公开(公告)号：WO2009111149A1

公开(公告)日：2009-09-11

申请号：PCT/US2009/034000

申请日：2009-02-13

申请人： ALIS CORPORATION ,  NOTTE IV, John V.

发明人： NOTTE IV, John V.

IPC分类号： H01J37/08 ,  H01J27/26 ,  H01J37/065 ,  H01J37/26 ,  H01J37/30

CPC分类号： H01J49/168 ,  H01J27/26 ,  H01J37/065 ,  H01J37/08 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/06341 ,  H01J2237/0807 ,  H01J2237/28

摘要： Coated tips, as well as related articles, systems and methods are disclosed.

摘要翻译： 披露了涂层技巧，以及相关文章，系统和方法。

公开(公告)号：WO2009085954A2

公开(公告)日：2009-07-09

申请号：PCT/US2008087430

申请日：2008-12-18

申请人： VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ,  OLSON JOSEPH C ,  SCHEUER JAY T

发明人： OLSON JOSEPH C ,  SCHEUER JAY T

IPC分类号： H01J37/30 ,  H01L21/26

CPC分类号： H01J27/18 ,  H01J27/026 ,  H01J37/08 ,  H01J37/30 ,  H01J37/31 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/06366 ,  H01J2237/0812 ,  H01J2237/31701

摘要： The present invention discloses a system and method for generating gas cluster ion beams (GCIB) having very low metallic contaminants. Gas cluster ion beam systems are plagued by high metallic contamination, thereby affecting their utility in many applications. This contamination is caused by the use of thermionic sources, which impart contaminants and are also susceptible to short lifecycles due to their elevated operating temperatures. While earlier modifications have focused on isolating the filament from the source gas cluster as much as possible, the present invention represents a significant advancement by eliminating the thermionic source completely. In the preferred embodiment, an inductively coupled plasma and ionization region replaces the thermionic source and ionizer of the prior art. Through the use of RF or microwave frequency electromagnetic waves, plasma can be created in the absence of a filament, thereby eliminating a major contributor of metallic contaminants.

摘要翻译： 本发明公开了一种具有非常低金属污染物的气体簇离子束（GCIB）的系统和方法。 气体簇离子束系统受到高金属污染的困扰，从而影响其在许多应用中的应用。 这种污染是由于使用热电离源引起的，这些热源能够施加污染物，并且由于其运行温度升高而对生命周期的影响也很小。 虽然较早的修改集中在尽可能多地将源极气体簇隔离，但本发明通过完全消除热离子源代表了显着的进步。 在优选实施例中，电感耦合等离子体和电离区取代现有技术的热离子源和离子发生器。 通过使用RF或微波频率电磁波，可以在没有灯丝的情况下产生等离子体，从而消除金属污染物的主要贡献者。

公开(公告)号：WO2009085939A1

公开(公告)日：2009-07-09

申请号：PCT/US2008/087406

申请日：2008-12-18

申请人： VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. ,  GUPTA, Atul ,  OLSON, Joseph, C.

发明人： GUPTA, Atul ,  OLSON, Joseph, C.

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01J37/30 ,  H01J37/36

CPC分类号： G21K5/10 ,  H01L21/68764

摘要： The present invention comprises a method for high tilt angle implantation, with angular precision not previously achievable. An ion beam, having a width and height dimension, is made up of a number of individual beamlets. These beamlets typically display a higher degree of parallelism in one of these two dimensions. Thus, to minimize angular error, the workpiece is tilted about an axis substantially perpendicular to the dimension having the higher degree of parallelism. The workpiece is then implanted at a high tilt angle and rotated about a line orthogonal to the surface of the workpiece. This process can be repeated until the high tilt implantation has been performed in all required regions.

摘要翻译： 本发明包括一种用于高倾斜角度植入的方法，其角度精度以前不能实现。 具有宽度和高度尺寸的离子束由多个单独的子束组成。 这些子束通常在这两个维度之一中显示更高程度的平行度。 因此，为了最小化角度误差，工件围绕基本垂直于具有较高平行度的尺寸的轴线倾斜。 然后以高倾斜角植入工件，并围绕与工件表面正交的线旋转。 可以重复该过程，直到在所有所需区域中执行高倾斜植入。

公开(公告)号：WO2007021855A3

公开(公告)日：2009-06-04

申请号：PCT/US2006031219

申请日：2006-08-11

申请人： JETEK LLC ,  BOLLINGER LYNN DAVID ,  TOKMOULINE ISKANDER

发明人： BOLLINGER LYNN DAVID ,  TOKMOULINE ISKANDER

IPC分类号： H01L21/306 ,  B44C1/22 ,  G21K5/04 ,  G21K5/08 ,  G21K5/10 ,  H01J37/08 ,  H01J37/30 ,  H01L21/465

CPC分类号： H01L21/31138 ,  B81B2203/0353 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C99/0025 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0132 ,  G03F7/427 ,  H01J37/32055 ,  H01J37/32825 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02063 ,  H05H1/42 ,  H05H2240/10 ,  H05H2245/123

摘要： A system that generates an intense hot gas stream is described to etch a polymer on a substrate used in the manufacture of semiconductor and MEMS devices with no surface damage. The etching process is particularly useful to remove a polymer from relatively high aspect Height-to-Width and Width-to-Height ratio holes that can include trenches, having relatively large aspect ratios for removal of polymers used in connection with the manufacturing of microstructures.

