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    半導体素子及び絶縁層形成用組成物
    51.
    发明申请
    半導体素子及び絶縁層形成用組成物 审中-公开
    半导体元件和绝缘层形成组合物

    公开(公告)号：WO2015170577A1

    公开(公告)日：2015-11-12

    申请号：PCT/JP2015/062066

    申请日：2015-04-21

    申请人： 富士フイルム株式会社

    发明人： 永田　裕三 ,  滝沢　裕雄 ,  山田　悟

    IPC分类号： H01L51/30 ,  C08F212/14 ,  C08F220/02 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05

    CPC分类号： H01L51/004 ,  C08F220/06 ,  C08F220/18 ,  C08F220/28 ,  C08F220/32 ,  C08F2220/285 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0545

    摘要： 　半導体層と該半導体層に隣接する絶縁層とを有する半導体素子であって、絶縁層が下記一般式（ＩＡ）で表される繰り返し単位（ＩＡ）と下記一般式（ＩＢ）で表される繰り返し単位（ＩＢ）とを有する高分子化合物の架橋物で形成されている半導体素子、並びに、半導体素子の絶縁層を形成するための絶縁層形成用組成物であって下記繰り返し構造（ＩＡ）及び（ＩＢ）を有する高分子化合物を含有する絶縁層形成用組成物。　一般式中、Ｒ １ａ 及びＲ １ｂ は各々独立に水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。Ｌ １ａ 、Ｌ ２ａ 及びＬ １ｂ は各々独立に単結合又は連結基を表す。Ｘは架橋性基を表し、Ｙ Ｂ は分解性基又は水素原子を表す。ｍ１ａ及びｍ２ａは各々独立に１～５の整数を表す。＊は前記繰り返し単位の結合位置を示す。

    摘要翻译： 一种半导体元件，其包括半导体层和与所述半导体层相邻的绝缘层，并且其中所述绝缘层由具有由通式（IA）表示的重复单元（IA）的高分子化合物的交联产物形成， 和由通式（IB）表示的重复单元（IB）; 和用于形成半导体元件的绝缘层的绝缘层形成组合物，其含有具有重复结构（IA）和（IB）的高分子化合物。 （通式中，R 1a和R 1b各自独立地表示氢原子，卤素原子或烷基，L1a，L2a和L1b各自独立地表示单键或连接基; X表示交联性基团，YB表示 可分解基团或氢原子; m1a和m2a各自独立地表示1-5的整数，并且每个*表示重复单元的键合位置。

    薄膜トランジスタ
    52.
    发明申请
    薄膜トランジスタ 审中-公开
    薄膜晶体管

    公开(公告)号：WO2015045288A1

    公开(公告)日：2015-04-02

    申请号：PCT/JP2014/004565

    申请日：2014-09-04

    申请人： 凸版印刷株式会社

    发明人： 今村　ちひろ

    IPC分类号： H01L51/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05

    CPC分类号： H01L51/0558 ,  H01L51/0004 ,  H01L51/0007 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0545

    摘要： 　有機半導体層とソース電極及びドレイン電極との接触面積が広く、高いオン電流が得られる薄膜トランジスタを提供することを目的とする。薄膜トランジスタは、絶縁基板上に少なくともゲート電極と、ゲート絶縁層と、ソース電極及びドレイン電極と、有機半導体層とを有し、ソース電極及びドレイン電極は少なくとも１種以上の金属から構成され、有機半導体層はソース電極及びドレイン電極を構成する金属イオンと結合する化合物を含有する。

    摘要翻译： 本发明的目的是提供一种在有机半导体层与源电极和漏电极之间具有大的接触面积的薄膜晶体管，并且可以获得高的导通电流。 该薄膜晶体管至少在绝缘基板上具有栅电极，栅极绝缘层，源电极和漏电极以及有机半导体层。 源电极和漏电极由至少一种金属构成，有机半导体层含有与构成源电极和漏电极的金属离子结合的化合物。

    FULLY-PRINTED CARBON NANOTUBE THIN FILM TRANSISTOR CIRCUITS FOR ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE
    55.
    发明申请
    FULLY-PRINTED CARBON NANOTUBE THIN FILM TRANSISTOR CIRCUITS FOR ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE 审中-公开
    用于有机发光二极管的全自动碳纳米管薄膜晶体管电路

    公开(公告)号：WO2014116316A3

    公开(公告)日：2014-08-28

    申请号：PCT/US2013067886

    申请日：2013-10-31

    申请人： ZHOU CHONGWU ,  GALATSIS KOSMAS ,  CHEN POCHIANG ,  FU YUE

    发明人： ZHOU CHONGWU ,  GALATSIS KOSMAS ,  CHEN POCHIANG ,  FU YUE

    IPC分类号： H01L29/08

    CPC分类号： H01L27/3274 ,  H01L29/1606 ,  H01L51/0004 ,  H01L51/0034 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0096 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/055 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/105

