公开(公告)号：WO2016189758A1

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：PCT/JP2015/076721

申请日：2015-09-18

申请人： 日鉄住金マイクロメタル株式会社 ,  新日鉄住金マテリアルズ株式会社

发明人： 山田　隆 ,  小田　大造 ,  榛原　照男 ,  宇野　智裕

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/45 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01204

摘要： 　表面にＰｄ被覆層を有するＣｕボンディングワイヤにおいて、高温高湿環境でのボール接合部の接合信頼性を改善し、車載用デバイスに好適なボンディングワイヤを提供する。Ｃｕ合金芯材とその表面に形成されたＰｄ被覆層とを有する半導体装置用ボンディングワイヤにおいて、ボンディングワイヤがＡｓ、Ｔｅ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｅの１種以上の元素を合計で０．１～１００質量ｐｐｍ含有する。これにより、高温高湿環境下でのボール接合部の接合寿命を向上し、接合信頼性を改善することができる。Ｃｕ合金芯材がさらにＮｉ、Ｚｎ、Ｒｈ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｇａ、Ｇｅの１種以上をそれぞれ０．０１１～１．２質量％含有すると、１７０℃以上の高温環境でのボール接合部信頼性を向上できる。また、Ｐｄ被覆層の表面にさらにＡｕとＰｄを含む合金表皮層を形成するとウェッジ接合性が改善する。

摘要翻译： 提供一种在其表面上具有Pd涂层的Cu键合线，该接合线适用于车载装置，并且在高温高湿环境下，在球接头处具有改善的接合可靠性。 该半导体器件用接合线包括：Cu合金芯材; 以及在其表面上形成的Pd涂层。 接合线包括As，Te，Sn，Sb，Bi和Se中的一种或多种元素的总量为0.1〜100质量ppm。 因此，提高了高温高湿环境下球接头的接合寿命，提高了接合的可靠性。 当Cu合金芯材料还包含0.011至1.2质量％的Ni，Zn，Rh，In，Ir，Pt，Ga和Ge中的一种或多种时，在170℃的高温环境中的球接头可靠性或 更高可以改善。 此外，当在Pd涂层的表面上形成包括Au和Pd的合金表皮层时，楔形粘合性提高。

公开(公告)号：WO2016006326A1

公开(公告)日：2016-01-14

申请号：PCT/JP2015/064417

申请日：2015-05-20

申请人： 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 ,  日鉄住金マイクロメタル株式会社

发明人： 小山田　哲哉 ,  宇野　智裕 ,  出合　博之 ,  小田　大造

IPC分类号： C22C5/06 ,  C22F1/14 ,  H01L21/60 ,  C22F1/00

CPC分类号： H01L24/45 ,  C22C5/10 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/43986 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45101 ,  H01L2224/45105 ,  H01L2224/45109 ,  H01L2224/45117 ,  H01L2224/45138 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45163 ,  H01L2224/45164 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/45173 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01048 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2224/4554

摘要： 　高密度実装で要求される接合信頼性、スプリング性能、チップダメージ性能を満足することができるボンディングワイヤを提供する。ボンディングワイヤは、Ｉｎ，Ｇａ，Ｃｄの１種以上を総計で０．０５～５ａｔ．％含み、残部がＡｇおよび不可避不純物からなることを特徴とする。

摘要翻译： 提供能够满足高密度安装的接头可靠性，弹簧性能和切屑损伤性能要求的接合线。 接合线的特征在于，包括总共为0.05-5原子％的In，Ga和Cd中的至少一种，其余为Ag和不可避免的杂质。

公开(公告)号：WO2014073555A1

公开(公告)日：2014-05-15

申请号：PCT/JP2013/079980

申请日：2013-11-06

申请人： タツタ電線株式会社

发明人： 長谷川　剛 ,  黒崎　裕司

IPC分类号： H01L21/60 ,  C22C5/06 ,  C22F1/00 ,  C22F1/14

CPC分类号： H01L24/85 ,  C22C5/06 ,  C22F1/14 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/78 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01105 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01062 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005

