公开(公告)号：WO2011122407A1

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：PCT/JP2011/056914

申请日：2011-03-23

Applicant: 株式会社村田製作所 ,  守屋 要一 ,  勝部 毅 ,  武森 祐貴 ,  杉本 安隆 ,  高田 隆裕

Inventor： 守屋　要一 ,  勝部　毅 ,  武森　祐貴 ,  杉本　安隆 ,  高田　隆裕

IPC: B32B15/04 ,  H05K1/05

CPC classification number: B32B7/02 ,  H01L23/142 ,  H01L23/15 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49894 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/15192 ,  H05K3/0061 ,  H05K3/4629 ,  H05K2201/0195 ,  H05K2201/068 ,  H05K2203/049 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/2495 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00011

Abstract: 　金属板上に低温焼結セラミック層を形成した、金属ベース基板において、金属板を銅から構成することを可能にしながら、金属板との界面において低温焼結セラミック層にクラックや剥離が生じにくく、表面導体の耐剥離強度を向上させる。　金属板（１４）と、その上に形成された低温焼結セラミック層（１５）とを備える、金属ベース基板（１２）において、金属板（１４）の熱膨張係数は低温焼結セラミック層（１５）の熱膨張係数より大きく、金属板（１４）と低温焼結セラミック層（１５）との２５～４００℃での平均熱膨張係数差が４～９ｐｐｍ／℃以下であり、かつ、低温焼結セラミック層（１５）のヤング率が１２０ＧＰａ未満であり、かつ抗折強度が２００ＭＰａ以上である。

Abstract translation: 公开了一种金属基底，其包括形成在金属基底上的低温烧结陶瓷层，并且其中低温烧结陶瓷层在与金属基底的界面处不易开裂或剥离， 提高了表面导体的剥离强度，同时使金属基板可以由铜构成。 在设置有金属基板（14）的金属基底（12）和形成在其上的低温烧结陶瓷层（15）之后，金属基板（14）的热膨胀系数大于低温烧结陶瓷层 烧结陶瓷层（15）; 金属基板（14）和低温烧结陶瓷层（15）之间的平均热膨胀系数在25-400℃时为4-9ppm /摄氏度; 低温烧结陶瓷层（15）的杨氏模量小于120GPa; 弯曲强度为200MPa以上。

公开(公告)号：WO2011122406A1

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：PCT/JP2011/056913

申请日：2011-03-23

Applicant: 株式会社村田製作所 ,  守屋 要一 ,  勝部 毅 ,  武森 祐貴 ,  金森 哲雄 ,  杉本 安隆 ,  高田 隆裕

Inventor： 守屋　要一 ,  勝部　毅 ,  武森　祐貴 ,  金森　哲雄 ,  杉本　安隆 ,  高田　隆裕

IPC: C04B35/00 ,  C04B35/16 ,  C04B37/02 ,  H05K1/05 ,  H05K3/44 ,  H05K3/46

CPC classification number: H01L23/15 ,  B32B18/00 ,  C04B35/117 ,  C04B35/16 ,  C04B35/195 ,  C04B37/021 ,  C04B37/025 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/365 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/77 ,  C04B2237/10 ,  C04B2237/341 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/56 ,  C04B2237/60 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/708 ,  C23C24/082 ,  C23C28/04 ,  H01L23/142 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49894 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/15192 ,  H05K1/053 ,  Y10T156/10 ,  Y10T428/2495 ,  Y10T428/265

Abstract: 　銅からなる金属板上に低温焼結セラミック層を形成した、金属ベース基板において、金属板と低温焼結セラミック層との接合信頼性を高める。　銅からなる金属板（１４）の表面上に、バリウムをＢａＯ換算で１０～４０モル％およびケイ素をＳｉＯ ２ 換算で４０～８０モル％含む低温焼結セラミック材料を含む、低温焼結セラミックグリーン層を積層することによって、生の積層体を作製し、この生の積層体を、低温焼結セラミックグリーン層が焼結する温度で焼成する。このようにして得られた金属ベース基板（１２）における金属板（１４）と低温焼結セラミック層（１５）との間には、Ｃｕ－Ｂａ－Ｓｉ系のガラスからなる厚み１～５μｍのガラス層（２２）が形成される。このガラス層（２２）は良好な接合信頼性を示す。

