公开(公告)号：WO2014015241A1

公开(公告)日：2014-01-23

申请号：PCT/US2013/051255

申请日：2013-07-19

Applicant: L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE ,  DUSSARRAT, Christian ,  KUCHENBEISER, Glenn ,  PALLEM, Venkateswara R.

Inventor： DUSSARRAT, Christian ,  KUCHENBEISER, Glenn ,  PALLEM, Venkateswara R.

IPC: C07F7/07

CPC classification number: C07F7/025 ,  B05D1/60 ,  C23C16/30 ,  C23C16/345 ,  C23C16/36 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  C23C16/44 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02532

Abstract: Disclosed are Si-containing thin film forming precursors, methods of synthesizing the same, and methods of using the same to deposit silicon- containing films using vapor deposition processes for manufacturing semiconductors, photovoltaics, LCD-TFT, flat panel-type devices, refractory materials, or aeronautics.

Abstract translation: 公开了含Si的薄膜形成前体，其合成方法以及使用该含Si薄膜使用气相沉积工艺沉积含硅薄膜以制造半导体，光电池，LCD-TFT， 平板式设备，耐火材料或航空学。

公开(公告)号：WO2014015237A1

公开(公告)日：2014-01-23

申请号：PCT/US2013/051249

申请日：2013-07-19

Applicant: L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE ,  DUSSARRAT, Christian ,  KUCHENBEISER, Glenn ,  PALLEM, Venkateswara R.

Inventor： DUSSARRAT, Christian ,  KUCHENBEISER, Glenn ,  PALLEM, Venkateswara R.

IPC: C23C16/24 ,  C23C16/448 ,  H01L21/205

CPC classification number: C07F7/025 ,  B05D1/60 ,  C23C16/30 ,  C23C16/345 ,  C23C16/36 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  C23C16/44 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02532

Abstract: Disclosed are Si-containing thin film forming precursors, methods of synthesizing the same, and methods of using the same to deposit silicon-containing films using vapor deposition processes for manufacturing semiconductors, photovoltaics, LCD-TFT, flat panel-type devices, refractory materials, or aeronautics.

Abstract translation: 公开了含Si的薄膜形成前体，其合成方法及其使用方法使用蒸镀法制造半导体，光伏，LCD-TFT，平板型器件，耐火材料 ，或航空。

公开(公告)号：WO2011006035A3

公开(公告)日：2011-03-24

申请号：PCT/US2010041471

申请日：2010-07-09

Applicant: AIR LIQUIDE ,  DUSSARRAT CHRISTIAN ,  LANSALOT-MATRAS CLEMENT ,  OMARJEE VINCENT M ,  KOROLEV ANDREY V

Inventor： DUSSARRAT CHRISTIAN ,  LANSALOT-MATRAS CLEMENT ,  OMARJEE VINCENT M ,  KOROLEV ANDREY V

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/18 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45553

Abstract: Disclosed are processes for the use of bis-ketoiminate copper precursors for the deposition of copper-containing films via Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) or Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD).

Abstract translation: 公开了通过等离子体增强原子层沉积（PEALD）或等离子体增强化学气相沉积（PECVD）沉积含铜膜的双酮亚胺铜前体的使用方法。

公开(公告)号：WO2011020042A2

公开(公告)日：2011-02-17

申请号：PCT/US2010/045506

申请日：2010-08-13

Applicant: L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE ,  AMERICAN AIR LIQUIDE, INC. ,  DUSSARRAT, Christian ,  OMARJEE, Vincent M. ,  PALLEM, Venkateswara R.

Inventor： DUSSARRAT, Christian ,  OMARJEE, Vincent M. ,  PALLEM, Venkateswara R.

IPC: C07F7/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/30

CPC classification number: C07F17/00 ,  C23C16/18

Abstract: Disclosed are hafnium- and zirconium-containing precursors and methods of providing the same. The disclosed precursors include a ligand and at least one aliphatic group as substituent selected to have greater degrees of freedom than the usual substituents. The disclosed precursors may be used to deposit hafnium- or zirconium-containing layers using vapor deposition methods such as chemical vapor deposition or atomic layer deposition.