摘要： 　Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ被覆電極（ａ）又はＡｕ被覆電極（ａ）との接合性がよく、耐熱衝撃性に優れ、金ボンディングワイヤより安価なボンディング用ワイヤとする。ボールボンディング法によって接続するためのボンディング用ワイヤ（Ｗ）であって、Ｐｄ、Ａｕから選ばれる１種以上の元素を合計で１．０質量％以上、４．０質量％以下、Ｃａ、Ｙ、Ｌａ、Ｓｍ、Ｃｅから選ばれる１種以上の元素を合計で２０質量ｐｐｍ以上、５００質量ｐｐｍ以下含み、残部がＡｇおよび不可避不純物からなり、常温での引張強度が１８～３２ｋｇｆ／ｍｍ ２ 、２５０℃炉中での引張強度が１４ｋｇｆ／ｍｍ ２ 以上である。この構成であると、連続ボンディング性、熱サイクル試験、１ｓｔ接合部直下のチップ損傷の評価、電気抵抗、樹脂封止時のワイヤフローの評価、ワイヤの耐硫化性の各評価において、実用上問題ないものとなる。

摘要翻译： 该接合线与Ni / Pd / Au涂覆的电极（a）或Au被覆电极（a）良好地结合，具有优异的耐热冲击性，并且比金键合线便宜。 这种接合线（W）用于通过球接法进行连接，由Pd和Au的总量为1.0〜4.0质量％的一种以上的元素组成，总共为20〜500质量ppm 选自Ca，Y，La，Sm和Ce的元素，其余的Ag和不可避免的杂质，室温下的拉伸强度为18-32kgf / mm 2，250℃炉中的拉伸强度为14kgf / mm 2 或更大。 通过这种结构，连续接合性能，热循环试验，直接低于第1次接头的芯片损伤评估，电阻，树脂密封期间的电线流动评估和电线耐硫化性的评价在实际应用中没有问题。

公开(公告)号：WO2013109593A2

公开(公告)日：2013-07-25

申请号：PCT/US2013/021686

申请日：2013-01-16

申请人： SEMPRIUS, INC. ,  THE BOARD OF TRUSTEES OF THE UNIVERSITY OF ILLINOIS

发明人： MENARD, Etienne ,  MEITL, Matthew ,  ROGERS, John A.

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L27/1266 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/7806 ,  H01L23/481 ,  H01L23/544 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/24 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/75 ,  H01L24/799 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L24/98 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/14618 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/043 ,  H01L31/048 ,  H01L31/1892 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68322 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/08238 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24147 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/245 ,  H01L2224/24998 ,  H01L2224/2731 ,  H01L2224/29078 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/3012 ,  H01L2224/32104 ,  H01L2224/32146 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/75263 ,  H01L2224/75314 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80224 ,  H01L2224/82007 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/82106 ,  H01L2224/83093 ,  H01L2224/83121 ,  H01L2224/83132 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83224 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/83859 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83868 ,  H01L2224/83871 ,  H01L2224/83874 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/9512 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01S5/02236 ,  H01S5/02276 ,  H05K1/18 ,  H05K13/04 ,  H05K13/046 ,  Y02E10/50 ,  Y10T29/49124 ,  Y10T29/51 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/13111

摘要： Methods of operating a base station serving a cell in a heterogeneous network and at least one relay node serving a subcell of the cell, in which a user equipment unit connects to the network via the base station or the relay node, are provided. The methods include receiving uplink access (Uu) signals at the relay node from the user equipment unit in a first frequency range, and transmitting uplink backhaul (Un) signals from the relay node to the base station in a second frequency range that is different from the first frequency range.

