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公开(公告)号:WO2017123153A2
公开(公告)日:2017-07-20
申请号:PCT/SG2017/000001
申请日:2017-01-13
发明人: LIAO, Jin Zhi , ZHANG, Xi , BAYARAS, Abito Danila , VINOBAJI, Sureshkumar , LIM, Yee Weon , TOK, Chee Wei
CPC分类号: H01L24/45 , B23K35/22 , B23K35/302 , B23K35/40 , C22C9/00 , C22F1/08 , H01L24/05 , H01L24/43 , H01L2224/05624 , H01L2224/43848 , H01L2224/45015 , H01L2224/45147 , H01L2224/45572 , H01L2924/01047 , H01L2924/01202 , H01L2924/01203 , H01L2924/01204 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2224/45664 , H01L2224/45644 , H01L2924/2075 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/01079 , H01L2924/01028 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01026 , H01L2924/01014 , H01L2924/01025 , H01L2924/01024 , H01L2924/01058 , H01L2924/01012 , H01L2924/01057 , H01L2924/01013 , H01L2924/01005 , H01L2924/0104 , H01L2924/01022 , H01L2924/01016 , H01L2924/013
摘要: A wire comprising a wire core with a surface, the wire core having a coating layer superimposed on its surface, wherein the wire core itself consists of: (a) silver in an amount of from 0.1 to 0.3 wt.-%, (b) copper in an amount in the range of from 99.64 to 99.9 wt.-%, (c) phosphorus in an amount in the range of from 0 to 100 wt.-ppm, and (d) further components (components other than silver, copper and phosphorus) in an amount in the range of from 0 to 500 wt.-ppm, wherein the individual amount of any further component is less than 30 wt.-ppm, wherein all amounts in wt.-% and wt.-ppm are based on the total weight of the core, and wherein the coating layer is a double-layer comprised of an inner layer of palladium and an adjacent outer layer of gold, wherein the weight of the inner palladium layer is in the range of 1.5 to 2.5 wt.-%, relative to the weight of the wire core, and wherein the weight of the outer gold layer is in the range of 0.09 to 0.18 wt.-%, relative to the weight of the wire core.
摘要翻译: 包括具有表面的线芯的线,所述线芯具有叠加在其表面上的涂层,其中线芯本身由以下组成:(a)0.1至0.3 (b)99.64至99.9重量%范围内的铜,(c)0至100重量ppm范围内的磷,和(d)进一步 其中组分(银,铜和磷以外的组分)的量在0至500重量ppm的范围内,其中任何其他组分的单独量小于30重量ppm, - %和wt.-ppm基于芯的总重量,并且其中涂层是由钯的内层和相邻的金的外层组成的双层,其中内钯层的重量 相对于所述线芯的重量在1.5重量%至2.5重量%的范围内,并且其中所述外层金层的重量相对于所述线的重量在0.09重量%至0.18重量%的范围内 e线芯的重量。 p>
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公开(公告)号:WO2012035680A1
公开(公告)日:2012-03-22
申请号:PCT/JP2011/002346
申请日:2011-04-22
CPC分类号: H01L23/3185 , H01L23/24 , H01L23/3735 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/02166 , H01L2224/05624 , H01L2224/27013 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/48227 , H01L2224/4847 , H01L2224/48475 , H01L2224/48699 , H01L2224/49111 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01047 , H01L2924/014 , H01L2924/13055 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512
摘要: 効果的に部分放電を抑止できる絶縁膜を被覆することで、パワーモジュールの動作信頼性を向上させるとともに、絶縁沿面距離を小さくすることによるパワーモジュールの小型化が可能になる技術を提供する。 上記課題を解決するため、本発明は、絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成された導体パターンと、前記導体パターンと接合部材により接続された半導体チップと、前記半導体チップ上面に形成された電極と、前記半導体チップ外周端面と、前記半導体チップ外周端面と連続する前記接合部材と、前記導体パターンと、前記絶縁基板の表面とを被覆し、無機材料からなる絶縁膜とを備えることを特徴とするパワーモジュールを提供する。
