公开(公告)号：WO2012090400A1

公开(公告)日：2012-07-05

申请号：PCT/JP2011/006879

申请日：2011-12-09

Applicant: 信越半導体株式会社 ,  石崎 順也

Inventor： 石崎　順也

IPC: H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01L33/30

CPC classification number: H01L33/145 ,  H01L33/06 ,  H01L33/30

Abstract: 　本発明は、ｐ型クラッド層と、（Ａｌ ｘ Ｇａ １－ｘ ） ｙ Ｉｎ １－ｙ Ｐ（０≦ｘ≦０．６，０．４≦ｙ≦０．６）からなる３層以上の活性層及び該活性層よりＡｌ含有率ｘが高い２層以上の障壁層が交互に積層された多重活性層部と、ｎ型クラッド層とを有する化合物半導体基板を用いて製造された発光素子であって、障壁層は、ｎ型クラッド層に近い側の障壁層に比べ、ｐ型クラッド層に近い側の障壁層の方がバンドギャップが小さく、かつ、化合物半導体基板は、多重活性層部とｎ型クラッド層の間に、又は、ｎ型クラッド層中に、超格子障壁層を有するものである発光素子である。これによって、長寿命、低抵抗で、高い発光効率（特に内部量子効率）を保持した発光素子を提供される。

Abstract translation: 本发明是使用化合物半导体基板制造的发光元件，包括：p型包层; 通过交替层叠包含（Al x Ga 1-x）y In 1-y P（0 x 0.6,0.4 y 0.6）和具有比活性层更高的Al含量（x）的两个或更多个势垒层的三个或更多个有源层而形成的多有源层部分 ; 和n型包覆层。 其中，靠近p型包覆层的一侧的阻挡层的阻挡层比n型包覆层附近的阻挡层的带隙小，复合半导体基板在多层之间具有超晶格阻挡层 有源层部分和n型覆层或n型覆层内。 该结构提供了具有长寿命和低电阻的高发光效率（特别是内部量子效率）的发光元件。

公开(公告)号：WO2004086520A1

公开(公告)日：2004-10-07

申请号：PCT/JP2003/016323

申请日：2003-12-19

Applicant: 信越半導体株式会社 ,  石崎 順也

Inventor： 石崎 順也

IPC: H01L33/00

CPC classification number: C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  C30B7/10 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B25/20 ,  C30B29/16 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0083

Abstract: 基板として水熱合成法にて形成されたＺｎＯ単結晶基板Ｓを用いるとともに、該ＺｎＯ単結晶基板Ｓの主表面上に、エピタキシャル成長法にてＺｎＯ系化合物からなる素子層１１を形成させる。これにより、簡便に素子層の品質向上を可能とするとともに、コストの観点からも適したＺｎＯ系半導体素子およびその製造方法を提供する。

Abstract translation: 使用通过水热合成方法制造的ZnO单晶衬底（S）用作衬底，并且在ZnO单晶衬底（S）的主表面上根据方法形成由ZnO化合物构成的元件层（11） 外延生长。 因此，提供了一种ZnO半导体元件及其制造方法，其不仅可以容易地实现元件层的质量提高，而且可以确保成本优点。

公开(公告)号：WO2006134960A1

公开(公告)日：2006-12-21

申请号：PCT/JP2006/311911

申请日：2006-06-14

Applicant: 塩野義製薬株式会社 ,  平松 久尚 ,  石崎 順 ,  我原 義成

Inventor： 平松 久尚 ,  石崎 順 ,  我原 義成

IPC: C12Q1/68 ,  C12N15/09 ,  C12Q1/02 ,  G01N33/15 ,  G01N33/50

CPC classification number: G01N33/5023 ,  G01N2500/10 ,  G01N2800/26

Abstract: 　　抗炎症薬を得るための簡便なスクリーニング方法を提供する。本発明のスクリーニング方法に用いるポリペプチドは、細胞接着分子の発現に関与しており、血管内皮細胞の白血球への接着において重要な役割を果たしていることから、該ポリペプチドの発現量及びその機能を評価することにより、血管内皮細胞接着抑制物質をスクリーニングすることができる。

