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    ＣＭＰ研磨液及び研磨方法
    2.
    发明申请
    ＣＭＰ研磨液及び研磨方法 审中-公开
    CMP抛光溶液和抛光方法

    公开(公告)号：WO2011099313A1

    公开(公告)日：2011-08-18

    申请号：PCT/JP2011/050012

    申请日：2011-01-04

    Applicant: 日立化成工業株式会社 ,  南 久貴 ,  天野倉 仁 ,  安西 創

    Inventor： 南　久貴 ,  天野倉　仁 ,  安西　創

    IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

    CPC classification number: H01L21/3212 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/7684

    Abstract: 　本発明のＣＭＰ研磨液は、第８、１１、１２及び１３族からなる群より選択される少なくとも一種の金属を含む金属塩と、１，２，４－トリアゾールと、リン酸類と、酸化剤と、砥粒とを含有する。本発明の研磨方法は、パラジウム層を有する基板の当該パラジウム層と研磨布との間にＣＭＰ研磨液を供給しながら、少なくともパラジウム層を研磨布で研磨する工程を備え、ＣＭＰ研磨液が、第８、１１、１２及び１３族からなる群より選択される少なくとも一種の金属を含む金属塩と、１，２，４－トリアゾールと、リン酸類と、酸化剤と、砥粒とを含有する。

    Abstract translation: 一种CMP抛光溶液，其包含含有选自属于第8,11,12和13族的金属中的至少一种金属的金属盐，1,2,4-三唑，磷酸化合物，氧化剂和研磨剂 谷物; 以及抛光方法，其包括用抛光布在基材中至少抛光钯层的步骤，同时在钯层和抛光布之间提供CMP抛光溶液，其中CMP抛光溶液包含含有至少一种金属的金属盐 选自属于第8,11,12和13族的金属，1,2,4-三唑，磷酸化合物，氧化剂和磨料颗粒。

    パラジウム研磨用ＣＭＰ研磨液及び研磨方法
    3.
    发明申请
    パラジウム研磨用ＣＭＰ研磨液及び研磨方法 审中-公开
    CMP抛光液用于抛光和抛光方法

    公开(公告)号：WO2011077887A1

    公开(公告)日：2011-06-30

    申请号：PCT/JP2010/070929

    申请日：2010-11-24

    Applicant: 日立化成工業株式会社 ,  南 久貴 ,  岡田 悠平

    Inventor： 南　久貴 ,  岡田　悠平

    IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

    CPC classification number: C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212

    Abstract: 　本発明のパラジウム研磨用ＣＭＰ研磨液は、１，２，４－トリアゾール、リン酸類、酸化剤、及び会合度が１．５以上２．５未満である砥粒を含有する。本発明の研磨方法は、基板と研磨布の間にＣＭＰ研磨液を供給しながら、基板を研磨布で研磨する、基板の研磨方法であって、基板は、研磨布に対向する面にパラジウム層を有する基板であり、ＣＭＰ研磨液は、１，２，４－トリアゾール、リン酸類、酸化剤及び会合度が１．５以上２．５未満である砥粒を含有するパラジウム研磨用ＣＭＰ研磨液である研磨方法である。

    Abstract translation: 所公开的用于抛光钯的CMP抛光液含有1,2,4-三唑，磷酸，氧化剂和具有至少1.5至小于2.5的缔合度的磨料颗粒。 所公开的抛光方法是用于抛光基板的方法，并且包括在抛光布之间用抛光布抛光基板，同时在基板和抛光布之间提供CMP抛光流体。 基板在面向抛光布的表面上具有钯层，CMP抛光液是用于抛光钯的CMP抛光液，并含有1,2,4-三唑，磷酸，氧化剂和具有度 至少1.5至小于2.5的结合。

    パラジウム研磨用ＣＭＰ研磨液及び研磨方法
    5.
    发明申请
    パラジウム研磨用ＣＭＰ研磨液及び研磨方法 审中-公开
    CMP流体和抛光方法

