的电和/或电子系统并联连接的突变MIT装置链。 突发MIT设备链包括彼此串行连接的至少两个突发MIT设备。

    MULTIPLE IMPEDANCE CORRELATED ELECTRON SWITCH STRUCTURE
    35.
    发明申请
    MULTIPLE IMPEDANCE CORRELATED ELECTRON SWITCH STRUCTURE 审中-公开
    多种阻抗相关电子开关结构

    公开(公告)号：WO2017055851A1

    公开(公告)日：2017-04-06

    申请号：PCT/GB2016/053033

    申请日：2016-09-29

    Applicant: ARM LTD

    Inventor： SHIFREN, Lucian

    IPC: H01L27/24

    CPC classification number: H01L49/003 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/14 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1683

    Abstract: The proposed apparatus comprises correlated electron switches (455, 475) positioned between metallization layers (440) of an integrated circuit structure (400), wherein the correlated electron switches comprise one or more correlated electron materials of substantially different impedance characteristics, particularly in a three-dimensional memory array configuration.

    Abstract translation: 所提出的装置包括位于集成电路结构（400）的金属化层（440）之间的相关电子开关（455,475），其中相关的电子开关包括一个或多个具有实质上不同阻抗特性的相关电子材料，特别是在三 维数内存阵列配置。

    電子装置
    36.
    发明申请
    電子装置 审中-公开
    电子设备

    公开(公告)号：WO2016059941A1

    公开(公告)日：2016-04-21

    申请号：PCT/JP2015/076529

    申请日：2015-09-17

    Applicant: 株式会社豊田中央研究所

    Inventor： 齊藤　友美 ,  勝野　高志 ,  上杉　勉

    IPC: H01L45/00 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

    CPC classification number: H01L45/147 ,  H01L27/20 ,  H01L29/786 ,  H01L41/0973 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1253 ,  H01L49/003

    Abstract: 　電子装置は、基板、チャネル部、第１電極、第２電極及び形状変化生成部を備える。チャネル部は、基板上に設けられており、形状変化により金属相と絶縁体相の間を相転移する相転移材料を含む。第１電極は、チャネル部上に設けられており、チャネル部の上面の一部に電気的に接続する。第２電極は、チャネル部上に設けられており、チャネル部の上面の他の一部に電気的に接続する。形状変化生成部は、チャネル部に形状変化を起こさせるように構成されている。

    Abstract translation: 该电子装置设置有基板，通道部，第一电极，第二电极和形状变化产生部。 通道部分设置在基板上，并且包含由于形状变化而在金属相和绝缘体相之间相变的相变材料。 第一电极设置在通道部分上，并且电连接到通道部分的上表面的一部分。 第二电极设置在通道部分上，并且电连接到通道部分的上表面的另一部分。 形状变化生成部构造为使得通道部形成变化。

    TUNNELING FIELD EFFECT TRANSISTORS WITH A VARIABLE BANDGAP CHANNEL
    37.
    发明申请
    TUNNELING FIELD EFFECT TRANSISTORS WITH A VARIABLE BANDGAP CHANNEL 审中-公开
    具有可变带宽通道的隧道场效应晶体管

    公开(公告)号：WO2015147849A1

    公开(公告)日：2015-10-01

    申请号：PCT/US2014/032117

    申请日：2014-03-28

    Applicant: INTEL CORPORATION ,  AVCI, Uygar E. ,  NIKONOV, Dmitri E. ,  YOUNG, Ian A.

    Inventor： AVCI, Uygar E. ,  NIKONOV, Dmitri E. ,  YOUNG, Ian A.

    IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

    CPC classification number: H01L29/66977 ,  H01L25/16 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1025 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/78648 ,  H01L49/003

    Abstract: Tunneling field effect transistors (TFETs) including a variable bandgap channel are described. In some embodiments, one or more bandgap characteristics of the variable bandgap channel may be dynamically altered by at least one of the application or withdrawal of a force, such as a voltage or electric field. In some embodiments the variable bandgap channel may be configured to modulate from an ON to an OFF state and vice versa in response to the application and/or withdrawal of a force. The variable bandgap channel may exhibit a bandgap that is smaller in the ON state than in the OFF state. As a result, the TFETs may exhibit one or more of relatively high on current, relatively low off current, and sub-threshold swing below 60 mV/decade.

    Abstract translation: 描述包括可变带隙通道的隧穿场效应晶体管（TFET）。 在一些实施例中，可变带隙通道的一个或多个带隙特性可以通过施加或取出诸如电压或电场的力中的至少一个来动态改变。 在一些实施例中，可变带隙通道可以被配置成响应于施加和/或撤回力而从接通到关闭状态和反之亦然。 可变带隙通道可以表现出在ON状态下比在OFF状态下更小的带隙。 结果，TFET可以呈现出一个或多个相对较高的导通电流，相对低的截止电流以及低于60mV /十倍的次阈值摆幅。

    HIGH PERFORMANCE TOPOLOGICAL INSULATOR TRANSISTORS
    38.
    发明申请
    HIGH PERFORMANCE TOPOLOGICAL INSULATOR TRANSISTORS 审中-公开
    高性能拓扑绝缘子晶体管

    公开(公告)号：WO2014093681A3

    公开(公告)日：2014-08-07

    申请号：PCT/US2013074773

    申请日：2013-12-12

    Applicant: QILIANG LI ,  RICHTER CURT A ,  ZHU HAO

    Inventor： QILIANG LI ,  RICHTER CURT A ,  ZHU HAO

    IPC: H01L29/66

    CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/66984 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/82 ,  H01L49/003

    Abstract: Topological insulators, such as single-crystal Bi2Se3 nanowires, can be used as the conduction channel in high-performance transistors, a basic circuit building block. Such transistors exhibit current- voltage characteristics superior to semiconductor nanowire transistors, including sharp turn-on, nearly zero cutoff current, very large On/Off current ratio, and well-saturated output current. The metallic electron transport at the surface with good effective mobility can be effectively separated from the conduction of the bulk topological insulator and adjusted by field effect at a small gate voltage. Topological insulators such as Bi2Se3; also have a magneto-electric effect that causes transistor threshold voltage shifts with external magnetic field. These properties are desirable for numerous microelectronic and nanoelectronic circuitry applications, among other applications.

    Abstract translation: 拓扑绝缘体，如单晶Bi2Se3纳米线，可用作高性能晶体管的导通通道，一个基本的电路构建块。 这种晶体管表现出优于半导体纳米线晶体管的电流 - 电压特性，包括尖锐导通，接近零截止电流，非常大的导通/截止电流比以及饱和输出电流。 具有良好有效迁移率的表面上的金属电子传输可以有效地与体拓扑绝缘体的传导分离，并且通过在较小栅极电压下的场效应进行调节。 拓扑绝缘子，如Bi2Se3; 也具有使外部磁场产生晶体管阈值电压偏移的磁电效应。 除了其他应用之外，这些性质对于许多微电子和纳米电子电路应用是理想的。

    マンガン酸化物薄膜積層体および酸化物積層体
    39.
    发明申请
    マンガン酸化物薄膜積層体および酸化物積層体 审中-公开
    锰氧化物薄膜和氧化物层压板

    公开(公告)号：WO2013121660A1

    公开(公告)日：2013-08-22

    申请号：PCT/JP2012/081761

    申请日：2012-12-07

    Applicant: 富士電機株式会社

    Inventor： 荻本　泰史

    IPC: C30B29/68 ,  C01G45/00 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C30B29/22 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

    CPC classification number: C30B23/02 ,  C01G45/1264 ,  C30B29/22 ,  C30B29/68 ,  H01L49/003