Abstract translation: 公开了用于给予抗炎剂的简单筛选方法。 在筛选方法中使用的多肽涉及细胞粘附分子的表达，并且在血管内皮细胞与白细胞的粘附中起重要作用。 通过评估多肽的表达量和功能，可以筛选能够抑制血管内皮细胞粘附的物质。

公开(公告)号：WO2004086521A1

公开(公告)日：2004-10-07

申请号：PCT/JP2004/003498

申请日：2004-03-16

Applicant: 信越半導体株式会社 ,  石崎 順也

Inventor： 石崎 順也

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/28

Abstract: 発光素子１は、各々Ｍｇ ａ Ｚｎ １−ａ Ｏ（ただし、０≦ａ≦１）型酸化物により構成されるｐ型クラッド層３４、活性層３３及びｎ型クラッド層３２がこの順序で積層されたダブルヘテロ構造により発光層部２４が形成され、ｎ型クラッド層３２側が光取出面として使用される。また、該ｎ型クラッド層３２の光取出面側の主表面に、Ｍｇ ａ Ｚｎ １−ａ Ｏ型酸化物により構成され、かつｎ型クラッド層３２よりもｎ型ドーパントの添加量が多いｎ型低抵抗層３５が設けられてなる。これにより、Ｍｇ ａ Ｚｎ １−ａ Ｏ型酸化物からなる発光層部と、その光取出面側に配置された高導電率のＭｇＺｎＯ系化合物半導体層とを有する、光取出効率に優れたＭｇ ａ Ｚｎ １−ａ Ｏ型酸化物系の発光素子を提供する。

Abstract translation: 发光器件（1）包括分别具有p型覆层（34），有源层（33）和n型覆层（32）的具有双异质结构的发光层部分（24） 由MgaZn1-aO氧化物（其中0 <= a <= 1）构成。 使用n型包覆层（32）侧的表面作为取出面。 n型低电阻层（35）还设置在取出侧的n型包覆层（32）的主表面上。 n型低电阻层（35）由MgaZn1-aO氧化物构成，并且比n型覆层（32）含有更多的n型掺杂剂。 因此，可以获得具有优异的光取出效率的MgaZn1-aO氧化物发光器件，其包括由MgaZn1-aO氧化物组成的发光层部分和布置在取光器上的高导电性MgZnO化合物半导体层 在发光层部分的外侧。

公开(公告)号：WO2003049206A1

公开(公告)日：2003-06-12

申请号：PCT/JP2002/011426

申请日：2002-11-01

Applicant: 信越半導体株式会社 ,  石崎 順也

Inventor： 石崎 順也

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/28 ,  H01L33/0083

Abstract: A Zn based semiconductor luminescent element, which has a p-n junction interface (3) composed of an n-type ZnTe1-xOx (0.5

Abstract translation: 具有由n型ZnTe1-xOx（0.5 <= x <= 1）层（8）和p型ZnTe1-xOx（0 <= 1）构成的pn结界面（3）的Zn基半导体发光元件， x <0.5）层（7）; 一种制备上述Zn基半导体发光元件的方法，其包括对p型ZnTe晶片的主表面侧进行热氧化处理，从而形成n型ZnTeO层（8）和/或p- 型ZnTeO层（7）。 Zn类半导体发光元件能够提高包含Zn基半导体的发光层的发光效率。

公开(公告)号：WO2003049205A1

公开(公告)日：2003-06-12

申请号：PCT/JP2002/011425

申请日：2002-11-01

Applicant: 信越半導体株式会社 ,  石崎 順也

Inventor： 石崎 順也

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/28

Abstract: A light emitting layer part (9) of a light emitting element (100) comprising an active layer (5) formed of Mg x Zn 1−x O oxide semiconductor, and a p−clad layer (6) and an n−clad layer (3) similarly formed of Mg x Zn 1−x O oxide semiconductor. On the p−clad layer (6) of the light emitting layer part (9), there is arranged a light extraction layer (7) formed of oxide and having a smaller refractive index to the dominant wavelength of the light emitted from the active layer (5) smaller than that of the clad layers (6 and 3). Therefore, the light emitted from the light emitting layer part (9) can be efficiently extracted from the light emitting element (100). Thus, it is possible to provide a light emitting element of excellent light extraction efficiency in the light emitting element using oxide semiconductor in the light emitting layer part and a manufacturing method thereof.