    公开(公告)号：WO2011007588A1

    公开(公告)日：2011-01-20

    申请号：PCT/JP2010/051671

    申请日：2010-02-05

    Applicant: 日立化成工業株式会社 ,  南 久貴 ,  税所 亮太 ,  天野倉 仁 ,  岡田 悠平 ,  小野 裕

    Inventor： 南　久貴 ,  税所　亮太 ,  天野倉　仁 ,  岡田　悠平 ,  小野　裕

    IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00

    CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02

    Abstract: 　本発明のパラジウム研磨用ＣＭＰ研磨液は、有機溶媒、１，２，４－トリアゾール、リン酸類、酸化剤及び砥粒を含有する。本発明の基板の研磨方法は、基板と研磨布との間にＣＭＰ研磨液を供給しながら基板を研磨布で研磨する、基板の研磨方法であって、基板が、研磨布に対向する面にパラジウム層を有する基板であり、ＣＭＰ研磨液が、有機溶媒、１，２，４－トリアゾール、リン酸類、酸化剤及び砥粒を含有するＣＭＰ研磨液である。

    Abstract translation: 用于抛光钯的化学机械抛光（CMP）流体，其包含有机溶剂，1,2,4-三唑，磷酸，氧化剂和磨料颗粒; 以及在衬底和抛光垫之间馈送CMP流体的同时通过抛光垫抛光衬底的方法，其中衬底在面向抛光垫的表面上具有钯层，CMP流体包括有机溶剂1 ，2,4-三唑，磷酸，氧化剂和磨料颗粒。

    金属用研磨液及びこの研磨液を用いた研磨方法
    7.
    发明申请
    金属用研磨液及びこの研磨液を用いた研磨方法 审中-公开
    使用抛光液的金属抛光液和抛光方法

    公开(公告)号：WO2009119485A1

    公开(公告)日：2009-10-01

    申请号：PCT/JP2009/055621

    申请日：2009-03-23

    Applicant: 日立化成工業株式会社 ,  南 久貴 ,  深沢 正人 ,  天野倉 仁

    Inventor： 南 久貴 ,  深沢 正人 ,  天野倉 仁

    IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

    CPC classification number: C09G1/02 ,  B24B37/044 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212

    Abstract: 　本発明の金属用研磨液は、水、酸化剤、酸化金属溶解剤、防食剤及び酸化金属溶解調整剤を含有する研磨液であって、研磨液のｐＨは、１～５の範囲内であり、防食剤は、トリルトリアゾール及びジフェニルグアニジンの少なくとも一方を含む。本発明の研磨方法は、基板の研磨方法であって、基板の研磨される面を研磨定盤の研磨布に押し付けた状態で、上記金属用研磨液を上記面と研磨布との間に供給しながら、研磨布と基板とを相対的に動かして基板を研磨する。

    Abstract translation: 公开了含有水，氧化剂，金属氧化物溶解剂，防腐蚀剂和金属氧化物溶解改性剂的金属抛光液。 抛光液的pH值在1-5范围内，防腐剂至少含有甲苯基三唑或二苯基胍。 还公开了一种抛光基板的方法，其中通过相对移动抛光板的抛光布和基板来抛光基板，同时将待抛光的基板的表面压在抛光板的抛光布上并供应金属 在基材表面和抛光布之间抛光液体。

    ＣＭＰ研磨液及びこれを用いた基板の研磨方法
    8.
    发明申请
    ＣＭＰ研磨液及びこれを用いた基板の研磨方法 审中-公开
    CMP抛光液体和使用其抛光底物的方法

    公开(公告)号：WO2009054370A1

    公开(公告)日：2009-04-30

    申请号：PCT/JP2008/069022

    申请日：2008-10-21

    Applicant: 日立化成工業株式会社 ,  南 久貴 ,  小野 裕 ,  天野倉 仁

    Inventor： 南 久貴 ,  小野 裕 ,  天野倉 仁

    IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

    CPC classification number: H01L21/30625 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  C23F3/04 ,  C23F3/06 ,  H01L21/3212

    Abstract: 　酸化剤と、研磨粒子と、水と、下記式（１）で表される構造を有する化合物又はその塩と、を含有させて、少なくともルテニウム層の研磨速度を従来の研磨液を用いた場合よりも向上させることができる、ルテニウムを含有する層を有する基板を研磨するためのＣＭＰ研磨液及びこれを用いた基板の研磨方法を提供する。 　［化１］

    Abstract translation: 公开了一种用于抛光含有含有氧化剂的钌层，抛光颗粒，水和具有由下式（1）表示的结构的化合物或其盐的基材的CMP抛光液。 与常规抛光液相比，该CMP抛光液至少提高了钌层的抛光速率。 还公开了使用这种CMP研磨液来研磨衬底的方法。 [化学式1]（1）

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