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    スイッチング素子及びその製造方法
    2.
    发明申请
    スイッチング素子及びその製造方法 审中-公开
    开关元件及其制造方法

    公开(公告)号：WO2013103122A1

    公开(公告)日：2013-07-11

    申请号：PCT/JP2012/083813

    申请日：2012-12-27

    Applicant: 日本電気株式会社 ,  伴野 直樹 ,  多田 宗弘

    Inventor： 伴野　直樹 ,  多田　宗弘

    IPC: H01L49/00 ,  H01L21/336 ,  H01L21/82 ,  H01L27/105 ,  H01L29/786 ,  H01L45/00

    CPC classification number: H01L45/1206 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/0069 ,  G11C2213/52 ,  G11C2213/54 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/14 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625

    Abstract: 　微細化しても素子特性ばらつきを抑制することができる書き換え可能なスイッチング素子を提供する。金属架橋させることができる第１の電極及び第２の電極と、少なくとも第１の電極及び第２の電極の間を埋めるように形成され、電界によりイオン化した金属が移動可能な材料からなるイオン伝導層と、第１及び第２の２つの電極に対向配置され、金属をイオン化又は還元するための電界をかけることができる第３の電極と、金属イオンが移動不可能な材料からなるイオンバリア層と、を含み、イオンバリア層は、第１の電極及び第２の電極と第３の電極との間に配置されている、スイッチング素子。

    Abstract translation: 提供了即使在小型化时也能够抑制元件特性的变化的可重写开关元件。 开关元件包括：可以金属桥接的第一和第二电极; 形成为至少填充第一和第二电极之间的空间的离子传导层，并且包括其中被磁场电离的金属是可移动的材料; 布置成面对第一和第二电极的第三电极，并且可以施加用于电离或还原金属的磁场; 以及包含金属离子不动的材料的离子阻挡层。 离子阻挡层设置在第一和第二电极与第三电极之间。

    抵抗変化素子、それを含む半導体装置およびそれらの製造方法
    3.
    发明申请
    抵抗変化素子、それを含む半導体装置およびそれらの製造方法 审中-公开
    电阻变化元件，包括它们的半导体器件及其生产工艺

    公开(公告)号：WO2012153818A1

    公开(公告)日：2012-11-15

    申请号：PCT/JP2012/062059

    申请日：2012-05-10

    Applicant: 日本電気株式会社 ,  伴野 直樹 ,  多田 宗弘

    Inventor： 伴野　直樹 ,  多田　宗弘

    IPC: H01L27/105 ,  H01L21/82 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

    CPC classification number: H01L45/1266 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/085 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1633

    Abstract: 　抵抗変化素子は、第１電極、第２電極及び該第１電極と該第２電極間に配置されたイオン伝導層を含み、該第１電極から該イオン伝導層中に供給された金属イオンが該第２電極から電子を受け取って析出して金属となり、該金属が該第１電極および該第２電極間を架橋接続することによって抵抗が変化する抵抗変化素子であって、該イオン伝導層が酸素と炭素を含む化合物で構成された第１のイオン伝導層と、金属酸化物で構成された第２のイオン伝導層との積層構造であり、該第２のイオン伝導層を構成する金属酸化物が酸化ジルコニウム及び酸化ハフニウムのうちの少なくとも一つを含む。

    Abstract translation: 一种电阻变化元件，其包括设置在第一电极和第二电极之间的第一电极，第二电极和离子传导层，并且当从第一电极供给到离子传导层的金属离子接收时的电阻变化 来自第二电极的电子作为金属分离出来，并且该金属形成桥以连接第一电极和第二电极，其中离子传导层具有由第一离子传导层构成的多层结构，第一离子传导层由 包含氧和碳的化合物，以及由金属氧化物构成的第二离子传导层，构成第二离子传导层的金属氧化物至少包括氧化锆或氧化铪。

