公开(公告)号：WO2013018842A1

公开(公告)日：2013-02-07

申请号：PCT/JP2012/069627

申请日：2012-08-01

Applicant: 日本電気株式会社 ,  阪本 利司 ,  多田 宗弘 ,  宮村 信

Inventor： 阪本　利司 ,  多田　宗弘 ,  宮村　信

IPC: H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: H01L45/085 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/146

Abstract: 　工程数を少なく、又は抵抗変化素子の面積をできるだけ小さくすることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。半導体基板１０１上の多層配線層の内部に２つ以上の抵抗変化素子１００を有する半導体装置であって、抵抗変化素子１００は、下部電極１０５と上部電極１１２との間に抵抗が変化する抵抗変化層１１１が介在した構成となっており、多層配線層における所定の配線層の配線は、下部電極１０５を兼ね、上部電極１１２は、一方向に延在したライン状に形成されるとともに、抵抗変化素子１００に対して一方向に沿って隣接する他の抵抗変化素子の上部電極をも兼ねる。

Abstract translation: 提供：能够尽可能地减少可变电阻元件的处理或减小面积的半导体器件; 以及半导体装置的制造方法。 一种半导体器件，其包括在半导体衬底（101）上的多层布线层内部的两个或更多个可变电阻元件（100），并且其中：每个可变电阻元件（100）具有其中可变电阻层（111） 具有可变电阻的介于下电极（105）和上电极（112）之间; 多层布线层中的预定布线层中的布线也用作下电极（105）。 并且上电极（112）形成为在一个方向上延伸的线，并且还用作在上述一个方向上与可变电阻元件（100）相邻的另一可变电阻元件的上电极。

公开(公告)号：WO2012105139A1

公开(公告)日：2012-08-09

申请号：PCT/JP2011/079577

申请日：2011-12-14

Applicant: 日本電気株式会社 ,  国立大学法人東京大学 ,  伴野 直樹 ,  阪本 利司 ,  山口 周

Inventor： 伴野　直樹 ,  阪本　利司 ,  山口　周

IPC: H01L49/00 ,  H01L21/82 ,  H01L27/105 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L45/1233 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/146

Abstract: 　イオン伝導層１１と、イオン伝導層１１の表裏面それぞれに形成された第１電極２１および第２電極２２とを有している。第１電極２１は前記イオン伝導層１１に金属イオンを供給可能な金属から成る一方、第２電極２２は前記イオン伝導層１１に金属イオンを供給しない金属から成っている。イオン伝導層１１は、金属酸化物または酸素を含む化合物から成り、酸素の組成比が化学量論量未満である。

Abstract translation: 本发明具有离子传导层（11）和分别形成在离子传导层（11）的前表面和反面上的第一电极（21）和第二电极（22）。 第一电极（21）由能够将金属离子供给到离子传导层（11）的金属形成，而第二电极（22）由不将金属离子引入离子传导层（11）的金属形成， 导电层（11）。 离子传导层（11）由含氧或金属氧化物的化合物形成，其氧组成比小于化学计量量。

公开(公告)号：WO2012039415A1

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：PCT/JP2011/071451

申请日：2011-09-21

Applicant: 日本電気株式会社 ,  崎村 昇 ,  多田 宗弘 ,  阪本 利司 ,  根橋 竜介

Inventor： 崎村　昇 ,  多田　宗弘 ,  阪本　利司 ,  根橋　竜介

IPC: H03K19/173 ,  G11C29/08

CPC classification number: H03K19/17748 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0033 ,  G11C13/0035 ,  G11C13/0069 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  G11C2013/0073 ,  H03K19/02