摘要翻译： 提供服务于异构网络中的小区的基站和至少一个服务小区的子小区的中继节点的方法，其中用户设备单元经由基站或中继节点连接到网络。 所述方法包括在第一频率范围内从所述用户设备单元在所述中继节点处接收上行接入（Uu）信号，并且在与所述中继节点不同的第二频率范围内从所述中继节点向所述基站发送上行回程（Un）信号 第一个频率范围。

公开(公告)号：WO2012140156A1

公开(公告)日：2012-10-18

申请号：PCT/EP2012/056709

申请日：2012-04-12

申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. ,  MARENCO, Norman

发明人： MARENCO, Norman

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/538 ,  H01L23/31 ,  H01L23/544 ,  H01L23/13 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L23/13 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/544 ,  H01L24/11 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2223/54493 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/03552 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/11332 ,  H01L2224/1163 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/2101 ,  H01L2224/214 ,  H01L2224/215 ,  H01L2224/221 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/82931 ,  H01L2224/82939 ,  H01L2224/82947 ,  H01L2224/82948 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1816 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552

摘要： Die Anmeldung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Kontaktierung für ein gehäustes Funktionselement, mit folgenden Schritten: Bereitstellen eines mit einer Ausnehmung (10-2) versehenen Kunststoffsubstrats (10c), wobei in der Ausnehmung (10-2) des Kunststoffsubstrats (10c) das Funktionselement (12) platziert ist; und zumindest teilweises Umgeben des in der Ausnehmung (10-2) platzierten Funktionselements mit einem Vergusskunststoffmaterial (10d), um das in dem Kunststoffkörper zumindest teilweise eingebettete Funktionselement (12) zu erhalten, wobei in dem auf- oder eingebrachten Vergusskunststoffmaterial zumindest in einem Randbereich, der sich von der Oberfläche des Kunststoffkörpers (10) bis zu der zumindest einen Kontaktfläche (14, 16) erstreckt, ferner eine unter Einfluss elektromagnetischer Strahlung eine metallische Eigenschaft annehmende Materialkomponente vorhanden ist; Freilegen von zumindest einem Teilbereich der zumindest einen Kontaktfläche durch das Material des Kunststoffkörpers (10) hindurch; und Erzeugen einer Leiterbahnstruktur (26, 28), die sich von der zumindest einen Kontaktfläche des Funktionselements (12) zu einem zugeordneten Kontaktbereich (26-1) an der Oberfläche (10-1) des Kunststoffkörpers (10) erstreckt, durch lokales elektromagnetisches Bestrahlen der Oberfläche des mit der Materialkomponente versehenen Kunststoffkörpers im Bereich der zu erzeugenden Leiterbahnstruktur (26, 28).

摘要翻译： 本申请涉及一种用于制造用于包装的功能元件的电接触，其包括以下步骤：提供一种提供有凹部（10-2）塑料衬底（10C），其中，在塑料基材（10C）的凹部（10-2），该 功能元件（12）被放置; 并在位于功能元件与Vergusskunststoffmaterial（10D）的凹部（10-2）至少部分地围绕所述接收所述至少部分地嵌入在塑料体中功能元件（12），其中，在所述边缘区域中的至少施用或引入Vergusskunststoffmaterial 从塑料体（10）的表面延伸到所述至少一个接触表面（14，16），还包括一个金属属性接受材料部件是电磁辐射的影响下存在; 暴露至少穿过塑料体（10）穿过其中的材料中的所述至少一个接触区域的部分; 以及生成从所述功能元件（12）的至少一个接触表面延伸到塑料体（10）的表面（10-1）上的相关联的接触区域（26-1）的印刷导体结构（26，28），通过本地电磁辐射 设置有原料成分的塑料体的表面是在产生的印制导线结构（26，28）的范围内。

公开(公告)号：WO2012120982A1

公开(公告)日：2012-09-13

申请号：PCT/JP2012/053524

申请日：2012-02-15

申请人： JX日鉱日石金属株式会社 ,  加納 学

发明人： 加納　学

IPC分类号： C22B15/14 ,  C22C9/00 ,  C22C9/08 ,  C25C1/00 ,  C25C1/12 ,  C25C7/04 ,  H01L21/60

CPC分类号： B23K35/302 ,  C22C9/00 ,  C22C9/08 ,  C25C1/12 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01064 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/0107 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01092 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/013 ,  H01L2224/48