    スイッチング素子、半導体装置およびそれぞれの製造方法
    4.
    发明申请
    スイッチング素子、半導体装置およびそれぞれの製造方法 审中-公开
    开关元件，半导体器件以及用于制造开关元件和半导体器件的方法

    公开(公告)号：WO2012105139A1

    公开(公告)日：2012-08-09

    申请号：PCT/JP2011/079577

    申请日：2011-12-14

    Applicant: 日本電気株式会社 ,  国立大学法人東京大学 ,  伴野 直樹 ,  阪本 利司 ,  山口 周

    Inventor： 伴野　直樹 ,  阪本　利司 ,  山口　周

    IPC: H01L49/00 ,  H01L21/82 ,  H01L27/105 ,  H01L45/00

    CPC classification number: H01L45/1233 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/146

    Abstract: 　イオン伝導層１１と、イオン伝導層１１の表裏面それぞれに形成された第１電極２１および第２電極２２とを有している。第１電極２１は前記イオン伝導層１１に金属イオンを供給可能な金属から成る一方、第２電極２２は前記イオン伝導層１１に金属イオンを供給しない金属から成っている。イオン伝導層１１は、金属酸化物または酸素を含む化合物から成り、酸素の組成比が化学量論量未満である。

    Abstract translation: 本发明具有离子传导层（11）和分别形成在离子传导层（11）的前表面和反面上的第一电极（21）和第二电极（22）。 第一电极（21）由能够将金属离子供给到离子传导层（11）的金属形成，而第二电极（22）由不将金属离子引入离子传导层（11）的金属形成， 导电层（11）。 离子传导层（11）由含氧或金属氧化物的化合物形成，其氧组成比小于化学计量量。

    半導体装置及びその製造方法
    5.
    发明申请
    半導体装置及びその製造方法 审中-公开
    半导体器件及其生产方法

    公开(公告)号：WO2012074131A1

    公开(公告)日：2012-06-07

    申请号：PCT/JP2011/078032

    申请日：2011-12-05

    Applicant: 日本電気株式会社 ,  伴野 直樹 ,  多田 宗弘 ,  阪本 利司

    Inventor： 伴野　直樹 ,  多田　宗弘 ,  阪本　利司

    IPC: H01L21/82 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

    CPC classification number: H01L27/101 ,  H01L27/2463

    Abstract: 　少ない工程数で製造することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。半導体装置は、抵抗変化素子と、第１層間絶縁膜と、第１層間絶縁膜より上方に形成された第２層間絶縁膜と、少なくとも一部が第１層間絶縁膜中に形成されている第１配線と、第１層間絶縁膜と第２層間絶縁膜の間に介在し、第２層間絶縁膜加工時にエッチング停止層として機能するバリア絶縁膜と、少なくとも一部が第２層間絶縁膜中に形成されている導電材と、を備える。抵抗変化素子は、第１配線の一部と兼用の下部電極と、バリア絶縁膜の層に形成され、第１配線と電気的に接続されている抵抗変化層と、バリア絶縁膜の層に形成され、抵抗変化層及び導電材と電気的に接続されている上部電極と、を有する。上部電極の上面とバリア絶縁膜の上面とは同一面を形成する。

    Abstract translation: 提供了能够以几步生产的半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括：可变电阻元件; 第一层间绝缘膜; 形成在所述第一层间绝缘膜上方的第二层间绝缘膜; 第一布线，其至少一部分形成在所述第一层间绝缘层中; 介于所述第一层间绝缘膜和所述第二层间绝缘膜之间并且在所述第二层间绝缘膜的处理期间用作蚀刻停止层的阻挡绝缘层; 并且其中至少一部分形成在第二层间绝缘膜中的导电材料。 可变电阻元件具有：也用作第一布线的一部分的下电极; 形成在所述阻挡绝缘膜层中并电连接到所述第一布线的可变电阻层; 以及形成在所述阻挡绝缘膜层中的电连接到所述可变电阻层和所述导电材料的上电极。 上电极的上表面和阻挡绝缘膜的上表面形成相同的表面。