Abstract translation: 公开了一种金属基底基板的制造方法，该金属基底基板在金属基底中金属基底和低温烧结陶瓷层之间的接合的可靠性增加，其中在金属基底上形成低温烧结陶瓷层， 由铜配置 未烧结的层压体通过在包含含有以BaO计为10-40摩尔％的钡的低温烧结陶瓷材料的低温烧结陶瓷生坯层的玻璃状金属基材（14）的表面上叠层而形成， -80％mol。 将该未烧结的层压体在低温烧结陶瓷生坯层烧结的温度下进行烧结。 在金属基板（14）和金属基底（12）上的低温烧结陶瓷层（15）之间形成包含Cu-Ba-Si基玻璃的1-5μm厚的玻璃层（22） 这条路。 该玻璃层（22）具有优异的接合可靠性。

公开(公告)号：WO2011099397A1

公开(公告)日：2011-08-18

申请号：PCT/JP2011/051985

申请日：2011-02-01

Applicant: 株式会社村田製作所 ,  元家 真知子 ,  鷲見 高弘 ,  勝部 毅 ,  守屋 要一

Inventor： 元家　真知子 ,  鷲見　高弘 ,  勝部　毅 ,  守屋　要一

IPC: C04B35/195 ,  H01B3/12

CPC classification number: H01B3/12 ,  C04B35/195 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3481 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96

Abstract: 　高い抗折強度を示す多層セラミック基板を提供する。　多層セラミック基板（１）のセラミック層（２）を構成するセラミック焼結体として、クォーツ（Quartz）、アルミナ（Alumina）、フレスノイト（Fresnoite）、サンボルナイト（Sanbornite）およびセルシアン（Celsian）の各結晶相を含み、粉末Ｘ線回析法により回析ピーク角度２θ＝１０～４０°の範囲で測定した前記フレスノイトの（２０１）面における回折ピーク強度Ａと前記クォーツの（１１０）面における回折ピーク強度Ｂの関係が、Ａ／Ｂ≧２．５であるものを用いる。上記フレスノイト結晶相の平均結晶粒径が５μｍ以下であることが好ましい。このようなセラミック焼結体を得るための焼成工程において、最高温度を９８０～１０００℃の範囲とする。

Abstract translation: 公开了具有高弯曲强度的多层陶瓷基板。 具体而言，是含有石英，氧化铝，弗氏析象，山梨糖
体，堇青石等结晶相的陶瓷烧结体，其特征在于，所述氟代晶体相的（201）面的衍射峰强度（A）与衍射峰强度 通过粉末X射线衍射法在衍射峰值角2θ内测定的石英晶相的（110）面的（B） 10-40°的范围满足A / B = 2.5，被用作构成多层陶瓷基板（1）的陶瓷层（2）的陶瓷烧结体。 优选的是，弗氏析晶结晶相的平均结晶粒径为5μm以下。 在获得上述陶瓷烧结体的烧成工序中，将最高温度设定在980〜1000℃的范围内。

公开(公告)号：WO2010092970A1

公开(公告)日：2010-08-19

申请号：PCT/JP2010/051929

申请日：2010-02-10

Applicant: 株式会社村田製作所 ,  勝部 毅

Inventor： 勝部　毅

IPC: C04B35/14 ,  C04B35/195 ,  H01B3/12 ,  H05K1/03 ,  H05K3/46

CPC classification number: H05K1/0306 ,  B32B18/00 ,  C04B35/14 ,  C04B35/195 ,  C04B35/62645 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9669 ,  C04B2237/341 ,  H05K3/4629 ,  Y10T428/24926

Abstract: 　外部導体膜（４）を備えた多層セラミック基板（１）のセラミック層（２）を構成する低温焼結セラミック焼結体であって、この低温焼結セラミック焼結体は、非ガラス系の低温焼結セラミック材料を焼結してなり、クォーツ（Quartz）、アルミナ（Alumina）およびフレスノイト（Fresnoite）の各結晶相を析出している。　セラミック層（２）は、非ガラス系の低温焼結セラミック焼結体であるため、組成ばらつきが少なく、安価かつ容易に多層セラミック基板（１）を製造できる。また、セラミック層（２）は、前述の各結晶相を析出しているため、外部導体膜（４）との接合強度が高く、しかも、焼結体そのものの破壊靱性値が大きい。

