酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット
    77.
    发明申请
    酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット 审中-公开
    氧化物烧结紧凑和溅射目标

    公开(公告)号:WO2012096267A1

    公开(公告)日:2012-07-19

    申请号:PCT/JP2012/050296

    申请日:2012-01-11

    摘要:  本発明の酸化物焼結体は、酸化インジウムと;酸化ガリウムと;酸化亜鉛と;Si、Ni、およびHfよりなる群から選択される少なくとも一種の金属(M金属)の酸化物の各粉末と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、酸化物焼結体をX線回折したとき、(1)InGaZnO 4 を主相とし、M金属の少なくとも一部は前記InGaZnO 4 に固溶しており、且つ、(2)ZnM x O y 相およびM x O y 相(x、yは任意の整数である)は検出されないものである。本発明によれば、表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高い導電性と相対密度を兼ね備えた酸化物半導体膜を成膜可能な酸化物焼結体を提供することができた。

    摘要翻译: 本发明的氧化物烧结体是将氧化铟,氧化镓,氧化锌和至少一种金属(金属(M))的氧化物的粉末混合并烧结得到的氧化物烧结体,所述金属(金属(M))选自: 的Si,Ni和Hf。 当氧化物烧结体进行X射线衍射时,(1)InGaZnO4是主相,并且至少一些金属(M)是InGaZnO 4中的固溶体,和(2)ZnM x O y相和M x O y相( 其中x和y是任意整数)。 根据本发明,可以提供一种氧化物烧结体,该氧化物烧结体是制造用于显示装置的氧化物半导体膜的理想选择,其能够形成具有高导电性和相对密度的氧化物半导体膜。