摘要翻译： 描述了产生强烈热气流的系统来蚀刻用于制造半导体和MEMS器件的衬底上的聚合物，其没有表面损伤。 蚀刻工艺特别适用于从相对较高的方面的高度 - 宽度和宽度 - 高度比的孔中除去聚合物，该孔可以包括沟槽，具有相对较大的纵横比用于去除与微结构制造有关的聚合物。

公开(公告)号：WO2009020151A1

公开(公告)日：2009-02-12

申请号：PCT/JP2008/064123

申请日：2008-08-06

申请人： エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 ,  皆藤 孝 ,  中川 良知 ,  田代 純一 ,  杉山 安彦 ,  藤井 利昭 ,  相田 和男 ,  小川 貴志

发明人： 皆藤 孝 ,  中川 良知 ,  田代 純一 ,  杉山 安彦 ,  藤井 利昭 ,  相田 和男 ,  小川 貴志

IPC分类号： H01J37/317 ,  G01N1/28 ,  H01J37/08 ,  H01J37/30

CPC分类号： H01J37/08 ,  G01N1/04 ,  G01N1/06 ,  H01J37/3005 ,  H01J37/3056 ,  H01J2237/0807 ,  H01J2237/0817 ,  H01J2237/31745

摘要： 　本発明の複合集束イオンビーム装置は、第１のイオンを発生させるプラズマ型ガスイオン源を備えた第１のイオンビーム照射系（１０）と、第２のイオンを発生させるガスフィールドイオン源を備えた第２のイオンビーム照射系（２０）と、を有し、第２のイオンビーム照射系（２０）から射出される第２のイオンビーム（２０Ａ）のビーム径は、第１のイオンビーム照射系（１０）から射出される第１のイオンビーム（１０Ａ）のビーム径よりも小さい。 本発明の複合集束イオンビーム装置は、液体金属イオン源を用いていないので、試料を汚染することがなく迅速に加工することができ、高分解能の観察や微細な加工が可能である。

摘要翻译： 复合聚焦离子束装置设有具有等离子体型气体离子源的第一离子束照射系统（10），用于产生第一离子; 和具有产生第二离子的气体场离子源的第二离子束照射系统（20）。 从第二离子束照射系统（20）输出的第二离子束（20A）的光束直径小于从第一离子束照射系统（10）输出的第一离子束（10A）的光束直径。 由于复合聚焦离子束装置不使用液体金属离子源，因此可以在不污染样品的情况下进行高速加工，并且可以进行高分辨率监测和精细加工。

公开(公告)号：WO2009020150A1

公开(公告)日：2009-02-12

申请号：PCT/JP2008/064122

申请日：2008-08-06

申请人： エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 ,  皆藤 孝 ,  田代 純一 ,  杉山 安彦 ,  岩崎 浩二 ,  藤井 利昭 ,  相田 和男 ,  小川 貴志

发明人： 皆藤 孝 ,  田代 純一 ,  杉山 安彦 ,  岩崎 浩二 ,  藤井 利昭 ,  相田 和男 ,  小川 貴志

IPC分类号： H01J37/317 ,  G01N1/28 ,  H01J37/08 ,  H01J37/20 ,  H01J37/30

CPC分类号： H01J37/3056 ,  G01N1/286 ,  G01N1/32 ,  G03F1/74 ,  G03F1/84 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3005 ,  H01J2237/0805 ,  H01J2237/0807 ,  H01J2237/31745

摘要： 　本発明の複合集束イオンビーム装置は、第１のイオンを発生させる液体金属イオン源を備えた第１のイオンビーム照射系（１０）と、第２のイオンを発生させるガスフィールドイオン源を備えた第２のイオンビーム照射系（２０）とを有し、第２のイオンビーム照射系（２０）から射出される第２のイオンビーム（２０Ａ）のビーム径が、第１のイオンビーム照射系（１０）から射出される第１のイオンビーム（１０Ａ）のビーム径よりも小さい。 本発明のガスフィールドイオン源を備えた第２のイオンビーム照射系（２０）は、ビーム径を１ｎｍ以下に絞ることができるため、高分解能の観察が可能である。 