Abstract translation: 公开了一种构成设置有外部导电膜（4）的多层陶瓷基板（1）的陶瓷层（2）的低温共烧陶瓷的烧结体。 在通过烧结非玻璃低温共烧陶瓷材料制造的低温共烧陶瓷烧结体上沉积石英，氧化铝和弗氏析晶的结晶相。 由于是非玻璃低温共烧陶瓷的烧结体，所以陶瓷层（2）的组成变化很小，因此多层陶瓷基板（1）可以经济地制造。 此外，由于具有上述结晶相，陶瓷层（2）对外部导体膜（4）具有高的接合强度，并且烧结体本身具有高的断裂韧性值。

公开(公告)号：WO2010092969A1

公开(公告)日：2010-08-19

申请号：PCT/JP2010/051928

申请日：2010-02-10

Applicant: 株式会社村田製作所 ,  勝部 毅

Inventor： 勝部　毅

IPC: C04B35/14 ,  H01B3/12 ,  H05K1/03 ,  H05K3/46

CPC classification number: H05K1/0306 ,  C04B35/14 ,  H05K3/4629

Abstract: 　焼成後の組成ばらつきが少ないばかりでなく、焼結体の曲げ強度が高く、表面電極の剥離強度が高く、信頼性に優れたセラミック基板を形成することができる低温焼結セラミック材料を提供する。　多層セラミック基板（１）のセラミック層（２）を構成するために用いられる低温焼結セラミック材料であって、この低温焼結セラミック材料は、ＳｉをＳｉＯ 2 に換算して４８～７５重量％、ＢａをＢａＯに換算して２０～４０重量％、および、ＡｌをＡｌ 2 Ｏ 3 に換算して５～２０重量％含有する主成分セラミック材料と、主成分セラミック材料１００重量部に対して、ＭｎをＭｎＯに換算して２．５～５．５重量部、ならびに、ＭｇをＭｇＯに換算して０．１～１０重量部含有する副成分セラミック材料とを含み、実質的にＣｒ酸化物およびＢ酸化物のいずれをも含まない。

Abstract translation: 公开了一种低温共烧陶瓷材料，其焙烧后组分含量几乎没有波动，可以提供具有高弯曲强度的烧制产品，可以实现其上形成的表面电极的高剥离强度，并且可以形成具有优异可靠性的陶瓷基板。 具体公开了用于在多层陶瓷基板（1）中制造陶瓷层（2）的低温共烧陶瓷材料。 低温共烧陶瓷材料包括主要组分陶瓷材料，其中SiO含量为48至75重量％，Ba为BaO含量为20至40重量％，Ba为Ba 以Al2O3含量换算为5〜20重量％的含量的MnO含量为2.5〜5.5重量份的Mn和Mn为0.5〜5.5重量份的辅助成分陶瓷材料，Mg为0.1〜10重量份， MgO含量相对于主成分陶瓷材料的100重量份，基本上不含有任何Cr氧化物和任何B氧化物。

公开(公告)号：WO2010079696A1

公开(公告)日：2010-07-15

申请号：PCT/JP2009/071446

申请日：2009-12-24

Applicant: 株式会社村田製作所 ,  勝部 毅 ,  元家 真知子

Inventor： 勝部　毅 ,  元家　真知子

IPC: C04B35/195 ,  H05K1/03

CPC classification number: H05K1/0306 ,  B32B18/00 ,  C04B35/195 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3481 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/341 ,  C04B2237/704 ,  Y10T428/24926

Abstract: 　焼成後の組成ばらつきが少ないばかりでなく、焼結体の曲げ強度が高く、表面電極の剥離強度が高く、信頼性に優れたセラミック基板を形成することができる、低温焼結セラミック材料を提供する。 　多層セラミック基板（１）のセラミック層（２）を構成するために用いられる低温焼結セラミック材料であって、ＳｉをＳｉＯ 2 に換算して４８～７５重量％、ＢａをＢａＯに換算して２０～４０重量％、および、ＡｌをＡｌ 2 Ｏ 3 に換算して５～２０重量％含有する主成分セラミック材料と、主成分セラミック材料１００重量部に対して、ＭｎをＭｎＯに換算して２～１０重量部、ならびに、ＴｉおよびＦｅから選ばれる少なくとも１種をそれぞれＴｉＯ 2 およびＦｅ 2 Ｏ 3 に換算して０．１～１０重量部含有する副成分セラミック材料とを含み、実質的にＣｒ酸化物およびＢ酸化物のいずれをも含まない。

