公开(公告)号：WO2019049653A1

公开(公告)日：2019-03-14

申请号：PCT/JP2018/030857

申请日：2018-08-21

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 大井戸　敦 ,  山沢　和人 ,  川崎　克己

IPC: C30B29/20 ,  C30B33/02 ,  H01L21/318 ,  H01L21/86 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

CPC classification number: C30B29/20 ,  C30B33/02 ,  H01L21/318 ,  H01L21/86 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

Abstract: 基板１０は、結晶質の窒化アルミニウムを含む第一層Ｌ１と、結晶質のα‐アルミナを含む第二層Ｌ２と、第一層Ｌ１と第二層Ｌ２とによって挟まれ、アルミニウム、窒素及び酸素を含む中間層Ｌｍと、を備え、中間層Ｌｍにおける窒素の含有量が、第一層Ｌ１から第二層Ｌ２に向かう方向Ｚに沿って減少し、中間層Ｌｍにおける酸素の含有量が、第一層Ｌ１から第二層Ｌ２に向かう方向Ｚに沿って増加する。

公开(公告)号：WO2019026771A1

公开(公告)日：2019-02-07

申请号：PCT/JP2018/028129

申请日：2018-07-26

Applicant: 株式会社村田製作所

Inventor： 松原　弘 ,  泉谷　淳子 ,  原田　真臣 ,  香川　武史

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/33 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01G4/30 ,  H01G4/33 ,  H01L21/318

Abstract: 誘電体膜としてシリコン窒化膜を用いた場合において、Ｑ値を向上させたキャパシタを提供する。　本発明の一側面に係るキャパシタは、基板と、基板に形成された下部電極と、前記基板上又は下部電極上に形成された誘電体膜と、誘電体膜上に形成された上部電極と、を備え、誘電体膜はＳｉ原子とＮ原子の組成比の異なる２層以上のシリコン窒化膜で構成され、かつ、基板側又は下部電極側のシリコン窒化膜層のＳｉ原子とＮ原子の組成比率Ｓｉ／Ｎが上部電極側のシリコン窒化膜層のＳｉ／Ｎ組成比率よりも大きい。

公开(公告)号：WO2010151857A9

公开(公告)日：2011-05-19

申请号：PCT/US2010040137

申请日：2010-06-28

Applicant: UNIV CORNELL ,  SHEALY JAMES R ,  BROWN RICHARD

Inventor： SHEALY JAMES R ,  BROWN RICHARD

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336 ,  H01L29/778

CPC classification number: A61K38/4846 ,  A61K38/00 ,  C12N9/6437 ,  C12N9/644 ,  C12Y304/21021 ,  C12Y304/21022 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/318 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: A method for fabricating a semiconductor structure includes forming a semiconductor layer over a substrate and forming an aluminum-silicon nitride layer upon the semiconductor layer. When the semiconductor layer in particular comprises a III-V semiconductor material such as a group III nitride semiconductor material or a gallium nitride semiconductor material, the aluminum-silicon nitride material provides a superior passivation in comparison with a silicon nitride material.

Abstract translation: 一种制造半导体结构的方法包括在衬底上形成半导体层，并在半导体层上形成铝 - 氮化硅层。 当半导体层特别地包括诸如III族氮化物半导体材料或氮化镓半导体材料的III-V半导体材料时，与氮化硅材料相比，提供优异的钝化。

公开(公告)号：WO2010017427A1

公开(公告)日：2010-02-11

申请号：PCT/US2009/053059

申请日：2009-08-06

Applicant: SANDISK 3D, LLC ,  XU, Huiwen

Inventor： XU, Huiwen

IPC: H01L27/10

CPC classification number: H01L27/101 ,  G11C2213/35 ,  G11C2213/71 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/318 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/149 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1641 ,  H01L45/1675

Abstract: Memory cells, and methods of forming such memory cells, are provided that include a carbon-based reversible resistivity switching material. In particular embodiments, methods in accordance with this invention form a memory cell by (a) depositing a layer of the carbon material above a substrate; (b) doping the deposited carbon layer with a dopant; (c) depositing a layer of the carbon material over the doped carbon layer; and (d) iteratively repeating steps (b) and (c) to form a stack of doped carbon layers having a desired thickness. Other aspects are also provided.