摘要： 　α線量が０．００１ｃｐｈ／ｃｍ ２ 以下であることを特徴とする銅又は銅合金。最近の半導体装置は、高密度化及び高容量化されているので、半導体チップ近傍の材料からのα線の影響により、ソフトエラーが発生する危険が多くなっている。特に、半導体装置に近接して使用される、銅又は銅合金配線、銅又は銅合金ボンディングワイヤ、はんだ材料などの銅又は銅合金に対する高純度化の要求が強く、またα線の少ない材料が求められているので、本発明は、銅又は銅合金のα線発生現象を解明すると共に、要求される材料に適応できるα線量を低減させた銅又は銅合金、及び銅又は銅合金を原料とするボンディングワイヤを得ることを課題とする。

摘要翻译： 铜或铜合金，其特征在于具有0.001cph / cm 2以下的a射线发射。 由于近来的半导体器件具有更高的密度和更高的容量，所以由于存在于半导体芯片附近的材料发射的光线的影响，软错误更容易发生。 特别是铜或铜合金线引线，铜或铜合金接合线以及焊接材料等半导体器件附近使用的铜或铜合金强烈要求具有较高的纯度 。 还需要一种减少射线辐射的材料。 因此，本发明解决了铜或铜合金发射射线并获得铜或铜合金以及由铜或铜合金形成的接合线作为原料的现象的问题，铜或铜合金 已经减少了a射线发射并且适用于所需的材料。

公开(公告)号：WO2012106183A1

公开(公告)日：2012-08-09

申请号：PCT/US2012/022801

申请日：2012-01-26

申请人： MEGICA CORPORATION ,  LIN, Mou-Shiung ,  YANG, Ping-Jung ,  LO, Hsin-Jung ,  LIU, Te-Sheng ,  LEE, Jin-Yuan

发明人： LIN, Mou-Shiung ,  YANG, Ping-Jung ,  LO, Hsin-Jung ,  LIU, Te-Sheng ,  LEE, Jin-Yuan

IPC分类号： H01L21/98 ,  H01L25/065 ,  H01L21/762 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L21/683 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/80 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/1205 ,  H01L2924/1206 ,  H01L2924/1207 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/1437 ,  H01L2924/1438 ,  H01L2924/1441 ,  H01L2924/1451 ,  H01L2924/14511 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/82

摘要： Multichip packages or multichip modules may include stacked chips and through silicon/substrate vias (TSVs) formed using enclosure-first technology. Enclosure-first technology may include forming an isolation enclosure associated with a TSV early in the fabrication process, without actually forming the associated TSV. The TSV associated with the isolation enclosure is formed later in the fabrication process. The enclosure-first technology allows the isolation enclosures to be used as alignment marks for stacking additional chips. The stacked chips can be connected to each other or to an external circuit such that data input is provided through the bottom-most (or topmost) chip, data is output from the bottom-most (or topmost) chip. The multichip package may provide a serial data connection, and a parallel connection, to each of the stacked chips.

摘要翻译： 多芯片封装或多芯片模块可以包括堆叠芯片和通过使用封装第一技术形成的硅/衬底通孔（TSV）。 外壳首先技术可以包括在制造过程的早期形成与TSV相关联的隔离外壳，而不实际形成相关的TSV。 与隔离罩相关联的TSV在制造过程中稍后形成。 封装第一技术允许隔离外壳用作堆叠附加芯片的对准标记。 堆叠的芯片可以彼此连接或连接到外部电路，使得通过最底部（或最上面）芯片提供数据输入，数据从最底部（或最顶端）的芯片输出。 多芯片封装可以向每个堆叠的芯片提供串行数据连接和并联连接。

公开(公告)号：WO2012092707A1

公开(公告)日：2012-07-12

申请号：PCT/CN2011/070019

申请日：2011-01-04

申请人： SANDISK SEMICONDUCTOR (SHANGHAI) CO., LTD. ,  SANDISK INFORMATION TECHNOLOGY (SHANGHAI) CO., LTD. ,  LU, Zhong ,  YU, Fen ,  CHIU, Chin Tien ,  YU, Cheeman ,  XIAO, Fuqiang

发明人： LU, Zhong ,  YU, Fen ,  CHIU, Chin Tien ,  YU, Cheeman ,  XIAO, Fuqiang

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/48

CPC分类号： B23K20/005 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/78 ,  H01L24/85 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/48499 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85986 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2224/4554

摘要： A wire bonded structure for a semiconductor device is disclosed. The wire bonded structure comprises a bonding pad; a conductive bump disposed on the bonding pad, the conductive bump including a concave top surface; and a continuous length of wire mutually diffused with the concave top surface of the conductive bump. The wire electrically couples the bonding pad with a first electrical contact and a second electrical contact different from the first electrical contact.