Abstract translation: 公开了含铪和锆的前体及其提供方法。 所公开的前体包括配体和至少一个选自具有比通常取代基更大的自由度的取代基的脂族基团。 所公开的前体可用于使用诸如化学气相沉积或原子层沉积的气相沉积方法沉积含铪层或含锆层。

公开(公告)号：WO2010104979A3

公开(公告)日：2010-12-02

申请号：PCT/US2010026865

申请日：2010-03-10

Applicant: AIR LIQUIDE ,  MCANDREW JAMES J F ,  ANDERSON CURTIS ,  DUSSARRAT CHRISTIAN

Inventor： MCANDREW JAMES J F ,  ANDERSON CURTIS ,  DUSSARRAT CHRISTIAN

IPC: C07F7/10

CPC classification number: C07F7/10 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/02359

Abstract: Disclosed herein are mono-functional silylating compounds that may exhibit enhanced silylating capabilities. Also disclosed are method of synthesizing and using these compounds. Finally methods to determine effective silylation are also disclosed.

Abstract translation: 本文公开了可以表现出增强的甲硅烷基化能力的单官能甲硅烷基化化合物。 还公开了合成和使用这些化合物的方法。 最后还公开了确定有效甲硅烷基化的方法。

公开(公告)号：WO2009081380A3

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：PCT/IB2008055495

申请日：2008-12-22

Applicant: AIR LIQUIDE ,  STAFFORD NATHAN ,  DUSSARRAT CHRISTIAN ,  LETESSIER OLIVIER ,  LAXMAN RAVI K

Inventor： STAFFORD NATHAN ,  DUSSARRAT CHRISTIAN ,  LETESSIER OLIVIER ,  LAXMAN RAVI K

IPC: C23C16/44

CPC classification number: C23C16/4404 ,  C23C16/4481

Abstract: Methods of storing a precursor which decreases the precursor decomposition rate. A vessel is provided, where the vessel has an outer surface made of a first material, and an inner surface made of a second material. The first and second materials are different. A tantalum containing precursor is placed inside the vessel, and the vessel is heated to a temperature between 600°C and 15O0°C. At least part of the precursor is withdrawn from the vessel.

Abstract translation: 存储降低前体分解速率的前体的方法。 提供容器，其中容器具有由第一材料制成的外表面和由第二材料制成的内表面。 第一和第二种材料是不同的。 将含钽的前体放置在容器内，并将容器加热至600℃至150℃的温度。 至少部分前体从容器中取出。

公开(公告)号：WO2009039216A1

公开(公告)日：2009-03-26

申请号：PCT/US2008/076732

申请日：2008-09-17

Applicant: L'AIR LIQUIDE - SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE ,  JURCIK, Benjamin ,  DUSSARRAT, Christian

Inventor： JURCIK, Benjamin ,  DUSSARRAT, Christian

IPC: C23C16/18 ,  C23C16/455 ,  C07F1/08 ,  C07F1/12 ,  C07F1/10 ,  C07F7/08

CPC classification number: C07F7/082 ,  C23C16/18 ,  C23C16/45553

Abstract: Methods and compositions for depositing metal films are described herein. In general, the disclosed methods utilize precursor compounds comprising gold, silver or copper. More specifically, the disclosed precursor compounds utilize neutral ligands derived from ethylene or acetylene.