Abstract translation: 提供一种低温烧结用陶瓷材料，烧成后的组成不均匀性降低，具有高弯曲强度的烧结体，能够形成表面电极剥离强度高，可靠性高的陶瓷基板。 用于低温烧结的陶瓷材料用于形成多层陶瓷衬底（1）的陶瓷层（2），并且包括主要的陶瓷材料组分，其包含以SiO 2计的硅橡胶占48-75重量％ 以BaO表示的40重量％的钡和以Al 2 O 3计的5-20重量％的铝和包含锰和至少钛或铁的次要陶瓷材料组分，以MnO计的锰的量为2- 10重量份，以TiO 2和/或Fe 2 O 3计的钛和/或铁的量为0.1-10重量份，相对于主要陶瓷 - 材料组分为100重量份。 陶瓷材料基本上不含有氧化铬和氧化硼。

公开(公告)号：WO2009025156A1

公开(公告)日：2009-02-26

申请号：PCT/JP2008/063633

申请日：2008-07-30

Applicant: 株式会社村田製作所 ,  元家 真知子 ,  立川 勉 ,  浦川 淳 ,  勝部 毅 ,  守屋 要一

Inventor： 元家 真知子 ,  立川 勉 ,  浦川 淳 ,  勝部 毅 ,  守屋 要一

IPC: C04B35/195 ,  H01B3/12 ,  H05K1/03 ,  H05K3/46

CPC classification number: H05K1/0306 ,  C04B35/16 ,  C04B35/195 ,  C04B35/62675 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/96 ,  H05K1/024 ,  Y10T428/24926 ,  Y10T428/24942

Abstract: 　焼成後の組成ばらつきが少ないばかりでなく、焼結体の曲げ強度が高く、かつマイクロ波帯でのＱ値が高い、セラミック組成物を提供する。 　たとえば、多層セラミック基板（１）のセラミック層（２）を構成するために用いられるセラミック組成物であって、ＳｉＯ ２ を４７．０～６７．０重量％、ＢａＯを２１．０～４１．０重量％、およびＡｌ ２ Ｏ ３ を１０．０～１８．０重量％含むとともに、ＳｉＯ ２ 、ＢａＯおよびＡｌ ２ Ｏ ３ の合計１００重量部に対して、第１添加物としてのＣｅＯ ２ を１．０～５．０重量部、ならびに、ＳｉＯ ２ 、ＢａＯ、Ａｌ ２ Ｏ ３ およびＣｅＯ ２ の合計１００重量部に対して、第２添加物としてのＭｎＯを２．５～５．５重量部含み、かつ、Ｃｒを実質的に含まない。さらに、第３添加物としてのＺｒ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｎｂ、ＭｇおよびＦｅ成分の少なくとも１種、第４添加物としてのＣｏおよび／またはＶ成分を含んでもよい。

Abstract translation: 公开了一种在烧结后抑制组成变化的陶瓷组合物，并且能够获得在微波带中具有高弯曲强度和高Q值的烧结体。 具体公开了用于形成多层陶瓷基板（1）的陶瓷层（2）的陶瓷组合物，其包含47.0-67.0重量％的SiO 2，21.0〜41.0质量％的BaO和10.0〜18.0重量％ 的Al 2 O 3，同时相对于100重量份的SiO 2，BaO和Al 2 O 3的总和，含有1.0-5.0重量份的CeO 2作为第一添加剂，和作为第二添加剂的MnO作为每100重量份的2.5-5.5重量份 的SiO 2，BaO，Al 2 O 3和CeO 2的总量。 该陶瓷组合物基本上不含有Cr。 陶瓷组合物可以进一步含有作为第三添加剂的Zr，Ti，Zn，Nb，Mg和Fe中的至少一种，Co和/或V作为第四添加剂。