摘要翻译： 公开了一种用于半导体器件的引线接合结构。 引线接合结构包括接合焊盘; 布置在所述焊盘上的导电凸块，所述导电凸块包括凹顶表面; 以及与导电凸块的凹顶表面相互扩散的连续长度的线。 导线将接合焊盘与第一电触头和不同于第一电触点的第二电接触电耦合。

公开(公告)号：WO2012078377A1

公开(公告)日：2012-06-14

申请号：PCT/US2011/062097

申请日：2011-11-23

申请人： INTEL CORPORATION ,  MANUSHAROW, Mathew J. ,  HLAD, Mark S. ,  NALLA, Ravi K.

发明人： MANUSHAROW, Mathew J. ,  HLAD, Mark S. ,  NALLA, Ravi K.

IPC分类号： H01L23/485 ,  H05K3/46 ,  H05K1/18

CPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3511 ,  H05K1/183 ,  H05K3/4641 ,  H01L2924/00

摘要： A structure includes a hybrid substrate for supporting a semiconductive device that includes a bumpless build-up layer in which the semiconductive device is embedded and a laminated-core structure. The bumpless build-up layer and the laminated-core structure are rendered an integral apparatus by a reinforcement plating that connects to a plated through hole in the laminated-core structure and to a subsequent bond pad of the bumpless build-up layer structure.

摘要翻译： 一种结构包括用于支撑半导体器件的混合衬底，该半导体器件包括其中嵌入半导体器件的无凸起积聚层和层叠芯结构。 通过与层压芯结构中的电镀通孔连接的无刷构建层结构的后续接合焊盘的加强电镀将无凸起的堆积层和层叠铁芯结构成为一体的装置。

公开(公告)号：WO2012052251A2

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：PCT/EP2011066613

申请日：2011-09-23

申请人： BOSCH GMBH ROBERT ,  WOLDE-GIORGIS DANIEL ,  FEIOCK ANDREA

发明人： WOLDE-GIORGIS DANIEL ,  FEIOCK ANDREA

IPC分类号： B22F1/02

CPC分类号： H05K13/0465 ,  B22F1/0074 ,  B22F1/02 ,  B22F3/1039 ,  B23K35/34 ,  C22C1/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/2731 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29078 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29316 ,  H01L2224/29338 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29369 ,  H01L2224/29439 ,  H01L2224/29487 ,  H01L2224/29493 ,  H01L2224/32221 ,  H01L2224/37986 ,  H01L2224/37993 ,  H01L2224/75101 ,  H01L2224/75102 ,  H01L2224/75272 ,  H01L2224/83055 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/351 ,  H05K1/097 ,  H05K1/11 ,  H05K3/3484 ,  H05K2201/0218 ,  H05K2201/0224 ,  H05K2203/121 ,  Y10T403/477 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： The invention relates to a starter material for a sintering compound, said starter material comprising particles which at least proportionally contain an organic metal compound and/or a precious metal oxide, the organic metal compound and/or the precious metal oxide being converted during heat treatment of the starter material into the elemental metal and/or precious metal. The invention is characterized in that the particles have a coating containing a reducing agent by means of which the organic metal compound and/or precious metal oxide is reduced to the elemental metal and/or precious metal at a temperature below the sintering temperature of the elemental metal and/or precious metal.

摘要翻译： 烧结接头的本发明的起始材料包含颗粒，其按比例包含至少一种有机金属化合物和/或贵金属氧化物，其中所述有机金属化合物和/或贵金属氧化物被转化的温度下处理起始材料的成元素金属和/或贵金属。 它是本发明包含该颗粒包含还原剂，涂料，借助于特性，该特性的有机金属化合物和/或贵金属氧化物的元素金属和/或贵金属的在低于元素金属和/或贵金属的烧结温度的温度的降低 ，