Abstract translation: 本文描述了用于沉积金属膜的方法和组合物。 通常，所公开的方法利用包含金，银或铜的前体化合物。 更具体地，所公开的前体化合物利用衍生自乙烯或乙炔的中性配体。

公开(公告)号：WO2008142653A2

公开(公告)日：2008-11-27

申请号：PCT/IB2008/052012

申请日：2008-05-21

Applicant: L'AIR LIQUIDE-SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE ,  DUSSARRAT, Christian

Inventor： DUSSARRAT, Christian

CPC classification number: C23C16/18 ,  C07F17/00 ,  C23C16/308 ,  C23C16/34 ,  C23C16/406

Abstract: Methods and compositions for depositing a cobalt containing film on one or more substrates are disclosed herein. A cobalt precursor, which comprises at least one pentadienyl ligand coupled to the cobalt for thermal stability, is introduced into a reaction chamber containing one or more substrates, and the cobalt precursor is deposited to form a cobalt containing film onto the substrate.

Abstract translation: 本文公开了在一个或多个基底上沉积含钴膜的方法和组合物。 将包含至少一个与钴偶联的戊二烯基配位体用于热稳定性的钴前体引入含有一个或多个基材的反应室中，并沉积钴前体以在基材上形成含钴膜。

公开(公告)号：WO2008122957A1

公开(公告)日：2008-10-16

申请号：PCT/IB2008/051326

申请日：2008-04-08

Applicant: L'AIR LIQUIDE - SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE ,  DUSSARRAT, Christian

Inventor： DUSSARRAT, Christian

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/40 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  C07F9/00

CPC classification number: H01L21/3141 ,  C07F9/005 ,  C23C16/34 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/318

Abstract: Methods and compositions for depositing high-k films are disclosed herein. In general, the disclosed methods utilize precursor compounds comprising Ta or Nb. More specifically, the disclosed precursor compounds utilize certain ligands coupled to Ta and/or Nb such as 1-methoxy-2-methyl-2-propanolate (mmp) to increase volatility. Furthermore, methods of depositing Ta or Nb compounds are disclosed in conjunction with use of Hf and/or Zr precursors to deposit Ta-doped or Nb-doped Hf and/or Zr films. The methods and compositions may be used in CVD, ALD, or pulsed CVD deposition processes.

Abstract translation: 本文公开了用于沉积高k膜的方法和组合物。 通常，所公开的方法使用包含Ta或Nb的前体化合物。 更具体地，所公开的前体化合物利用与Ta和/或Nb偶联的某些配体，例如1-甲氧基-2-甲基-2-丙醇酸（mmp）以增加挥发性。 此外，结合使用Hf和/或Zr前体来沉积Ta掺杂的或Nb掺杂的Hf和/或Zr膜来公开沉积Ta或Nb化合物的方法。 所述方法和组合物可用于CVD，ALD或脉冲CVD沉积工艺中。

公开(公告)号：WO2008078296A1

公开(公告)日：2008-07-03

申请号：PCT/IB2007/055260

申请日：2007-12-20

Applicant: L'AIR LIQUIDE-SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE ,  GATINEAU, Julien ,  DUSSARRAT, Christian

Inventor： GATINEAU, Julien ,  DUSSARRAT, Christian

IPC: C07F15/00 ,  C23C16/00

CPC classification number: C07F15/0046

Abstract: Novel ruthenium precursors having melting points no more than about 50°C are described herein. The disclosed ruthenium precursors may be liquids at 25°C, which enables their use without addition of a solvent and also eliminating a source of impurities. Pure ruthenium films or ruthenium containing films depending on the co-reactant used with the precursors may be obtained without detectable incubation time. Besides CVD, an ALD regime may be obtained for pure ruthenium deposition as well as for deposition of other ruthenium containing films (SrRuO 3 , RuO 2 for example).

Abstract translation: 本文描述了熔点不超过约50℃的新型钌前体。 所公开的钌前体可以是在25℃下的液体，这使得它们可以在不加入溶剂的情况下使用，也可以消除杂质源。 取决于与前体一起使用的共反应物的纯钌膜或含钌膜可以在没有可检测的孵育时间的情况下获得。 除了CVD之外，可以获得纯钌沉积以及其它含钌膜（例如SrR 3 O 3，RuO 2 N 2）的沉积的ALD状态。