摘要翻译： 复合聚焦离子束装置设置有具有用于产生第一离子的液态金属离子源的第一离子束照射系统（10）; 和具有产生第二离子的气体场离子源的第二离子束照射系统（20）。 从第二离子束照射系统（20）输出的第二离子束（20A）的光束直径小于从第一离子束照射系统（10）输出的第一离子束（10A）的光束直径。 由于具有气体离子源的第二离子束照射系统（20）可以将光束直径减小到1nm或更小，因此可以进行高分辨率的监视。

公开(公告)号：WO2008123550A1

公开(公告)日：2008-10-16

申请号：PCT/JP2008/056598

申请日：2008-04-02

申请人： 株式会社平出精密 ,  学校法人東洋大学 ,  長野県 ,  増澤 恒明 ,  田中 文敏 ,  山崎 智洋 ,  吉田 善一 ,  池田 博通 ,  小口 京吾 ,  山岸 光 ,  若林 優治 ,  小林 耕治

发明人： 増澤 恒明 ,  田中 文敏 ,  山崎 智洋 ,  吉田 善一 ,  池田 博通 ,  小口 京吾 ,  山岸 光 ,  若林 優治 ,  小林 耕治

IPC分类号： H01J37/30 ,  H01J37/16 ,  H01J37/20 ,  H01J37/317

CPC分类号： H01J37/18 ,  H01J37/16 ,  H01J37/3056 ,  H01J2237/162 ,  H01J2237/166 ,  H01J2237/28

摘要： 　本発明は、小形化が可能でかつコストの低減が可能なビーム加工装置またはビーム観察装置を提供することを目的とする。 本発明のビーム加工装置またはビーム観察装置は、ビーム出射源と、ワーク（２）に向けてビームを出射する出射部（２５ａ）を有しビーム出射源からワーク（２）に向かうビームが通過するビーム通過部材（２５）と、ワーク（２）が固定される固定面（６ａ）を有し所定方向へ移動可能な固定部材（６）と、３次元方向に変形可能にかつ中空状に形成され、ビーム通過部材（２５）が内部に配置される中空部材（２３）とを備えている。中空部材（２３）は、少なくとも、互いに接続される第１の中空部材（２６）と第２の中空部材（２７）とから構成されている。また、中空部材（２３）の一端には開口部（３７）が形成され、中空部材（２３）の一端は固定面に当接するとともに、中空部材（２３）の内部は真空状態とされる。

摘要翻译： 提供了一种具有减小的尺寸并降低成本的光束处理装置或光束监视装置。 光束处理装置或光束监视装置设有光束输出源; 光束通过构件（25），其具有用于向工件（2）输出光束并且允许从光束输出源向工件（2）行进的光束通过的输出部分（25a） 固定构件（6），其具有用于固定工件（2）并沿规定方向移动的固定表面（6a）; 和形成为中空的中空部件（23），其在三维方向上变形并且内侧具有光束通过部件（25）。 中空构件（23）由至少第一中空构件（26）和彼此连接的第二中空构件（27）组成。 在中空构件（23）的一端，形成有开口部（37），中空构件（23）的一端与固定面抵接，中空构件（23）的内部处于真空状态。

公开(公告)号：WO2007089468A3

公开(公告)日：2007-10-04

申请号：PCT/US2007001665

申请日：2007-01-22

申请人： VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ,  SAADATMAND KOUROSH ,  KELLERMAN PETER L

发明人： SAADATMAND KOUROSH ,  KELLERMAN PETER L

IPC分类号： H01J37/317 ,  H01J37/30

CPC分类号： H01J37/3171 ,  H01J37/3007 ,  H01J2237/0492

摘要： An architecture (100) for a ribbon ion beam ion implanter system (102) is disclosed. In one embodiment, the architecture (100) includes an acceleration/deceleration parallelizing lens system (120) for receiving a fanned ribbon ion beam (124) and for at least parallelizing (and perhaps also accelerate or decelerate) the fanned ribbon ion beam (124) into a substantially parallel ribbon ion beam (112), and an energy filter system (122) downstream from the acceleration/deceleration parallelizing lens system (120) and prior to a work piece (128) to be implanted by the substantially parallel ribbon ion beam. The acceleration/deceleration parallelizing lens system (120) includes lenses (126) for at least parallelizing (and perhaps also accelerate or decelerate) the fanned ribbon ion beam (124) and acceleration/deceleration lenses for accelerating or decelerating the substantially parallel ribbon ion beam (112). The parallelizing lens allows delivery of a high current ribbon ion beam to the work piece (128) with energy that can extend down to as low as approximately 200 eV.