Abstract translation: 提供了存储单元和形成这种存储单元的方法，其包括碳基可逆电阻率切换材料。 在特定实施例中，根据本发明的方法通过以下步骤形成存储器单元：（a）在基底上沉积碳材料层; （b）用掺杂剂掺杂沉积的碳层; （c）在所述掺杂碳层上沉积所述碳材料层; 和（d）重复地重复步骤（b）和（c）以形成具有期望厚度的掺杂碳层的堆叠。 还提供其他方面。

公开(公告)号：WO2010001815A1

公开(公告)日：2010-01-07

申请号：PCT/JP2009/061659

申请日：2009-06-25

Applicant: 三菱重工業株式会社 ,  三菱電機株式会社 ,  加福 秀考 ,  藤原 敏人 ,  西森 年彦 ,  嶋津 正 ,  保田 直紀 ,  信時 英治 ,  熊田 輝彦 ,  神山 卓也 ,  山本 哲也 ,  柴田 慎弥

Inventor： 加福　秀考 ,  藤原　敏人 ,  西森　年彦 ,  嶋津　正 ,  保田　直紀 ,  信時　英治 ,  熊田　輝彦 ,  神山　卓也 ,  山本　哲也 ,  柴田　慎弥

IPC: H01L21/312 ,  C23C16/38 ,  H01L21/318 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/318 ,  C23C16/342 ,  C23C16/507 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02274 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 　低誘電率、低リーク電流、高機械的強度の特性を備え、これらの特性の経時変化が小さく、耐水性に優れた半導体装置用絶縁膜、当該半導体装置用絶縁膜の製造方法及び製造装置、半導体装置及びその製造方法を提供する。そのため、所定のアルキルボラジン化合物を気化した原料ガスを含有するガスをチャンバ（２）内に供給し、誘導結合型プラズマ発生機構（４、５、６）を用いて、チャンバ（２）内に電磁波を入射して、ガスをプラズマとし、プラズマのプラズマ拡散領域に基板（８）を配置し、プラズマにより解離されたアルキルボラジン化合物中のボラジン骨格系分子を基本単位として気相重合し、半導体装置用絶縁膜として基板（８）に成膜する。

Abstract translation: 公开了一种具有低介电常数，低漏电流和高机械强度性质的半导体器件绝缘膜，随着时间的流逝，这些性能没有显着变化，并且具有优异的耐水性。 还公开了用于制造半导体器件用绝缘膜，半导体器件和半导体器件的制造方法的工艺和设备。 含有通过气化预定的烷基硼酸化合物获得的起始气体的气体被供应到室（2）中。 通过使用感应耦合等离子体产生机构（4,5,6）将电磁波引入腔室（2），以从气体产生等离子体。 衬底（8）设置在等离子体中的等离子体扩散区域中。 以等离子体离解的烷基硼烷化合物中的环硼烷骨架分子作为基本单位进行气相聚合，由此在基板（8）上形成半导体装置用绝缘膜。

公开(公告)号：WO2009031232A1

公开(公告)日：2009-03-12

申请号：PCT/JP2007/067484

申请日：2007-09-07

Applicant: キヤノンアネルバ株式会社 ,  真下公子 ,  北野尚武 ,  恒川孝二

Inventor： 真下公子 ,  北野尚武 ,  恒川孝二

IPC: C23C14/34 ,  H01L21/283 ,  H01L21/285 ,  H01L21/31 ,  H01L21/318 ,  H01L29/78 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC classification number: C23C14/34 ,  C23C14/165 ,  C23C14/225 ,  C23C14/505 ,  C23C14/568 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28229 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/318 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L43/12