Abstract: 　複数の抵抗変化素子が設けられ、複数の抵抗変化素子のそれぞれが第１の抵抗状態であるか、または第１の抵抗状態よりも抵抗値の低い第２の抵抗状態であるかに応じて論理構成が決定される再構成可能論理回路と、予め第１の抵抗状態にプログラムされた抵抗変化素子が設けられ、当該抵抗変化素子が第１の抵抗状態を保持しているか否かを検出する抵抗値モニタ回路と、抵抗値モニタ回路に設けられた抵抗変化素子が第１の抵抗状態を保持していないことが検出された場合には、第２の抵抗状態から第１の抵抗状態へプログラムするときの電圧を、再構成可能論理回路に設けられた複数の抵抗変化素子のうちの第１の抵抗状態を保持しているものに印加するコントローラと、を有する。抵抗変化素子を用いた再構成可能論理回路において、プログラム電圧を低電圧化させつつ、保持特性を向上させる。

Abstract translation: 本发明包括：具有多个电阻变化元件的可重构逻辑电路，其中根据多个电阻变化元件中的每一个是否处于第一电阻状态或具有第一电阻状态的第二电阻状态来确定逻辑实体 电阻值低于第一电阻状态; 电阻值监视电路，其具有在第一电阻状态下被预编程的电阻变化元件，并检测所述电阻变化元件是否保持第一电阻状态; 以及控制器，当检测到设置在电阻值监视电路中的电阻变化元件没有保持第一电阻状态时，将用于从第二电阻状态到第一电阻状态的编程电压施加到那些电阻变化元件 可重构逻辑电路保持第一电阻状态。 在使用电阻变化元件的可重构逻辑电路中，编程电压降低，维护性能提高。

公开(公告)号：WO2011058947A1

公开(公告)日：2011-05-19

申请号：PCT/JP2010/069836

申请日：2010-11-08

Applicant: 日本電気株式会社 ,  多田 宗弘 ,  岡本 浩一郎 ,  阪本 利司 ,  波田 博光

Inventor： 多田　宗弘 ,  岡本　浩一郎 ,  阪本　利司 ,  波田　博光

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/28 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L45/1616 ,  H01C7/006 ,  H01C7/18 ,  H01C17/08 ,  H01L45/04 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/14 ,  H01L45/1675

Abstract: 　本発明の抵抗変化素子は、第１の電極（１０１）および第２の電極（１０３）と、第１の電極（１０１）および第２の電極（１０３）の間に設けられた、少なくとも酸素および炭素を含むイオン伝導層（１０２）と、を有する構成である。

Abstract translation: 公开了一种可变电阻元件，其具有设置在第一电极（101）和第二电极（103）之间的第一电极（101），第二电极（103）和离子传导层（102） 至少氧和碳。

公开(公告)号：WO2010079827A1

公开(公告)日：2010-07-15

申请号：PCT/JP2010/050151

申请日：2010-01-08

Applicant: 日本電気株式会社 ,  多田 宗弘 ,  阪本 利司 ,  斎藤 幸重 ,  矢部 裕子 ,  迫坪 行広 ,  波田 博光

Inventor： 多田　宗弘 ,  阪本　利司 ,  斎藤　幸重 ,  矢部　裕子 ,  迫坪　行広 ,  波田　博光

IPC: H01L27/10 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: H01L45/146 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675

Abstract: 　高信頼化、高密度化、かつ、電極抵抗の低減化が可能な抵抗変化素子を搭載した半導体装置を提供する。半導体基板上の多層配線層の内部に抵抗変化素子を有する半導体装置であって、前記抵抗変化素子は、上部電極と下部電極との間に、抵抗が変化する抵抗変化素子膜が介在した構成となっており、前記多層配線層は、少なくとも、前記下部電極と電気的に接続された配線と、前記上部電極と電気的に接続されたプラグと、を備え、前記プラグの側面乃至底部は、バリアメタルによって覆われており、前記上部電極の最上部は、前記バリアメタルと直接触しており、前記バリアメタルと同一材料、又はバリアメタルに含まれる成分と同一成分を含む材料で構成されている。