    摘要： The subject technology relates to a method including steps for disposing a first electrically conductive material on a substrate to form a first layer of electrodes on the substrate, wherein the first layer includes a source electrode and a drain electrode, and printing a film including carbon nanotubes between the source electrode and the drain electrode, thereby defining at least a first interface between the carbon nanotube film and the source electrode and a second interface between the carbon nanotube film and drain electrode. In certain aspects, the method can further include steps for disposing a second electrically conductive material over the first interface between the carbon nanotube film and the source electrode and the second interface between the carbon nanotube film and the drain electrode. In certain aspects, a transistor device is also provided.

    摘要翻译： 本技术涉及一种方法，包括以下步骤：在衬底上设置第一导电材料，以在衬底上形成第一电极层，其中第一层包括源电极和漏电极，以及印刷包括碳纳米管 在源电极和漏极之间形成至少第一界面，并且在碳纳米管膜和漏电极之间形成第二界面。 在某些方面，该方法还可以包括在碳纳米管膜和源电极之间的第一界面和碳纳米管膜和漏电极之间的第二界面上设置第二导电材料的步骤。 在某些方面，还提供了晶体管器件。

    COATING MATERIALS FOR OXIDE THIN FILM TRANSISTORS
    59.
    发明申请
    COATING MATERIALS FOR OXIDE THIN FILM TRANSISTORS 审中-公开
    氧化物薄膜晶体管涂层材料

    公开(公告)号：WO2014011935A1

    公开(公告)日：2014-01-16

    申请号：PCT/US2013/050157

    申请日：2013-07-11

    申请人： POLYERA CORPORATION

    发明人： FACCHETTI, Antonio ,  SHEETS, William, Christopher ,  FRYE, Don ,  WANG, Jingqi ,  HSIAO, Chung-Chin ,  WANG, Ming-Huei

    IPC分类号： H01L29/786

    CPC分类号： H01L29/78693 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L51/0034 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0545

    摘要： The present teachings provide a coating composition (a passivation formulation) for preparing a coating material in a metal oxide thin film transistor, where the coating material comprises a blend including a crosslinkable component and a stabilizing agent. Incorporation of a stabilizing agent according to the present teachings in the coating material can lead to improved device performance of the metal oxide thin film transistor, in particular, reduced shift in the threshold voltage and long-term bias-stress stability.

    摘要翻译： 本教导提供了用于在金属氧化物薄膜晶体管中制备涂层材料的涂料组合物（钝化剂），其中涂料包含包含可交联组分和稳定剂的共混物。 根据本发明的稳定剂在涂料中的引入可以导致金属氧化物薄膜晶体管的器件性能的提高，特别是阈值电压的偏移和长期的偏压 - 应力稳定性的降低。

    METHOD OF FORMING A TOP GATE TRANSISTOR
    60.
    发明申请
    METHOD OF FORMING A TOP GATE TRANSISTOR 审中-公开
    形成顶栅晶体管的方法

    公开(公告)号：WO2013011257A1

    公开(公告)日：2013-01-24

    申请号：PCT/GB2012/000594

    申请日：2012-07-13

    申请人： CAMBRIDGE DISPLAY TECHNOLOGY LIMITED ,  FLEISSNER, Arne

    发明人： FLEISSNER, Arne

    IPC分类号： H01L51/05 ,  H01L51/00

    CPC分类号： H01L51/0508 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/055

    摘要： A method of forming a top-gate transistor over a substrate comprises: forming a source and a drain electrode; forming an organic stack over the source and drain electrodes comprising an organic semiconductor layer and an organic dielectric layer over the organic semiconductor layer; forming a gate bi-layer electrode comprising a first layer of a first material and a second layer of a different second material; selectively depositing regions of a mask material over the gate bi-layer electrode; performing a first plasma etch step to remove portions of the first gate layer using the mask material as a mask; and performing a second plasma etch step to remove portions of the second gate layer and organic stack using the first gate layer as a mask, thereby patterning the gate bi-layer electrode and the organic stack.

    摘要翻译： 在衬底上形成顶栅极晶体管的方法包括：形成源极和漏极; 在有机半导体层上形成包括有机半导体层和有机电介质层的源电极和漏电极上的有机叠层; 形成栅极双层电极，其包括第一材料的第一层和不同的第二材料的第二层; 选择性地将掩模材料的区域沉积在栅极双层电极上; 执行第一等离子体蚀刻步骤以使用掩模材料作为掩模去除第一栅极层的部分; 以及使用所述第一栅极层作为掩模来执行第二等离子体蚀刻步骤以去除所述第二栅极层和有机堆叠的部分，从而构图所述栅极双层电极和所述有机堆叠。