Abstract: 基板載置台に載置された基板に対し、ターゲットを傾けて配置し、基板ホルダー径ｄ、ターゲット径Ｄにおいてｄ≧Ｄとなるようにし、基板載置台を基板上への成膜開始から停止までの間の総回転数Ｒが１０回転以上となるようにすることを特徴とするスパッタリング方法、及び装置を提供する。又、基板載置台の基板上へ成膜開始してから終了するまでの総回転数をＲ、総回転数Ｒから小数点以下を四捨五入した数値をＳとした時、Ｒ≦１０において、０．９５×Ｓ－０．０２５≦Ｒ≦１．０５×Ｓ＋０．０２５の式を満たすような総回転数Ｒとなるように、基板載置台の回転速度Ｖを制御することを特徴とするスパッタリング方法、及び装置を提供する。

Abstract translation: 溅射方法和系统，其特征在于，在满足d = D的关系的同时倾斜抵靠安装在基板安装台上的基板的方式布置目标，其中d是基板保持器的直径，D是目标直径，并且总转数 在停止膜沉积之前在基板上开始成膜后的基板安装台的R为10以上。 假设在停止膜沉积之前在安装在基板安装台上的基板上开始成膜后的基板安装台的总转数为R，并且通过使总转数R的十进制舍入而获得的数值为S 控制基板安装台的旋转速度V使得总共转数R对于R = 10满足表达式0.95xS-0.025 = R = 1.05×S + 0.025。

公开(公告)号：WO2008091985A3

公开(公告)日：2008-10-02

申请号：PCT/US2008051870

申请日：2008-01-24

Applicant: IBM ,  BELYANSKY MICHAEL P ,  BONILLA GRISELDA ,  LIU XIAO HU ,  NGUYEN SON VAN ,  SHAW THOMAS M ,  SHOBHA HOSADURGA K ,  YANG DAEWON

Inventor： BELYANSKY MICHAEL P ,  BONILLA GRISELDA ,  LIU XIAO HU ,  NGUYEN SON VAN ,  SHAW THOMAS M ,  SHOBHA HOSADURGA K ,  YANG DAEWON

IPC: H01L23/12

CPC classification number: H01L21/02123 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/318 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76834

Abstract: A dielectric cap (100) and related methods are disclosed. In one embodiment, the dielectric cap (100) includes a dielectric material (108) having an optical band gap (e.g., greater than about 3.0 electron-Volts) to substantially block ultraviolet radiation during a curing treatment, and including nitrogen with electron donor, double bond electrons. The dielectric cap (100) exhibits a high modulus and is stable under post ULK UV curing treatments for, for example, copper low k back-end-of-line (BEOL) nanoelectronic devices, leading to less film and device cracking and improved reliability.

Abstract translation: 公开了一种电介质帽（100）和相关方法。 在一个实施例中，电介质帽（100）包括具有光学带隙（例如，大于约3.0电子伏特）的介电材料（108）以在固化处理期间基本上阻挡紫外辐射，并且包括具有电子供体的氮， 双键电子。 电介质帽（100）表现出高模量，并且在例如铜低k线后端（BEOL）纳米电子器件的ULK UV固化处理下稳定，导致更少的膜和器件开裂以及更高的可靠性 。

公开(公告)号：WO2007106814A3

公开(公告)日：2008-09-25

申请号：PCT/US2007063888

申请日：2007-03-13

Applicant: TEXAS INSTRUMENTS INC ,  BU HAOWEN ,  KRISHNAN ANAND T ,  TSUI TING Y ,  DOSTALIK WILLIAM W ,  KHAMANKAR RAJESH

Inventor： BU HAOWEN ,  KRISHNAN ANAND T ,  TSUI TING Y ,  DOSTALIK WILLIAM W ,  KHAMANKAR RAJESH

IPC: H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/3105 ,  H01L21/268 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/318 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823871 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: The invention provides, one aspect, a method of fabricating a semiconductor device (100). In one aspect, the method includes forming a carbide layer (170) over a gate electrode (150) and depositing a pre-metal dielectric layer (175) over the carbide layer. The method provides a significant reduction in NBTI (negative bias temperature instability) drift.

