公开(公告)号：WO2013035561A1

公开(公告)日：2013-03-14

申请号：PCT/JP2012/071514

申请日：2012-08-24

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  秋山 浩二 ,  東島 裕和 ,  田村 知大 ,  青山 真太郎

Inventor： 秋山　浩二 ,  東島　裕和 ,  田村　知大 ,  青山　真太郎

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02318 ,  C23C14/083 ,  C23C14/5806 ,  C23C16/405 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/823462 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 　被処理体上に第１の高誘電率絶縁膜を成膜する第１の成膜工程と、前記第１の高誘電率絶縁膜を、６５０℃以上で６０秒未満の間熱処理する結晶化熱処理工程と、前記第１の高誘電率絶縁膜上に、前記第１の高誘電率絶縁膜の金属元素のイオン半径よりも小さいイオン半径を有する金属元素を有し、前記第１の高誘電率絶縁膜よりも比誘電率が大きい、第２の高誘電率絶縁膜を成膜する第２の成膜工程と、を含む、半導体装置の製造方法が提供される。

Abstract translation: 提供一种半导体器件制造方法，其包括：第一成膜步骤，其中第一高介电常数绝缘膜形成在待处理的主体上; 一种结晶热处理步骤，其中第一高介电常数绝缘膜在650℃或更高温度下短于60秒进行热处理; 以及第二成膜步骤，其中在所述第一高介电常数绝缘膜上形成第二高介电常数绝缘膜，所述第二高介电常数绝缘膜具有金属元素，所述金属元素的离子半径小于金属元素的离子半径 第一高介电常数绝缘膜，并且具有比第一高介电常数绝缘膜高的相对介电常数。