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1.A METHOD OF BUILDING AN INSULATION SYSTEM AROUND A NAKED CONDUCTOR SECTION OF A POWER CABLE 审中-公开
标题翻译: 一种在电力电缆的导线器部分建立绝缘系统的方法公开(公告)号:WO2017005289A1
公开(公告)日:2017-01-12
申请号:PCT/EP2015/065356
申请日:2015-07-06
申请人: ABB SCHWEIZ AG
发明人: BEDNAROWSKI, Dariusz , LOGAKIS, Emmanuel , ANTONISCHKI, Jörn , KROL, Julita , XIE, Lei , ZANT, Nikolaus
IPC分类号: H02G1/14
CPC分类号: H02G1/145 , B29C45/14549 , B29C45/1671 , B29C45/2673 , B29C45/2708 , B29C45/28 , B29C2045/2714 , H01B9/027 , H01B13/06 , H01L21/0243 , H01L23/142
摘要: The present disclosure relates to a method of building an insulation system around a naked conductor section of a power cable, which power cable has a conductor which includes the naked conductor section and which power cable comprises an insulation system already provided around a majority of the conductor. The insulation system comprises an inner semiconducting layer arranged around the conductor, an insulation layer arranged around the inner semiconducting layer, and an outer semiconducting layer arranged around the insulation layer, and which conductor has a naked conductor section. The method comprises: a) placing the naked conductor section in a mould, and b) moulding an insulation system around the naked conductor section, wherein the moulding of the insulation system involves injecting a first semiconducting compound into a first mould cavity to form an inner semiconducting layer around the naked conductor section, injecting an insulation compound into a second mould cavity to form an insulation layer around the inner semiconducting layer, and injecting a second semiconducting compound into a third mould cavity to form an outer semiconducting layer around the insulation layer.
摘要翻译: 本公开涉及一种在电力电缆的裸露导体部分周围构建绝缘系统的方法,该电力电缆具有包括裸露导体部分的导体,并且该电力电缆包括已经围绕导体的大部分设置的绝缘系统 。 绝缘系统包括布置在导体周围的内部半导体层,围绕内部半导体层布置的绝缘层和围绕绝缘层设置的外部半导体层,并且该导体具有裸露的导体部分。 该方法包括:a)将裸露导体部分放置在模具中,以及b)在裸露导体部分周围模制绝缘系统,其中绝缘系统的模制包括将第一半导体化合物注入到第一模腔中以形成内部 在裸导体部分周围的半导体层,将绝缘化合物注入到第二模腔中以在内部半导体层周围形成绝缘层,以及将第二半导体化合物注入第三模腔中,以形成围绕绝缘层的外部半导体层。
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公开(公告)号:WO2016184645A1
公开(公告)日:2016-11-24
申请号:PCT/EP2016/059236
申请日:2016-04-26
发明人: OSTERWALD, Frank , BICAKCI, Aylin , EISELE, Ronald
IPC分类号: H01L21/48
CPC分类号: H01L21/4846 , H01L23/142
摘要: A method for manufacturing a circuit carrier (100') having a base plate (10), an organic insulating foil (20) arranged on the base plate (10) and a metal shaped body (30) arranged on the insulating foil (20), wherein the base plate (10), insulating foil (20) and metal shaped body (30) are connected to each other by applying a quasi-hydrostatic pressure acting from the top while maintaining an even insulating foil layer thickness.