Abstract translation: 本发明提供一个方面，一种制造半导体器件（100）的方法。 一方面，该方法包括在栅电极（150）上形成碳化物层（170），并在碳化物层上沉积预金属介电层（175）。 该方法显着降低了NBTI（负偏压温度不稳定性）漂移。

公开(公告)号：WO2008055007A3

公开(公告)日：2008-07-03

申请号：PCT/US2007081776

申请日：2007-10-18

Applicant: LAM RES CORP ,  YOON HYUNGSUK ALEXANDER ,  REDEKER FRITZ

Inventor： YOON HYUNGSUK ALEXANDER ,  REDEKER FRITZ

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/36

CPC classification number: H01L21/28562 ,  C23C16/029 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45529 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/318 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846

Abstract: Various embodiments provide improved processes and systems that produce a barrier layer with decreasing nitrogen concentration with the increase of film thickness. A barrier layer with decreasing nitrogen concentration with film thickness allows the end of barrier layer with high nitrogen concentration to have good adhesion with a dielectric layer and the end of barrier layer with low nitrogen concentration (or metal-rich) to have good adhesion with copper. An exemplary method of depositing a barrier layer on an interconnect structure is provided. The method includes (a) providing an atomic layer deposition environment, (b) depositing a barrier layer on the interconnect structure with a first nitrogen concentration during a first phase of deposition in the atomic layer deposition environment. The method further includes (c) continuing the deposition of the barrier layer on the interconnect structure with a second nitrogen concentration during a second phase deposition in the atomic layer deposition environment.

Abstract translation: 各种实施方案提供改进的方法和系统，其随着膜厚度的增加产生具有降低的氮浓度的阻挡层。 具有降低氮浓度的膜厚度的阻挡层允许具有高氮浓度的阻挡层的端部与电介质层和低氮浓度（或富含金属）的阻挡层的端部具有良好的粘附性以与铜具有良好的粘合性 。 提供了在互连结构上沉积阻挡层的示例性方法。 该方法包括（a）提供原子层沉积环境，（b）在原子层沉积环境中的第一沉积阶段期间，在互连结构上沉积具有第一氮浓度的势垒层。 该方法还包括（c）在原子层沉积环境中的第二相沉积期间，继续在互连结构上以第二氮浓度沉积阻挡层。

公开(公告)号：WO2008036423A2

公开(公告)日：2008-03-27

申请号：PCT/US2007020682

申请日：2007-09-24

Applicant: SHOCKING TECHNOLOGIES INC ,  KOSOWSKY LEX ,  FLEMING ROBERT

Inventor： KOSOWSKY LEX ,  FLEMING ROBERT

IPC: H01L27/082

CPC classification number: H01L21/312 ,  B82Y30/00 ,  H01C7/12 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/318 ,  Y10S438/90

Abstract: Formulations for voltage switchable dielectric materials include two or more different types of semiconductive materials uniformly dispersed within a dielectric matrix material. The semiconductive materials are selected to have different bandgap energies in order to provide the voltage switchable dielectric material with a stepped voltage response. The semiconductive materials can comprise inorganic particles, organic particles, or an organic material that is soluble in, or miscible with, the dielectric matrix material. Formulations optionally can also include electrically conductive materials. At least one of the conductive or semiconductive materials in a formulation can comprise particles characterized by an aspect ratio of at least 3 or greater.

Abstract translation: 可变压电介质材料的配方包括均匀分散在电介质基质材料中的两种或多种不同类型的半导体材料。 选择半导体材料具有不同的带隙能量，以便提供具有阶梯式电压响应的电压可切换介电材料。 半导体材料可以包括无机颗粒，有机颗粒或可溶于介质基质材料或与之混溶的有机材料。 制剂任选地还可以包括导电材料。 制剂中的导电或半导体材料中的至少一种可以包含由纵横比至少为3或更大的特征的颗粒。