摘要翻译： 公开了一种用于带状离子束离子注入机系统（102）的结构（100）。 在一个实施例中，架构（100）包括加速/减速并行化透镜系统（120），用于接收扇形带状离子束（124）并且至少并行化（也可能加速或减速）扇形带状离子束（124） ）到基本上平行的带状离子束（112）中，以及在加速/减速平行化透镜系统（120）的下游并且在通过基本上平行的带状离子注入的工件（128）之前的能量过滤器系统（122） 光束。 加速/减速并行化透镜系统（120）包括用于至少并行（也可能加速或减速）扇形带状离子束（124）和加速/减速透镜的透镜（126），用于加速或减速基本上平行的带状离子束 （112）。 并行化透镜允许通过能够向下延伸至低至约200eV的能量将高电流带状离子束传送到工件（128）。

公开(公告)号：WO2005031787A3

公开(公告)日：2005-08-25

申请号：PCT/US2004030996

申请日：2004-09-21

申请人： AXCELIS TECH INC ,  BENVENISTE VICTOR

发明人： BENVENISTE VICTOR

IPC分类号： H01J37/30 ,  H01J37/317

CPC分类号： H01J37/3171 ,  H01J37/3007 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/152 ,  H01J2237/31701 ,  H01J2237/31713

摘要： The present invention employs a mass analyzer comprised of a pair of permanent magnets to select a desired species from multiple species within a ribbon type ion beam. These permanent magnets provide a substantially uniform magnetic field of adequate magnitude in a small region not attainable with electromagnets that applies a specific force in a desired direction. The force is applied to passing particles of a ribbon ion beam and causes paths of the particles to alter according to their respective mass. As a result, a selected species can be obtained from a beam by the force causing rejected species and/or contaminants to fail passing through the mass analyzer (e.g., by impacting the magnets themselves and/or another barrier present in the analyzer). As a result of the mass analyzer, dopant/species sources that generate multiple species can be employed instead of sources that only supply a single dopant/species.

摘要翻译： 本发明采用由一对永久磁铁构成的质量分析器，从带状离子束内的多种物质中选择所需物质。 这些永磁体通过在期望的方向施加特定力的电磁体不能达到的小区域中提供足够大的基本均匀的磁场。 将力施加到带状离子束的通过颗粒，并且使颗粒的路径根据其相应的质量而改变。 结果，可以通过使得被排出的物质和/或污染物通过质量分析器的力（例如通过冲击磁体本身和/或分析仪中存在的另一个屏障）的力从光束获得所选择的物质。 作为质量分析器的结果，可以使用产生多种物质的掺杂剂/物质源，而不是仅提供单一掺杂剂/物质的源。

公开(公告)号：WO2005052978A2

公开(公告)日：2005-06-09

申请号：PCT/JP2004017969

申请日：2004-11-25

申请人： MATSUSHITA ELECTRIC WORKS LTD ,  AIZAWA KOICHI ,  ICHIHARA TSUTOMU ,  KOMODA TAKUYA ,  IKEDA JYUNJI ,  BABA TORU

发明人： AIZAWA KOICHI ,  ICHIHARA TSUTOMU ,  KOMODA TAKUYA ,  IKEDA JYUNJI ,  BABA TORU

IPC分类号： B01J19/08 ,  G21K5/04 ,  H01J1/308 ,  H01J1/312 ,  H01J37/073 ,  H01J37/30 ,  H01J37/00

CPC分类号： G21K5/04 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/308 ,  H01J1/312 ,  H01J37/073 ,  H01J37/30

摘要： Apparatus and method for modifying an object with electrons are provided, by which the object can be uniformly and efficiently modified with the electrons under a pressure substantially equal to atmospheric pressure even when having a relatively wide surface area to be treated. This method uses a cold-cathode electron emitter having the capability of emitting electrons from a planar electron emitting portion according to tunnel effect, and preferably comprising a pair of electrodes, and a strong field drift layer including nanocrystalline silicon disposed between the electrodes. The object is exposed to electrons emitted from the planar electron emitting portion by applying a voltage between the electrodes. It is preferred that an energy of the emitted electrons is selected from a range of 1 eV to 50 keV, and preferably 1 eV to 100 eV.

摘要翻译： 提供了用电子修饰物体的装置和方法，通过该装置和方法，即使具有相对较宽的待处理表面积，物体也可以在基本上等于大气压的压力下用电子均匀有效地修改。 该方法使用具有根据隧道效应从平面电子发射部发射电子的能力的冷阴极电子发射体，并且优选地包括一对电极，以及包括设置在电极之间的纳米晶硅的强场漂移层。 该物体通过在电极之间施加电压而暴露于从平面电子发射部分发射的电子。 发射电子的能量优选从1eV至50keV，优选1eV至100eV的范围内选择。