摘要翻译: 一种制造具有基板(10),布置在基板(10)上的有机绝缘箔(20)和布置在绝缘箔(20)上的金属体)的电路载体(100')的方法, 其特征在于,所述基板(10),绝缘箔(20)和金属成形体(30)通过施加从顶部起作用的准静水压力相互连接,同时保持均匀的绝缘箔层厚度。
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公开(公告)号:WO2016039094A1
公开(公告)日:2016-03-17
申请号:PCT/JP2015/073182
申请日:2015-08-19
申请人: 株式会社日立パワーデバイス
CPC分类号: H01L23/13 , H01L23/142 , H01L23/3142 , H01L24/01 , H01L25/07 , H01L25/11 , H01L25/16 , H01L25/18 , H01L2224/05554 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要: 円形の外周部を有する第1の外部電極と、MOSFETチップと、MOSFETのドレイン電極とソース電極の電圧を入力し、当該電圧に基づいてMOSFETを制御する信号をゲート電極に供給する制御回路チップと、MOSFETチップに対して第1の外部電極の反対側に配置され、第1の外部電極の円形の外周部の中心軸上に外部端子を有する第2の外部電極と、制御回路チップと外部電極とを絶縁する絶縁基板と、を備え、第1の外部電極と、MOSFETチップのドレイン電極およびソース電極と、第2の外部電極とは、中心軸方向に積み重なるように配置され、MOSFETチップのドレイン電極と第1の外部電極とが接続され、MOSFETチップのソース電極と第2の外部電極とが接続される。
摘要翻译: 该半导体装置设置有:具有圆形外周的第一外部电极; 一个MOSFET芯片; 控制电路芯片,其接收MOSFET的漏电极和源电极的电压输入,并且基于电压将用于控制MOSFET的信号提供给其栅电极; 第二外部电极,其设置在与所述第一外部电极的所述MOSFET芯片的相对侧上,并且在所述第一外部电极的圆周的中心轴上具有外部端子; 以及用于在控制电路芯片和外部电极之间绝缘的绝缘基板。 MOSFET芯片的第一外部电极,漏极电极和源电极以及第二外部电极被布置成在中心轴方向上重叠,MOSFET芯片的漏电极和第一外部电极连接在一起 并且MOSFET芯片的源电极和第二外部电极连接在一起。
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公开(公告)号:WO2015030699A3
公开(公告)日:2015-08-20
申请号:PCT/US2013048462
申请日:2013-06-28
申请人: MATERION CORP
CPC分类号: H01L23/3736 , H01L23/10 , H01L23/142 , H01L23/3733 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要: A high thermal conductivity base plate is provided for use in air cavity packages. The base plate is at least partially comprised of reinforced silver composite. The composite can include a matrix of pure silver or a silver alloy and reinforcement particles. The reinforcement particles can include high thermal conductivity, low CTE particles selected from the group consisting of diamond, cubic boron nitride (c-BN), silicon carbide (SiC), and any combinations thereof. In some embodiments, the base plate is entirely comprised of the composite. In other embodiments, the base plate has a core made of the composite. The core can include at least one outer layer on the core. The semiconductor package can include one or more dice or transistors on the base plate, an insulated frame on the base plate, and one or more leads on the insulated frame.
摘要翻译: 提供了一种用于气腔封装的高导热性底板。 基板至少部分地由增强的银复合材料构成。 复合材料可以包括纯银或银合金的基体和增强颗粒。 增强颗粒可以包括高导热性,选自金刚石,立方氮化硼(c-BN),碳化硅(SiC)及其任何组合的低CTE颗粒。 在一些实施例中,基板完全由复合材料构成。 在其他实施例中,基板具有由复合材料制成的芯。 芯可以包括芯上的至少一个外层。 半导体封装可以包括基板上的一个或多个骰子或晶体管,基板上的绝缘框架,以及绝缘框架上的一个或多个引线。
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公开(公告)号:WO2015111202A1
公开(公告)日:2015-07-30
申请号:PCT/JP2014/051602
申请日:2014-01-27
申请人: 株式会社日立製作所
