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    バイオチップ用基板及びその製造方法
    61.
    发明申请
    バイオチップ用基板及びその製造方法 审中-公开
    生物体基质及其生产方法

    公开(公告)号：WO2014109312A1

    公开(公告)日：2014-07-17

    申请号：PCT/JP2014/050071

    申请日：2014-01-07

    Applicant: 日本軽金属株式会社

    Inventor： 竹林　恭志 ,  森下　亮 ,  山口　圭

    IPC: G01N33/543 ,  G01N33/53

    CPC classification number: B01J19/0046 ,  B01J2219/00527 ,  B01J2219/00529 ,  B01L3/502707 ,  C12Q1/6837 ,  C12Q1/6876 ,  G01N33/54366 ,  G01N33/54393

    Abstract: 要約　少なくとも表面がカーボンから成る基板上にカルボキシル基が固定化されたバイオチップ用基板及びその製造方法が開示されている。バイオチップ用基板は、少なくとも表面が炭素から成る基板と、この表面上に固定化された、分子構造中に遊離のカルボキシル基を持つアクリル系ポリマーとを含む。この基板の製造方法は、少なくとも表面が炭素から成る基板に、分子構造中に遊離のカルボキシル基を持つアクリル系ポリマーを接触させた状態で紫外線照射することを含む。

    Abstract translation: 公开了一种用于生物芯片的基材，其中羧基固定在基材上，至少其表面由碳形成; 以及生物芯片用基板的制造方法。 用于生物芯片的该基材包括：至少其表面由碳形成的基材; 和固定在该基板的表面上且在分子结构中具有游离羧基的丙烯酸类聚合物。 用于制备生物芯片的基板的方法包括其中分子结构中具有游离羧基的丙烯酸类聚合物用紫外线照射，同时与基材保持接触，至少其表面由碳形成的方法。

    ISFET SENSOR ARRAY COMPRISING TITANIUM NITRIDE AS A SENSING LAYER LOCATED ON THE BOTTOM OF A MICROWELL STRUCTURE
    65.
    发明申请
    ISFET SENSOR ARRAY COMPRISING TITANIUM NITRIDE AS A SENSING LAYER LOCATED ON THE BOTTOM OF A MICROWELL STRUCTURE 审中-公开
    ISFET传感器阵列包含硝酸铁作为位于MICROWELL结构底部的传感层

    公开(公告)号：WO2013109886A8

    公开(公告)日：2014-02-27

    申请号：PCT/US2013022140

    申请日：2013-01-18

    Applicant: LIFE TECHNOLOGIES CORP ,  BUSTILLO JAMES ,  REARICK TODD ,  HINZ WOLFGANG ,  FIFE KEITH

    Inventor： BUSTILLO JAMES ,  REARICK TODD ,  HINZ WOLFGANG ,  FIFE KEITH

    IPC: G01N27/414

    CPC classification number: B01L3/5027 ,  B01L3/502707 ,  B01L2200/0668 ,  B01L2300/0636 ,  B01L2300/0645 ,  B01L2300/0819 ,  B01L2300/0877 ,  B01L2300/0893 ,  G01N27/4145

    Abstract: A method of fabricating a microwell in an array structure is disclosed herein. The array structure includes a plurality of field effect transistors (FETs), where each FET has a gate structure. The method includes disposing a titanium nitride (TiN) layer on at least one conductive layer coupled to the gate structure of at least one FET. A insulation layer is disposed on the array structure, where the insulation layer lies above the TiN layer. Further, an opening above the gate structure of the at least one FET is etched to remove the insulation layer above the gate structure and to expose the TiN layer. A microwell with at least one sidewall formed from the insulation layer and with a bottom surface formed from the TiN layer is a result of the etching process. The gate structure is specified as a floating gate structure and the FET is an ISFET.

