무소결 MIM 커패시터 및 그 제조 방법
    48.
    发明申请
    무소결 MIM 커패시터 및 그 제조 방법 审中-公开
    非烧结MIM电容器及其制造方法

    公开(公告)号:WO2011126169A1

    公开(公告)日:2011-10-13

    申请号:PCT/KR2010/002275

    申请日:2010-04-13

    IPC分类号: H01G4/12

    摘要: 무소결 MIM 커패시터(Metal-Insulator-Metal Capacitor) 및 그 제조 방법에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 MIM 커패시터 제조 방법은 하부 금속-절연체-상부 금속을 제조하되, 상기 절연체(Insulator)는, 스몰 파우더(small powder)와 상기 스몰 파우더보다 더 큰 평균 입경을 갖는 라지 파우더(large powder)를 포함하는 고유전성 세라믹 파우더, 고분자 수지 및 용매를 포함하는 세라믹-고분자 조성물을 마련하는 단계; 상기 세라믹-고분자 조성물을 상기 하부 금속 위에 도포하여 세라믹-고분자 막을 형성하는 단계; 및 상기 형성된 세라믹-고분자 막 내의 고분자 수지를 경화시키는 단계를 포함하여, 무소결(non-sintering) 방식으로 형성되는 것을 특징으로 한다.

    摘要翻译: 公开了一种非烧结金属 - 绝缘体 - 金属(MIM)电容器及其制造方法。 根据本发明,一种制造MIM电容器的方法,其中以非烧结方式制造下金属绝缘体上金属,其中所述绝缘体以非烧结形式形成,包括以下步骤:制备 包含高介电陶瓷粉末的陶瓷 - 聚合物组合物,其包括小粉末颗粒和具有比小粉末颗粒更大的平均直径的大粉末颗粒,聚合物树脂和溶剂; 通过将所述陶瓷 -​​ 聚合物组合物施加到下部金属上形成陶瓷 - 聚合物膜; 并在形成的陶瓷 - 聚合物膜内硬化聚合物树脂。