    スイッチング素子およびその製造方法
    6.
    发明申请
    スイッチング素子およびその製造方法 审中-公开
    切换装置及其制造方法

    公开(公告)号：WO2009078251A1

    公开(公告)日：2009-06-25

    申请号：PCT/JP2008/071311

    申请日：2008-11-25

    Applicant: 日本電気株式会社 ,  伴野 直樹

    Inventor： 伴野 直樹

    IPC: H01L49/00 ,  H01L27/10 ,  H01L45/00

    CPC classification number: H01L45/1625 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1616

    Abstract: 　第１電極（１０１）と、第２電極（１０２）と、第１電極（１０１）および第２電極（１０２）の間に配置された複合酸化物イオン伝導層（１０３）とを備える。複合酸化物イオン伝導層（１０３）は、金属酸化物を含む少なくとも２つの酸化物を備えている。また、第１電極（１０１）は、複合酸化物イオン伝導層（１０３）に電子を供給可能としている。また、第２電極（１０２）は、金属を含み、この金属のイオンを複合酸化物イオン伝送層（１０３）に供給可能としている。

    Abstract translation: 公开了一种开关装置，包括第一电极（101），第二电极（102）和布置在第一电极（101）和第二电极（102）之间的复合氧化物离子传导层（103）。 复合氧化物离子传导层（103）含有至少两种包括金属氧化物的氧化物。 第一电极（101）能够将电子供给到复合氧化物离子传导层（103）中。 第二电极（102）含有金属，能够将该金属的离子供给到复合氧化物离子传导层（103）中。

    抵抗記憶装置およびその書き込み方法
    7.
    发明申请
    抵抗記憶装置およびその書き込み方法 审中-公开
    电阻记忆装置及其写入方法

    公开(公告)号：WO2012128017A1

    公开(公告)日：2012-09-27

    申请号：PCT/JP2012/055492

    申请日：2012-02-28

    Applicant: 日本電気株式会社 ,  加藤 有光 ,  宮村 信 ,  伴野 直樹 ,  多田 宗弘 ,  岡本 浩一郎 ,  阪本 利司 ,  伊藤 仁彦

    Inventor： 加藤　有光 ,  宮村　信 ,  伴野　直樹 ,  多田　宗弘 ,  岡本　浩一郎 ,  阪本　利司 ,  伊藤　仁彦

    IPC: G11C11/15 ,  G11C13/00 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

    CPC classification number: G11C13/0069 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0061 ,  H01L27/101

    Abstract: 抵抗記憶素子を複数有する抵抗記憶装置に対し、第１の可変抵抗体が低抵抗から高抵抗に変化する書き込み処理において、単数もしくは複数の抵抗記憶素子を選択し第１の書き込み端子と第２の書き込み端子との間に第１の書き込み電圧を第１の書き込み時間印加する第１の処理と、複数の抵抗記憶素子を選択し第１の書き込み端子と第２の書き込み端子との間に第２の書き込み電圧を第２の書き込み時間印加する第２の処理を順に行う書き込み方法であって、さらに第２の処理での選択素子数が第１の処理での選択素子数より多く、かつ第２の書き込み時間が第１の書き込み時間より長時間である。

    Abstract translation: 一种用于写入具有多个电阻存储元件的电阻式存储器件的方法，其中在第一可变电阻器从低电阻变为高电平的写入过程中以所述顺序执行第一处理和第二处理 电阻，第一处理适于选择一个或多个电阻性存储器元件，并且在第一写入时间上施加第一写入端子和第二写入端子之间的第一写入电压; 以及第二处理，其适于选择多个电阻性存储元件，并且在第二写入时间上施加第一写入端子和第二写入端子之间的第二写入电压。 在第二过程中选择的元素的数量大于在第一过程中选择的元素的数量，并且第二写入时间比第一写入时间长。

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