    Abstract translation: 本文公开了一种制造阵列结构中的微孔的方法。 阵列结构包括多个场效应晶体管（FET），其中每个FET具有栅极结构。 该方法包括在耦合到至少一个FET的栅极结构的至少一个导电层上设置氮化钛（TiN）层。 绝缘层设置在阵列结构上，其中绝缘层位于TiN层上方。 此外，蚀刻至少一个FET的栅极结构之上的开口以去除栅极结构上方的绝缘层并暴露TiN层。 具有由绝缘层形成的至少一个侧壁和由TiN层形成的底表面的微孔是蚀刻工艺的结果。 栅极结构被指定为浮置栅极结构，FET是ISFET。

    FLEXIBLE DNA SENSOR CARRIER AND METHOD
    67.
    发明申请
    FLEXIBLE DNA SENSOR CARRIER AND METHOD 审中-公开
    灵活的DNA传感器载体和方法

    公开(公告)号：WO2014008518A1

    公开(公告)日：2014-01-16

    申请号：PCT/AT2012/000182

    申请日：2012-07-10

    Applicant: LEXOGEN GMBH ,  REDA, Thorsten ,  HOLLÄNDER, Igor

    Inventor： REDA, Thorsten ,  HOLLÄNDER, Igor

    IPC: G01N33/543 ,  B01L3/00

    CPC classification number: C12Q1/6837 ,  B01L3/502707 ,  B01L3/502715 ,  B01L7/52 ,  B01L9/527 ,  B01L2200/025 ,  B01L2200/0689 ,  B01L2300/0636 ,  B01L2300/0645 ,  B01L2300/0654 ,  B01L2300/0816 ,  B01L2300/123 ,  G01N27/02

    Abstract: The invention relates to a sensor carrier comprising a flexible film (1) comprising a plurality of functionalized sensor elements (4) each being formed by a functional layer, wherein the functional layers are located on the same surface of the film (1) within a window area (6), wherein a region (7) of each of the functional layers of the sensor elements (4) is functionalized, and wherein one or more sensor compounds (5) are arranged or located in the respective functionalized regions (7) of the sensor elements (4).

    Abstract translation: 本发明涉及一种传感器载体，其包括柔性膜（1），其包括多个功能化的传感器元件（4），每个功能化传感器元件由功能层形成，其中功能层位于膜（1）的同一表面上， 窗口区域（6），其中传感器元件（4）的每个功能层的区域（7）被功能化，并且其中一个或多个传感器化合物（5）被布置或位于各个功能化区域（7）中， 的传感器元件（4）。

    POROUS MEMBRANE APPARATUS, METHOD, AND APPLICATIONS
    68.
    发明申请
    POROUS MEMBRANE APPARATUS, METHOD, AND APPLICATIONS 审中-公开
    多孔膜装置，方法和应用

    公开(公告)号：WO2014008358A1

    公开(公告)日：2014-01-09

    申请号：PCT/US2013/049255

    申请日：2013-07-03

    Applicant: CORNELL UNIVERSITY

    Inventor： ESCH, Mandy B.

    IPC: C12M3/00 ,  C12M1/18

    CPC classification number: B01L3/502707 ,  B01L2200/0647 ,  B01L2200/10 ,  B01L2200/12 ,  C12M23/16 ,  C12M25/02 ,  C12M25/14 ,  G03F7/2022

    Abstract: Microporous membranes formed in a microfluidic device, and methods of manufacture. A method comprises the steps of etching a plurality of pillars in a microfluidic chamber, applying a first polymer material layer, applying a photoresist layer, exposing the photoresist layer to radiation to cross-link it to the microfluidic chamber, masking the photoresist layer with a porous mask, exposing the top layer of the masked photoresist layer to radiation to form a porous membrane layer of cross-linked photoresist material, removing the non-exposed photoresist material from under the porous membrane layer, drying the porous membrane layer, and removing the first polymer material from under the porous membrane layer.

    Abstract translation: 在微流体装置中形成的微孔膜及其制造方法。 一种方法包括以下步骤：在微流体室中蚀刻多个柱，施加第一聚合物材料层，施加光致抗蚀剂层，将光致抗蚀剂层暴露于辐射以将其交联到微流体室，用 将掩蔽的光致抗蚀剂层的顶层暴露于辐射以形成交联光致抗蚀剂材料的多孔膜层，从多孔膜层下面除去未曝光的光致抗蚀剂材料，干燥多孔膜层，并除去 从多孔膜层下面的第一种聚合物材料。

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