Abstract translation: 公开了具有内置电阻变化元件的半导体器件，其可以增加可靠性，增加密度并降低电极电阻。 公开了一种在半导体衬底上的多层布线层内具有电阻变化元件的半导体器件，其中电阻变化元件由电阻变化元件膜构成，其电阻变化介于上电极和下电极之间 ，并且其中所述多层布线层至少配备有与所述下电极电连接的布线和与所述上电极电连接的插塞，并且其中所述阻挡金属覆盖所述插头的侧表面和底部， 上部电极的最上部分与阻挡金属直接接触，并且由与阻挡金属相同的材料构成，或与阻挡金属中包含的成分相同的材料。

公开(公告)号：WO2009157479A1

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：PCT/JP2009/061495

申请日：2009-06-24

Applicant: 日本電気株式会社 ,  阪本 利司 ,  井口 憲幸

Inventor： 阪本　利司 ,  井口　憲幸

IPC: H01L49/00 ,  H01L21/82 ,  H01L27/10 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L45/145 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/146 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1625

Abstract: 　本発明のスイッチング素子は、酸窒化物を含む抵抗変化層（１３）と、抵抗変化層（１３）に接して設けられた第１の電極（１１）と、抵抗変化層（１３）に接して設けられ、抵抗変化層（１３）に金属イオンを供給可能な材料を含む第２の電極（１２）と、を有する構成である。

Abstract translation: 开关元件设置有包含氧氮化物的可变电阻层（13），与可变电阻层（13）接触的第一电极（11）和与可变电阻层（13）接触的第二电极（12） 电阻层（13），并且包含能够向可变​​电阻层（13）供给金属离子的材料。

公开(公告)号：WO2004051726A1

公开(公告)日：2004-06-17

申请号：PCT/JP2003/015322

申请日：2003-12-01

Applicant: 日本電気株式会社 ,  阪本 利司 ,  川浦 久雄 ,  馬場 寿夫 ,  二瓶 史行 ,  落合 幸徳 ,  本郷 廣生

Inventor： 阪本 利司 ,  川浦 久雄 ,  馬場 寿夫 ,  二瓶 史行 ,  落合 幸徳 ,  本郷 廣生

IPC: H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76838 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/53276 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 微細化により、配線構造の抵抗値の増大および、エレクトロンマイグレーション及びストレスマイグレーション耐性の低下が問題となっている。　本発明は、微細化しても抵抗値が低く、エレクトロマイグレーションおよびストレスマイグレーションを生じない高い信頼性をもつ半導体装置の配線構造およびその製造方法を提供することにある。　半導体素子が形成された基板上の絶縁膜上に形成された配線溝あるいはビアホールにメタルとカーボンナノチューブの混合体を材料とした配線あるいは接続プラグを有する半導体装置と、その製造方法である。

Abstract translation: 存在微观化导致布线结构的电阻增加和电子迁移阻力降低以及抗应力迁移阻力的问题。 本发明提供即使当半导体器件微型化，电子迁移和应力迁移，并且具有高可靠性及其制造方法时，具有低电阻的半导体器件的布线结构。 具有布线或连接插头的半导体装置及其制造方法，所述布线或连接插头由在制造半导体芯片的基板上的绝缘膜中的布线槽或通孔中的金属和碳纳米管的混合物构成， 。

公开(公告)号：WO2003028124A1

公开(公告)日：2003-04-03

申请号：PCT/JP2002/009759

申请日：2002-09-24

Applicant: 科学技術振興事業団 ,  理化学研究所 ,  日本電気株式会社 ,  阪本 利司 ,  青野 正和 ,  長谷川 剛 ,  中山 知信 ,  寺部 一弥 ,  川浦 久雄 ,  杉林 直彦

Inventor： 阪本 利司 ,  青野 正和 ,  長谷川 剛 ,  中山 知信 ,  寺部 一弥 ,  川浦 久雄 ,  杉林 直彦

IPC: H01L45/00

CPC classification number: G11C13/0011 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/77 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/142 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1633

Abstract: A switch comprising a transistor for selecting a storage cell and a solid electrolyte. In a storage cell, a metal is formed over a drain diffusion layer of a field−effect transistor fabricated on the surface of a semiconductor substrate. A solid electrolyte the carriers of which are the metal is formed on the metal. The solid electrolyte is in contact with the metal with a space therebetween, and the metal is connected to a common ground line. The source of the field−effect transistor is connected to a column address line, and the gate of the transistor is connected to the row address line.