CPC分类号: H01L23/3675 , H01L23/051 , H01L23/142 , H01L23/24 , H01L23/3114 , H01L23/4006 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/40 , H01L24/83 , H01L25/072 , H01L25/115 , H01L25/18 , H01L2023/4031 , H01L2023/405 , H01L2023/4062 , H01L2224/291 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/40137 , H01L2224/40139 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2924/00014 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2224/37099 , H01L2224/37599
摘要: 本発明は半導体素子から冷却体への熱放散性が向上可能な半導体モジュールを提供することを目的とする。本発明の半導体モジュール100は、複数の樹脂モールド型の半導体装置1が1枚の金属ベース2に搭載され、これらが電気的に接続されて構成され、複数の半導体装置1は、絶縁基板3の半導体素子搭載面とは反対側の面に形成された金属放熱板4が樹脂モールド11から露出した構造であり、金属ベース2に設けられた開口部21に半導体装置の金属放熱板4がはめ込まれ、金属放熱板4の裏面が冷却体への設置面となることを特徴とする。
摘要翻译: 本发明的目的是提供一种半导体模块,其中从半导体元件到冷却体的散热得到改善。 本发明的半导体模块(100)的特征在于:半导体模块通过将多个树脂模具型半导体器件(1)安装在一个金属基体(2)上并电连接半导体器件而构成; 每个半导体器件(1)具有其中散热金属板(4)从树脂模具(11)露出的结构,所述散热金属板形成在绝缘基板(3)表面的相反侧上 半导体元件安装面; 每个半导体器件的散热金属板(4)装配在设置在金属基底(2)中的开口(21)中; 并且散热金属板(4)的后表面将成为冷却体的配置表面。
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公开(公告)号:WO2014083714A1
公开(公告)日:2014-06-05
申请号:PCT/JP2013/001685
申请日:2013-03-14
申请人: シチズン電子株式会社 , シチズンホールディングス株式会社
发明人: 今井 貞人
CPC分类号: H01L33/62 , H01L21/4857 , H01L23/142 , H01L23/3736 , H01L25/0753 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/56 , H01L33/60 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H05K1/05 , H05K1/053 , H05K2201/0195 , H05K2201/10106 , H05K2201/2054 , H01L2924/00014
摘要: 【課題】 反射層に含まれる光反射材の金属基板表面への拡散を防止することで、表面に酸化皮膜が形成された金属基板の絶縁耐性を確保すると共に、光反射率の向上も得られる実装基板を提供することである。 【解決手段】 金属基板21と、金属基板21の上面に形成された表層部22とを備え、前記表層部22が金属基板21の表面に形成された酸化皮膜層23と、酸化皮膜層23の上に形成されたバリア層24と、バリア層24の上に形成された光反射材を含有する反射層25と、反射層25の上に形成された保護膜層26とを備える。
摘要翻译: [问题]提供一种安装基板,其中确保了在其表面上形成有氧化膜的金属基板的击穿强度,并且通过防止包含在反射层中的光反射材料扩散到金属基板表面而提高了光反射率 。 [解决方案]该安装基板设置有金属基板(21)和形成在金属基板(21)的上表面上的表层部(22)。 表面层部分(22)设置有形成在金属基板(21)的表面上的氧化膜层(23)。 在所述氧化物膜层(23)上形成的阻挡层(24)。 反射层(25),其形成在所述阻挡层(24)上并且包含光反射材料; 和形成在反射层(25)上的保护膜层(26)。
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公开(公告)号:WO2014068936A1
公开(公告)日:2014-05-08
申请号:PCT/JP2013/006341
申请日:2013-10-25
申请人: 日本精工株式会社
CPC分类号: H05K7/02 , H01L23/142 , H01L23/3735 , H01L23/49811 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/35 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/84 , H01L24/92 , H01L25/07 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L2224/291 , H01L2224/29294 , H01L2224/293 , H01L2224/32227 , H01L2224/32238 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/352 , H01L2224/35847 , H01L2224/3701 , H01L2224/37013 , H01L2224/37124 , H01L2224/37139 , H01L2224/37144 , H01L2224/37147 , H01L2224/40095 , H01L2224/40227 , H01L2224/40475 , H01L2224/40499 , H01L2224/4103 , H01L2224/4112 , H01L2224/48 , H01L2224/73263 , H01L2224/77272 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/8321 , H01L2224/83424 , H01L2224/83447 , H01L2224/83801 , H01L2224/83815 , H01L2224/84424 , H01L2224/84447 , H01L2224/84801 , H01L2224/84815 , H01L2224/85 , H01L2224/9221 , H01L2924/014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/19105 , H01L2924/3011 , H01L2924/351 , H05K1/181 , H05K2201/10166 , H05K2201/1031 , H05K2201/10409 , Y02P70/611 , H01L2924/00015 , H01L2924/00014 , H01L2224/83 , H01L2224/84 , H01L2224/33 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要: 製造タクトの短縮と製造コストの削減とを実現すると共に、組立性を向上することができる半導体モジュールを提供する。半導体モジュール(30)は、金属製の基板(31)と、基板(31)の上に形成された絶縁層(32)と、絶縁層(32)上に形成された複数の配線パターン(33a~33d)と、配線パターン(33a)上に半田(34a)を介して実装されるベアチップトランジスタ(35)と、ベアチップトランジスタ(35)の電極(S,G)上と配線パターン(33b,33c)上とを半田(34b,34c)を介して接合する金属板コネクタ(36a,36b)とを備える。金属板コネクタ(36a,36b)はブリッジ形状であり、部品中央部に平坦面と重心を有する。
摘要翻译: 提供了能够缩短生产量,降低生产成本和提高组装性的半导体模块。 半导体模块(30)配备有:金属基板(31); 形成在所述基板(31)上的绝缘层(32); 形成在所述绝缘层(32)上的多个布线图案(33a-33d)。 使用焊料(34a)安装在布线图案(33a)上的裸芯片晶体管(35); 以及用于使用焊料(34b,34c)将裸芯片晶体管(35)的电极(S,G)的顶部与布线图案(33b,33c)的顶部接合的金属板连接器(36a,36b)。 金属板连接器(36a,36b)是桥状的,并且在部件的中心部分具有平坦表面并且其重心。
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公开(公告)号:WO2014068935A1
公开(公告)日:2014-05-08
申请号:PCT/JP2013/006340
申请日:2013-10-25
申请人: 日本精工株式会社
CPC分类号: H05K1/09 , H01L23/142 , H01L23/3735 , H01L23/49582 , H01L23/49811 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/35 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/84 , H01L24/92 , H01L25/07 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L2224/05553 , H01L2224/0603 , H01L2224/291 , H01L2224/29294 , H01L2224/293 , H01L2224/32227 , H01L2224/32238 , H01L2224/33181 , H01L2224/352 , H01L2224/35847 , H01L2224/3701 , H01L2224/37013 , H01L2224/37147 , H01L2224/40095 , H01L2224/40225 , H01L2224/40227 , H01L2224/40475 , H01L2224/40499 , H01L2224/4103 , H01L2224/4112 , H01L2224/48 , H01L2224/73263 , H01L2224/77272 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/8321 , H01L2224/83424 , H01L2224/83447 , H01L2224/83801 , H01L2224/83815 , H01L2224/84424 , H01L2224/84447 , H01L2224/84801 , H01L2224/84815 , H01L2224/85 , H01L2224/9221 , H01L2924/014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01L2924/3011 , H01L2924/351 , H05K1/0271 , H05K1/05 , H05K1/181 , H05K3/3431 , H05K2201/10166 , H05K2201/1028 , H05K2201/1031 , H05K2201/10409 , H05K2201/10946 , H05K2201/10962 , Y02P70/611 , Y02P70/613 , H01L2924/00015 , H01L2924/00014 , H01L2224/83 , H01L2224/84 , H01L2224/33 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要: 半導体モジュール(30)は、ベアチップトランジスタ(35)の上面に形成された電極(S,G)上と複数の配線パターン(33a~33d)のうち配線パターン(33b,33c)上とを半田(34b,34c)を介して接合する銅コネクタ(36a,36b)を備える。銅コネクタ(36bb)は、ベアチップトランジスタ(35)の電極(G)に接合される電極接合部(36bb)と、電極接合部(36bb)に対して対向するように配置され、配線パターン(33c)に接合される基板接合部(36bc)とを備える。電極接合部(36bb)の一方向と直交する方向の幅W1は、基板接合部(36bb)の一方向と直交する方向の幅W2よりも狭い。