摘要翻译: 提供一种技术,由于能够有效地抑制局部放电的绝缘膜的涂布,这两者都增加了功率模块的操作可靠性,并且通过降低绝缘爬电距离使得功率模块能够变得更小。 为了实现这一点,本发明提供一种电源模块,其特征在于具有:绝缘基板; 形成在所述绝缘基板上的导电图案; 半导体芯片,其通过接合部件连接到所述导电图案; 形成在半导体芯片的上表面上的电极; 以及由无机材料制成并且覆盖半导体芯片的外周端面的绝缘膜,与半导体芯片的外周端面邻接的接合部件,导体图案和 绝缘基板。
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公开(公告)号:WO2011158753A1
公开(公告)日:2011-12-22
申请号:PCT/JP2011/063374
申请日:2011-06-10
申请人: 日立化成工業株式会社 , 岡田 千秋 , 山田 和彦 , 井上 愉加吏
IPC分类号: C08L101/00 , C08K3/08 , H01L21/52
CPC分类号: H01L23/295 , C08K3/08 , C09D5/24 , C09D7/61 , H01L24/29 , H01L2224/2929 , H01L2224/29324 , H01L2224/29339 , H01L2224/83805 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01047 , H01L2924/01055 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/15747 , H01L2924/00 , H01L2924/01014 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299
摘要: 本発明は、有機化合物、平均粒径が2~10μm以下の粒状アルミニウム粉及び平均粒径が1~5μm以下のフレーク状銀粉、を均一分散させてなる樹脂ペースト組成物、並びに、この樹脂ペースト組成物を用いて半導体素子を支持部材に接着した後、封止してなる半導体装置である。 本発明によれば、半導体チップなどの素子をリードフレームに接着するなどのために使用される樹脂ペースト組成物であって、希少価値が高く高価である銀を大量に使うことなく、電気伝導性、接着性に優れ、かつ作業性にも優れる、樹脂ペースト組成物を提供するとともに、生産性が高く、高信頼性の半導体装置を提供することができる。
摘要翻译: 公开了通过使有机化合物和平均粒径为2-10μm以下,平均粒径为1-5μm以下的鳞片状银粉均匀分散而形成的树脂糊剂组合物, 还公开了一种半导体器件,其在使用所述树脂糊剂组合物将半导体元件附接到支撑构件之后被密封。 所公开的树脂糊剂组合物用于将半导体芯片的元件粘合到引线框架上,并且具有优异的导电性,粘附性和可加工性,但是不使用具有高稀缺值并且成本高的大量银 。 所公开的半导体器件具有高生产率和高可靠性。
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公开(公告)号:WO2011142013A1
公开(公告)日:2011-11-17
申请号:PCT/JP2010/058056
申请日:2010-05-12
申请人: トヨタ自動車株式会社 , 大野 裕孝
发明人: 大野 裕孝
IPC分类号: H01L23/36 , C23C24/04 , H01L23/373
CPC分类号: H01L24/04 , C23C24/04 , H01L23/047 , H01L23/3142 , H01L23/36 , H01L23/4334 , H01L23/492 , H01L23/49517 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/743 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01042 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
摘要: 放熱性の向上を図った半導体装置(1)は、半導体素子(11)と、その半導体素子(11)の一方の面又は両方の面に対向して配置された一枚又は二枚の放熱板(12),(13)とが、樹脂(10)によってモ-ルドされたものであり、半導体素子(11)と放熱板(12),(13)の一方又は両方にコールドスプレー法によって金属の粉末を吹き付けて成膜した中間層(14)が形成され、中間層(14)を挟んで半導体素子(11)と放熱板(12)とが半田(15)によって接合されたものである。
摘要翻译: 公开了具有改善的散热性能的半导体器件(1)。 半导体器件通过使用具有半导体元件(11)和一个或两个散热板(12,13)的树脂(10)成型而形成,所述一个或两个散热板设置成面对一个表面或两个 半导体元件(11)的表面。 通过使用冷喷涂法将金属粉末喷射到半导体元件(11)和散热板(12,13)中的一个或两个上而形成中间层(14),并且半导体元件(11)和 散热板(12)使用其间具有中间层(14)的焊料(15)结合在一起。
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公开(公告)号:WO2011058997A1
公开(公告)日:2011-05-19
申请号:PCT/JP2010/070017
申请日:2010-11-10
IPC分类号: H01L21/52 , C09J4/02 , H01L21/301
CPC分类号: H01L23/293 , C09J4/00 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L2224/274 , H01L2224/27416 , H01L2224/27418 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2224/92247 , H01L2225/0651 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01067 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01084 , H01L2924/04953 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/3512 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要: 本発明の半導体用接着剤組成物は、(A)放射線重合性化合物、(B)光開始剤、及び(C)熱硬化性樹脂、を含み、(A)成分が、25℃で液状であり且つ分子内に1つの炭素-炭素二重結合を有する化合物を含むことを特徴とする。
摘要翻译: 公开了一种半导体用粘合剂组合物,其特征在于含有(A)可辐射聚合化合物,(B)光引发剂和(C)热固性树脂。 用于半导体的粘合剂组合物的特征还在于组分(A)含有在25℃下处于液态并在每个分子中具有一个碳 - 碳双键的化合物。