Abstract translation: 一种开关，包括用于选择存储单元和固体电解质的晶体管。 在存储单元中，在制造在半导体衬底的表面上的场效应晶体管的漏极扩散层上形成金属。 在金属上形成载体为金属的固体电解质。 固体电解质与金属接触，其间具有空间，并且金属连接到公共接地线。 场效应晶体管的源极连接到列地址线，并且晶体管的栅极连接到行地址线。

公开(公告)号：WO2003013692A1

公开(公告)日：2003-02-20

申请号：PCT/JP2002/007854

申请日：2002-08-01

Applicant: 日本電気株式会社 ,  飯田 一浩 ,  井口 憲幸 ,  川浦 久雄 ,  佐野 亨 ,  馬場 雅和 ,  染谷 浩子 ,  阪本 利司

Inventor： 飯田 一浩 ,  井口 憲幸 ,  川浦 久雄 ,  佐野 亨 ,  馬場 雅和 ,  染谷 浩子 ,  阪本 利司

IPC: B01D43/00

CPC classification number: G01N30/6095 ,  B01D15/34 ,  B01L3/502761 ,  B01L2200/12 ,  B01L2300/0681 ,  B01L2400/0415 ,  B01L2400/086 ,  G01N27/44704 ,  G01N27/44773 ,  G01N2030/524 ,  Y10T29/49002

Abstract: A separation apparatus wherein a large number of wells are formed in the inner wall of a channel, through which a sample passes, to form a sample separation region. In case of separating nucleic acids and proteins, the maximum diameter of the wells is 300 nm or less and the average interval among wells adjacent to each other is 300 nm or less.

Abstract translation: 一种分离装置，其中在样品通过的通道的内壁中形成有大量的孔，以形成样品分离区域。 在分离核酸和蛋白质的情况下，孔的最大直径为300nm以下，相邻的孔的平均间隔为300nm以下。

公开(公告)号：WO2013190741A1

公开(公告)日：2013-12-27

申请号：PCT/JP2013/001209

申请日：2013-02-28

Applicant: 日本電気株式会社 ,  宮村 信 ,  阪本 利司 ,  多田 宗弘

Inventor： 宮村　信 ,  阪本　利司 ,  多田　宗弘

IPC: H03K17/693 ,  G11C13/00 ,  H01L21/82 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00 ,  H03K17/00 ,  H03K19/173 ,  H03K19/177

CPC classification number: G11C13/0069 ,  G11C5/06 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0023 ,  G11C13/0038 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/15 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1253 ,  H03K19/0013

Abstract: 　半導体装置は、第一端子及び第二端子を有しており、印加電圧が基準値を超えることによって抵抗値が変化する抵抗変化型の第一スイッチ（１０３）と、第三端子及び第四端子を有しており、第三端子が第二端子に接続して中間ノード（１０５）を形成し、印加電圧が基準値を超えることによって抵抗状態が変化する抵抗変化型の第二スイッチ１０４と、第一端子に接続している第一配線（１０１）と、第四端子に接続しており、平面視で第一配線（１０１）と交わる方向に延伸している第二配線（１０２）と、第一配線（１０１）に接続されている第一選択スイッチ素子（１０６）と、第二配線（１０２）に接続されている第二選択スイッチ素子（１０７）と、を備える。

Abstract translation: 该半导体装置设置有：可变电阻第一开关（103），其具有第一端子和第二端子，并且当施加的电压超过参考值时，其电阻值变化; 具有第三端子和第四端子的可变电阻第二开关（104），并且通过使第三端子连接到第二端子而形成中间节点（105），并且当施加的电压 超过参考值; 连接到第一端子的第一布线（101） 第二布线（102），其连接到第四端子，并且在平面图中沿与第一布线（101）相交的方向延伸; 连接到第一布线（101）的第一选择开关元件（106）。 和连接到第二布线（102）的第二选择开关元件（107）。