摘要翻译: 该半导体模块(30)配备有用于通过焊料(34b,34c)将形成在裸芯片晶体管(35)的上表面上的电极(S,G)的顶部接合的铜连接器(36a,36b) 其中包括在多个布线图案(33a-33d)中的布线图案(33b,33c)的顶部。 铜连接器(36b)配备有连接到裸芯片晶体管(35)上的电极(G)的电极接合部(36bb),以及与布线图案连接的基板接合部(36bc) (33c),并且被定位成面对电极接合部(36bb)。 电极接合部(36bb)在与一个方向垂直的方向上的宽度(W1)比垂直于该一个方向的方向窄于基板接合部(36bc)的宽度(W2)。
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公开(公告)号:WO2014057771A1
公开(公告)日:2014-04-17
申请号:PCT/JP2013/074973
申请日:2013-09-17
申请人: 株式会社NEOMAXマテリアル
CPC分类号: B21B3/00 , B32B15/012 , B32B15/08 , B32B15/12 , B32B15/18 , B32B27/283 , B32B2307/206 , B32B2457/00 , C22C21/00 , C22C21/02 , C22C38/001 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/06 , C22C38/40 , H01L23/142 , H01L31/03926 , H01L31/03928 , H01L2924/0002 , Y02E10/541 , Y02P70/521 , H01L2924/00
摘要: 半導体を利用した電子機器に用いられる、耐熱性に優れた金属基板が提供される。 前記金属基板は、基材層1と、前記基材層1に接合された反応抑制層2を備える。前記基材層1は、純鉄、炭素鋼、ステンレス鋼、鉄-ニッケル合金のような鉄基材で形成される。前記反応抑制層2はSi量が0.2mass%以上,8.5mass%以下、好ましくは0.4mass%以上,1.6mass%以下のAl-Si合金で形成される。前記反応抑制層2の外側表面にアルミニウム層が接合されてもよい。
摘要翻译: 本发明提供了在使用半导体的电子设备中使用的特别耐热的金属基板。 金属基板设置有与基材层(1)接合的基材层(1)和反应抑制层(2)。 基材层(1)由纯铁,碳素钢,不锈钢,铁镍合金等铁基材料形成。 反应抑制层(2)由Si含量为0.2〜8.5质量%,优选为0.4〜1.6质量%的Al-Si合金形成。 铝层可以连接到反应抑制层(2)的外表面。
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公开(公告)号:WO2013047848A1
公开(公告)日:2013-04-04
申请号:PCT/JP2012/075268
申请日:2012-09-29
申请人: 京セラ株式会社
发明人: 林 桂
CPC分类号: H05K1/0271 , H01L23/13 , H01L23/142 , H01L23/3735 , H01L23/3737 , H01L23/49894 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2924/15192 , H01L2924/15321 , H05K1/056 , H05K1/185 , H05K3/4608 , H05K3/4655 , H05K2201/0195 , H05K2201/0209 , H05K2201/0269 , H05K2201/068 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要: 【課題】 電子部品との接続信頼性を向上させる要求に応える配線基板、この配線基板に内蔵部品を内蔵した部品内蔵基板、配線基板または部品内蔵基板に電子部品を実装した実装構造体を提供する。 【解決手段】 金属板2と、複数の絶縁層3および複数の絶縁層3上に配された導電層4を有し、金属板2の少なくとも一主面上に配された配線層5とを備える。配線層5の複数の絶縁層3は、金属板2の一主面に接して設けられた、金属板2よりも平面方向の熱膨張率が大きい第1の絶縁層6と、第1の絶縁層6に接するように第1の絶縁層6上に積層された、金属板2よりも平面方向の熱膨張率が小さい第2の絶縁層7とを具備している。第1の絶縁層6は、樹脂8を含んでいる。第2の絶縁層7は、無機絶縁材料から成る互いに接続した複数の第1粒子10を含んでいるとともに、複数の第1粒子10同士の間隙に第1の絶縁層6の一部が配されている。
摘要翻译: 本发明提供一种能够满足提高与电子部件的连接可靠性的要求的布线基板,将布线基板中嵌入有嵌入部件的部件嵌入基板以及将电子部件安装在布线基板上的封装结构 或组件嵌入式基板。 [解决方案]布线基板设置有金属板(2)和配置在多个绝缘层(3)上的多个绝缘层(3)和导电层(4)的布线层(5) 并且布置在金属板(2)的至少一个主表面上。 布线层(5)中的多个绝缘层(3)具有第一绝缘层(6),其设置成与金属板(2)的主表面接触,并且在平面上具有较大的热膨胀率 方向比金属板(2)和第二绝缘层(7)层叠在第一绝缘层(6)上以与第一绝缘层(6)接触,并且在平面方向上的热膨胀率比 金属板(2)。 第一绝缘层(6)包括树脂(8)。 第二绝缘层(7)包括由无机绝缘材料制成并相互连接的多个第一颗粒(10),并且具有布置在多个第一颗粒之间的间隙中的第一绝缘层(6)的一部分 (10)。
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