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公开(公告)号:WO2011047479A1
公开(公告)日:2011-04-28
申请号:PCT/CA2010/001670
申请日:2010-10-21
发明人: TOPACIO, Roden , WONG, Gabriel
IPC分类号: H01L23/488 , H01L23/50
CPC分类号: H01L23/49816 , H01L23/562 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L2224/0233 , H01L2224/02331 , H01L2224/02375 , H01L2224/02381 , H01L2224/0239 , H01L2224/0401 , H01L2224/05005 , H01L2224/05008 , H01L2224/05012 , H01L2224/05013 , H01L2224/05014 , H01L2224/05015 , H01L2224/05022 , H01L2224/05552 , H01L2224/05553 , H01L2224/05559 , H01L2224/05569 , H01L2224/05572 , H01L2224/05582 , H01L2224/05583 , H01L2224/05599 , H01L2224/06131 , H01L2224/1132 , H01L2224/13007 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/81815 , H01L2924/00 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01051 , H01L2924/01052 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/351 , H01L2924/0105 , H01L2924/01083 , H01L2924/01028 , H01L2924/01031 , H01L2224/13099 , H01L2224/05099 , H01L2224/13599 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2924/00012
摘要: A routing layer for a semiconductor die is disclosed. The routing layer includes pads for attaching solder bumps; bond-pads bonded to bump-pads of a die having an integrated circuit, and traces interconnecting bond-pads to pads. The routing layer is formed on a layer of dielectric material. The routing layer includes conductive traces at least partially surrounding some pads so as to absorb stress from solder bumps attached to the pads. Parts of the traces that surround pads protect parts of the underlying dielectric material proximate the solder bumps, from the stress.
摘要翻译: 公开了一种用于半导体管芯的布线层。 布线层包括用于附接焊料凸块的焊盘; 键合焊盘键合到具有集成电路的管芯的凸点焊盘,并且将焊接接合焊盘贴到焊盘上。 布线层形成在介电材料层上。 路由层包括至少部分地围绕一些焊盘的导电迹线,以便吸收附着到焊盘的焊料凸起的应力。 围绕焊盘的迹线的一部分保护靠近焊料凸块的基底电介质材料的部分免受应力的影响。
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公开(公告)号:WO2010148398A3
公开(公告)日:2011-04-28
申请号:PCT/US2010039359
申请日:2010-06-21
申请人: UNIV MICHIGAN , NAJAFI KHALIL , AKTAKKA ETHEM ERKAN , KIM HANSEUP
发明人: NAJAFI KHALIL , AKTAKKA ETHEM ERKAN , KIM HANSEUP
CPC分类号: B81C1/0019 , B81C2201/019 , H01L24/82 , H01L2224/24051 , H01L2224/76155 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/19041 , H01L2924/30105 , H01L2924/3025 , Y10T29/49117 , Y10T29/4913 , Y10T29/49144 , Y10T29/49155 , Y10T156/10 , H01L2924/00
摘要: A thin-film device and a method of fabricating the thin-film device are provided herein. The thin-film device comprises a bond layer, a film layer that has bulk material properties, and a substrate that has a heat- sensitive component disposed thereon. The method of fabricating the thin-film device comprises the step of providing an active material that has bulk material properties. The active material is bonded to the substrate through the bond layer. After bonding the active material to the substrate, the active material that is bonded to the substrate is thinned to produce the film layer of the thin-film device. The substrate is provided with the heat- sensitive component disposed thereon prior to bonding the active material to the substrate.