    Abstract: 　室温でモット転移により相転移しスイッチング機能を実現する薄膜または積層体を提供する。互いに接している第１マンガン酸化物薄膜２０と第２マンガン酸化物薄膜２１とを備え基板１の面の上に形成されたマンガン酸化物薄膜積層体が提供される。第１マンガン酸化物薄膜の材質ではバルクでの単位胞体積の３乗根が基板の格子定数よりも大きいのに対し、第２マンガン酸化物の材質では小さい。第１および第２マンガン酸化物薄膜の材質は、組成式ＲＭｎＯ ３ および組成式ＬＭｎＯ ３ （ただし、ＲおよびＬは、いずれもランタノイドから選択される少なくとも１種の、互いに異なるように選択される３価の希土類元素）である。両マンガン酸化物薄膜では、Ｒ（Ｌ）を含みＭｎを含まない原子層とＭｎを含みＲを含まない原子層が基板面の垂直方向に向かって交互に積層され、互いに非等価な２つの結晶軸を基板面の面内方向に有している。

    Abstract translation: 提供了一种薄膜或层压板，它们在室温下通过Mott过渡进行相变以实现切换功能。 本发明提供一种形成在基板（1）的表面上并具有彼此接触的第一锰氧化物薄膜（20）和第二氧化锰薄膜（21）的氧化锰薄膜层压体。 在第一种氧化锰薄膜的材料中，本体中单元电池体积的立方根大于基板的晶格常数，但在第二氧化锰薄膜的材料中较小。 第一和第二氧化锰薄膜的材料具有组成式RMnO3和LMnO3（其中R和L各自为至少一种相互不同的选自镧系元素的三价稀土元素）。 在两种氧化锰薄膜中，含有R（L）且不含Mn的原子层和含有Mn且不含R的原子层交替地层叠在基板表面的垂直方向上，并且存在两个非等效晶体 轴在基板表面的面内方向上。

    금속-절연체 전이 3 단자 소자와 그를 구비한 전기 전자 시스템 및 그에 따른 정전기 잡음 신호 제거 방법
    40.
    发明申请
    금속-절연체 전이 3 단자 소자와 그를 구비한 전기 전자 시스템 및 그에 따른 정전기 잡음 신호 제거 방법 审中-公开
    用于金属绝缘体过渡的三端装置，包括其的电气和电子系统以及用于去除静电噪声信号的方法

    公开(公告)号：WO2013066006A1

    公开(公告)日：2013-05-10

    申请号：PCT/KR2012/008886

    申请日：2012-10-26

    Applicant: 한국전자통신연구원

    Inventor： 김현탁 ,  김봉준 ,  최정용 ,  박종찬

    IPC: H01L27/04 ,  H01L29/08

    CPC classification number: H01L49/003 ,  H01L27/0248

    Abstract: 본 발명은 Hole-driven MIT 이론에 근거한 MIT 3 단자 소자인 t-switch의 구현과 t-switch의 응용인 ElectroStatic Discharge (ESD) 잡음 신호를 제거하는 기술을 보여준다. t-switch는 Inlet, Outlet, Control의 3단자로 구성되며 MIT(금속-절연체 전이, 불연속 점프)는 Control 단자에 흐르는 전류에 의해 Outlet 층에서 일어난다. t-switch는 Control 단자에 고저항이 연결되어 Inlet-Outlet으로 소자의 파괴없이 고전류 고전압의 ESD신호가 흐르도록 한다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种基于空穴驱动的MIT理论和用于去除静电放电（ESD）噪声信号的技术来实现用于MIT的三端子装置的t开关的方法，其中， 是t开关的技术应用。 t开关包括由入口，出口和控制端子组成的三个端子。 通过电流流入控制端子，MIT（金属 - 绝缘体转变，不连续跳跃）发生在出口层。 t开关的高电阻连接到控制端子，使得高电流高电压ESD信号流入入口端子而不损坏装置。

Patent Agency Ranking