Abstract translation: 发光元件（100）的发光层部分（9）包括由Mg x Sb 1-x O O氧化物半导体形成的有源层（5），以及 包覆层（6）和类似地由Mg xSb 1-x O O氧化物半导体形成的n覆层（3）。 在发光层部分（9）的p包覆层（6）上，设置由氧化物形成的光提取层（7），并且对从有源层发射的光的主波长具有较小的折射率 （5）比包覆层（6和3）小。 因此，可以从发光元件（100）有效地提取从发光层部分（9）发射的光。 因此，可以在发光层部分中使用氧化物半导体的发光元件中提供优异的光提取效率的发光元件及其制造方法。

公开(公告)号：WO2002089223A1

公开(公告)日：2002-11-07

申请号：PCT/JP2002/004127

申请日：2002-04-25

Applicant: 信越半導体株式会社 ,  石崎 順也

Inventor： 石崎 順也

IPC: H01L33/00

CPC classification number: C30B25/183 ,  C23C16/40 ,  C30B25/02 ,  C30B25/105 ,  C30B29/16 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02477 ,  H01L21/0248 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0083

Abstract: When p-type MgxZn1-xO is grown by an organometallic vapor growth method, a MgxZn1-xO layer is heat treated in an oxygen atmosphere during the growth and/or after the growth completion. In addition, the surface of a substrate to be grown and a material gas are irradiated with a ultraviolet ray when a semiconductor layer is vapor-grown. In addition, when a MgxZn1-xO buffer layer having its c-axis oriented in a layer thickness direction is formed by an atomic layer exitaxy method, a metal mono-atomic layer is grown at first. In addition, a ZnO-based semiconductor active layer is formed by a semiconductor material mainly consisting of ZnO containing Se or Te. A light emitting element is formed by using these techniques.

Abstract translation: 当通过有机金属气相生长法生长p型Mg x Zn 1-x O时，Mg x Zn 1-x O层在生长和/或生长完成后在氧气氛中进行热处理。 此外，当半导体层气相生长时，待生长的基底的表面和原料气体被照射紫外线。 此外，当通过原子层离子法形成具有以层厚方向取向的c轴的Mg x Zn n-x O缓冲层时，首先生长金属单原子层。 另外，ZnO系半导体活性层由主要由含有Se或Te的ZnO构成的半导体材料形成。 通过使用这些技术形成发光元件。

公开(公告)号：WO2004101824A1

公开(公告)日：2004-11-25

申请号：PCT/JP2004/006905

申请日：2004-05-14

Applicant: 塩野義製薬株式会社 ,  園田 光 ,  堀 洋三 ,  石崎 順 ,  東野 賢一 ,  我原 義成 ,  太田 英樹

Inventor： 園田 光 ,  堀 洋三 ,  石崎 順 ,  東野 賢一 ,  我原 義成 ,  太田 英樹

IPC: C12Q1/68

CPC classification number: G01N33/6884 ,  C12Q1/6883 ,  C12Q2600/158

Abstract: SCGBファミリーに属するタンパク質、例えば、UGRP2の遺伝子の発現レベルを測定することによる、COPDに罹患している疑いがある個体由来の試料の簡便かつ迅速な検出又は選別方法、該方法を効率的に行いうるキットを提供すること。被検対象の個体由来の被検試料及び正常個体由来の対照試料それぞれにおけるSecretoglobinファミリーに属するタンパク質の遺伝子の発現レベルを測定するステップを含み、ここで、被検試料における発現レベルが、対照試料における発現レベルよりも高くなる場合、該被検試料が、慢性閉塞性肺疾患に罹患している疑いがある個体由来の試料であることの指標となる、慢性閉塞性肺疾患に罹患している疑いがある個体由来の試料の検出又は選別方法;ならびにSecretoglobinファミリーに属するタンパク質をコードする核酸を検出しうる核酸を含有してなる、前記方法に使用するための検出又は選別用キット。