摘要翻译: 本文提供薄膜器件和薄膜器件的制造方法。 薄膜器件包括接合层,具有散装材料性质的膜层以及设置有热敏元件的衬底。 制造薄膜器件的方法包括提供具有散装材料性质的活性材料的步骤。 活性物质通过接合层与基材结合。 在将活性材料粘合到基板上之后,将与基板结合的活性材料变薄以制造薄膜器件的薄膜层。 在将活性材料粘合到基底之前,在衬底上设置有设置在其上的热敏部件。
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公开(公告)号:WO2011046238A1
公开(公告)日:2011-04-21
申请号:PCT/KR2009/005974
申请日:2009-10-16
IPC分类号: H01L21/58
CPC分类号: H01L24/83 , C08G2650/40 , C08L71/00 , C08L79/08 , C08L81/06 , C09J7/20 , C09J163/00 , C09J2201/36 , C09J2201/606 , C09J2201/61 , C09J2203/326 , C09J2463/00 , H01L21/6836 , H01L24/29 , H01L24/85 , H01L2221/68327 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/451 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2224/85 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/0102 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/0106 , H01L2924/01082 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/181 , Y10T428/24959 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2224/48 , H01L2224/45099
摘要: 본 발명은 다이어태치 필름, 반도체 웨이퍼 및 반도체 패키징 방법에 관한 것이다. 본 발명에서는 다이싱 공정 시 버의 발생 또는 칩의 비산 등을 방지하고, 다이본딩 공정 시 탁월한 익스펜딩성 및 픽업성을 나타내는 다이어태치 필름을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명에서는 와이어 본딩 또는 몰딩 공정에서의 칩의 박리, 밀림 또는 쏠림 현상 등을 방지할 수 있는 다이어태치 필름을 제공할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따르면, 반도체 패키지 공정에서 매입성 향상, 웨이퍼 또는 배선 기판의 휨 억제 및 생산성의 향상 등이 가능하다.
摘要翻译: 芯片附着膜,半导体晶片和半导体封装方法技术领域本发明涉及芯片附着膜,半导体晶片和半导体封装方法。 本发明提供了一种芯片附着薄膜,其能够防止切片工序中的切屑散射或毛刺等的产生,并且在进行芯片接合处理时显示出优异的可扩展性和拾取效果。 此外,根据本发明,芯片附着膜能够防止芯片在引线接合或模制过程中被分离,推出或偏转。 因此,本发明改进了嵌入性能,抑制了晶片或布线基板的翘曲,提高了半导体封装工序的生产率。
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公开(公告)号:WO2011027659A1
公开(公告)日:2011-03-10
申请号:PCT/JP2010/063681
申请日:2010-08-12
IPC分类号: B23K35/22 , B23K1/00 , B23K35/26 , B23K35/30 , B23K35/363 , C22C9/05 , C22C9/06 , C22C13/00 , H05K3/34 , B23K101/42 , C22C9/04 , C22C12/00
CPC分类号: B23K35/025 , B23K1/00 , B23K1/0016 , B23K35/262 , B23K35/3613 , B23K35/362 , B23K2201/40 , C22C9/05 , C22C9/06 , C22C13/00 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05155 , H01L2224/05644 , H01L2224/1132 , H01L2224/1329 , H01L2224/13294 , H01L2224/13311 , H01L2224/13347 , H01L2224/16503 , H01L2224/16507 , H01L2224/2732 , H01L2224/29101 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29294 , H01L2224/29311 , H01L2224/29347 , H01L2224/32503 , H01L2224/32507 , H01L2224/81192 , H01L2224/81211 , H01L2224/81447 , H01L2224/81815 , H01L2224/83192 , H01L2224/83211 , H01L2224/83447 , H01L2224/83815 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01052 , H01L2924/01057 , H01L2924/01059 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H05K3/3484 , H05K2201/0215 , H05K2201/0272 , Y10T403/479 , Y10T428/31678 , H01L2924/01028 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01026 , H01L2924/01027 , H01L2924/01046 , H01L2924/01083 , H01L2924/00015 , H01L2924/00012
摘要: はんだ付け工程における第1金属と第2金属の拡散性が良好で、低温かつ短時間で融点の高い金属間化合物を生成し、はんだ付け後に第1金属がほとんど残留せず、耐熱強度に優れたソルダペーストおよびそれを用いた、接合信頼性の高い接合方法および接合構造を提供する。 第1金属粉末と該第1金属よりも融点の高い第2金属粉末とからなる金属成分と、フラックス成分とを含み、第1金属が、SnまたはSnを含む合金であり、第2金属が、第1金属と、310℃以上の融点を示す金属間化合物を生成し、かつ、前記金属間化合物の格子定数と前記第2金属成分の格子定数との差である格子定数差が50%以上である金属または合金であることを要件として備えた構成とする。 また、金属成分中に占める第2金属の割合を30体積%以上とする。 第2金属として、Cu-Mn合金またはCu-Ni合金を用いる。
摘要翻译: 公开了一种在高温下具有优异强度的焊膏,在焊接步骤中第一金属和第二金属的扩散良好,在低温和短时间内产生熔点高的金属间化合物, 并且其中在焊接之后,几乎不存在第一金属。 还公开了利用焊膏产生高可靠性的接合结构和接合方法。 焊膏含有助熔剂成分和金属成分,该金属成分含有第一金属的粉末和第二金属的粉末,其熔点比所述第一金属高; 并且第一金属是Sn或含有Sn的合金,第二金属是金属或合金,其与第一金属一起产生熔点至少为310℃并具有晶格常数差的金属间化合物 ,即上述金属间化合物的晶格常数与上述第二金属成分的晶格常数之间的差为至少50%。 此外,金属成分中的第二金属的比例为30体积%以上。 使用Cu-Mn合金或Cu-Ni合金作为第二金属。
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公开(公告)号:WO2010147187A1
公开(公告)日:2010-12-23
申请号:PCT/JP2010/060308
申请日:2010-06-17
IPC分类号: H01L21/60 , H01L21/3205 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L23/52
CPC分类号: H01L24/85 , B23K20/005 , B23K20/10 , B23K20/24 , H01L21/56 , H01L23/3107 , H01L23/49503 , H01L23/49513 , H01L23/4952 , H01L23/49548 , H01L23/49582 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/78 , H01L24/83 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/05624 , H01L2224/29111 , H01L2224/29113 , H01L2224/29118 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48451 , H01L2224/48453 , H01L2224/48465 , H01L2224/48471 , H01L2224/48479 , H01L2224/48507 , H01L2224/48624 , H01L2224/48639 , H01L2224/48724 , H01L2224/48739 , H01L2224/48747 , H01L2224/48824 , H01L2224/48839 , H01L2224/48847 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/78301 , H01L2224/78303 , H01L2224/78307 , H01L2224/78309 , H01L2224/83 , H01L2224/8314 , H01L2224/83192 , H01L2224/83439 , H01L2224/838 , H01L2224/85 , H01L2224/85045 , H01L2224/85051 , H01L2224/85181 , H01L2224/85186 , H01L2224/85205 , H01L2224/85439 , H01L2224/8592 , H01L2224/85986 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01066 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/01204 , H01L2924/01205 , H01L2924/01206 , H01L2924/013 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/05442 , H01L2924/0665 , H01L2924/10162 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/18301 , H01L2924/19107 , H01L2924/20752 , H01L2924/20757 , H01L2924/3512 , H01L2924/01026 , H01L2924/00 , H01L2924/2076 , H01L2924/207 , H01L2924/20753 , H01L2924/20756 , H01L2924/20758 , H01L2924/00015
摘要: 本発明の半導体装置は、半導体チップと、アルミニウムを含む金属材料からなり、前記半導体チップの表面に形成された電極パッドと、前記半導体チップの周囲に配置された電極リードと、線状に延びる本体部と、前記本体部の両端に形成され、前記電極パッドおよび前記電極リードにそれぞれ接合されたパッド接合部およびリード接合部とを有するボンディングワイヤと、前記半導体チップ、前記電極リードおよび前記ボンディングワイヤを封止する樹脂パッケージとを含み、前記ボンディングワイヤは、銅からなり、前記電極パッド全体および前記パッド接合部全体が、水分不透過膜で一体的に被覆されている。
摘要翻译: 提供一种半导体器件,其包括:半导体芯片; 电极焊盘,其包含含有铝的金属材料,并形成在所述半导体芯片的表面上; 设置在所述半导体芯片的周围的电极引线; 一条主线在一条线上延伸; 接合线,其具有分别形成在所述主体的两端并附接到所述电极焊盘和所述电极引线的焊盘安装部和引线安装部; 以及密封半导体芯片,电极引线和接合线的树脂封装。 接合线包括铜,并且整个电极焊盘和整个焊盘安装部分被不透水膜覆盖在一起。
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