Abstract translation: 通过测量编码属于SCGB家族的蛋白质的基因（例如UGRP2）的表达水平，容易且快速地检测或筛选来自怀疑感染COPD的个体的标本的方法; 以及可以有效地进行该方法的套件。 具体地，涉及检测或筛选来源于疑似感染慢性阻塞性肺疾病的个体的标本的方法，包括测定衍生自测试对象的测试样品中每种来自Secretogglobin家族的蛋白质的表达水平的步骤 个体和来自正常个体的对照样品，其中当测试样品中的表达水平高于对照样品中的表达水平时，这提供了表示测试样品是来自怀疑感染慢性阻塞性肺疾病的个体的指标 。 还提供了用于上述方法中的检测或筛选用试剂盒，其包含能够检测编码属于Secretogglobin家族的蛋白质的核酸的核酸。

公开(公告)号：WO2004068661A1

公开(公告)日：2004-08-12

申请号：PCT/JP2003/015579

申请日：2003-12-05

Applicant: 信越半導体株式会社 ,  石崎 順也 ,  野崎 眞次 ,  内田 和男 ,  森崎 弘

Inventor： 石崎 順也 ,  野崎 眞次 ,  内田 和男 ,  森崎 弘

IPC: H01S5/323

CPC classification number: H01L33/42

Abstract: 発光素子１００は、Ａｌを含有した化合物半導体層４，５，６からなる発光層部２４と、該発光層部２４に発光駆動電圧を印加するための酸化物透明電極層８，１０とを有し、発光層部２４からの光を、酸化物透明電極層８，１０を透過させる形で取り出す。そして、発光層部２４と酸化物透明電極層８，１０との間に、発光層部２４のＡｌ酸化を抑制するための酸化物保護層７，９が介挿形成されてなる。これにより、発光駆動用の電極として酸化物透明電極層を用いるとともに、発光層部側のＡｌ酸化に伴う発光効率あるいは光取出効率の低下を効果的に防止できる発光素子を提供する。

Abstract translation: 发光装置（100）包括由含Al化合物半导体层（4,5,6）构成的发光层部分（24）和用于施加发光驱动电压的氧化物透明电极层（8,10） 发光层部分（24）。 来自发光层部分（24）的光从氧化物透明电极层（8,10）中取出。 在发光层部分（24）和氧化物透明电极层（8,10）之间分别插入氧化物保护层（7,9），用于抑制发光层部分（24）中的Al的氧化。 因此，可以获得发光装置，其中氧化物透明电极层用作发光驱动的电极，发光效率的劣化或由于发光层中的Al的氧化引起的取光效率 可以有效地防止部分。

公开(公告)号：WO2003081685A1

公开(公告)日：2003-10-02

申请号：PCT/JP2003/003703

申请日：2003-03-26

Applicant: 信越半導体株式会社 ,  石崎 順也

Inventor： 石崎 順也

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/502 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L33/507 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 　可視光発光装置１は、Ｍｇ ａ Ｚｎ １−ａ Ｏ（ただし、０≦ａ≦１）又はＡｌ ｂ Ｉｎ ｃ Ｇａ １−ｂ−ｃ Ｎ（ただし、０≦ｂ≦１、０≦ｃ≦１、０≦ｂ＋ｃ≦１）からなる発光層部を有した半導体紫外線発光素子２と、ＳｉＯ ２ とＳｉとの混合スパッタ膜からなり、半導体紫外線発光素子２からの紫外線照射を受けて可視光を発光する可視光発光膜１０とを有する。これにより、半導体発光素子を紫外線源として用いつつ、良好な白色光を高輝度にて得ることができる可視光発光装置を提供する。

Abstract translation: 一种通过使用半导体发光元件作为紫外线源能够提供高亮度的良好白光的可见发光器件（1），包括具有由MgaZn1构成的发光层部分的半导体紫外线发射元件（2） -aO（其中0 <= a <= 1）或AlbIncGa1-b-cN（其中0 <= b <= 1,0,0 <= c <= 1,0 <= b + c <1） 由SiO 2和Si的混合溅射膜组成并在从半导体紫外线发射元件（2）接收紫外线照射时发出可见光的发光膜（10）。