Abstract:
In mindestens einer Ausführungsform des Konversionselements (1) ist dieses mit einem lichtdurchlässigen Matrixmaterial (2) gestaltet, in dem Wärmeleitpartikel (4) und mindestens ein Konversionsmittel (3) eingebettet sind, wobei das Konversionsmittel (3) dazu ausgestaltet ist, Licht einer Wellenlänge zumindest zum Teil in Licht einer anderen Wellenlänge umzuwandeln. Durch das Konversionsmittel (3) und/oder die Wärmeleitpartikel (4) sind Wärmeleitpfade P im Konversionselement (1) gebildet. Über solche, durch Wärmeleitpartikel (4) und Konversionsmittel (3) gebildete Wärmeleitpfade (P) kann Wärme aus dem Konversionselement (1) effizient abgeführt werden. Hierdurch erhöht sich die Konversionseffizienz des Konversionselements.
Abstract:
Es wird ein optoelektronisches Bauelement mit einem Gehäuse und einem in dem Gehäuse angeordneten Lumineszenzdiodenchip (1) angegeben, das eine Nutzstrahlung emittiert. Das Gehäuse weist ein für die Nutzstrahlung durchlässiges Gehäusematerial (5) auf, das zum Einstellen einer vorgegebenen Strahlstärke oder Lichtstärke der emittierten Nutzstrahlung gezielt mit Strahlungsabsorbierenden Partikeln (6) versetzt ist. Durch die Strahlungsabsorbierenden Partikel (6) wird die Strahlstärke oder die Lichtstärke gezielt um einen definierten Wert verringert, um so eine vorgegebene Strahlstärke oder Lichtstärke für das Bauelement einzustellen. Es wird zudem ein Verfahren zum Herstellen eines derartigen optoelektronischen Bauelements angegeben.
Abstract:
Eine Ausführungsform der Erfindung gibt ein Epoxidharzsystem an, das eine epoxidhaltige A-Komponente enthält, die zumindest ein cycloaliphatisches oder aliphatisches Epoxidharz enthält, das mittels destillativer Reinigung erhältlich ist. Als B-Komponente ist zumindest ein Säureanhydrid aus einer cycloaliphatischen und aliphatischen Carbonsäure, zumindest ein saurer Ester der Carbonsäure, zumindest eine organische Zink 2+ -Komplexverbindung und zumindest eine phosphororganische Verbindung vorhanden. Derartige Epoxidharzsysteme und daraus hergestellte Epoxidharzformstoffe weisen eine erhöhte Vergilbungsstabilität auf.
Abstract:
The invention relates to an optical element for coupling out light and/or converting light from a light-emitting semiconductor chip (5), comprising at least one layer selected from a wavelength conversion layer (1), a diffusion layer (2), a light out-coupling layer (3), and a lens layer (7), which each have a plastic that can be processed in a compressing molding process. The invention further relates to an optoelectronic component, comprising a substrate (4) having a light-emitting semiconductor chip (5) and an optical element, and to a method for producing an optical element and an optoelectronic component.
Abstract:
Es wird ein optisches Element zur Lichtauskopplung und/oder Konversion von Licht aus einem Licht emittierenden Halbleiterchip (5) mit zumindest einer Schicht ausgewählt aus einer Wellenlängenkonversionsschicht (1), einer Streuschicht (2), einer Lichtauskoppelschicht (3) und einer Linsenschicht (7) angegeben, die jeweils einen in einem Formpressverfahren verarbeitbaren Kunststoff aufweisen. Weiterhin werden ein optoelektronisches Bauelement mit einem Träger (4) mit einem Licht emittierenden Halbleiterchip (5) und einem optischen Element sowie Verfahren zur Herstellung eines optischen Elements und eines optoelektronischen Bauelements angegeben.
Abstract:
Es wird ein Verfahren zur Herstellung zumindest eines optoelektronischen Halbleiterbauelements mit den folgenden Schritten angegeben: a) Bereitstellen eines Trägers (1) und Aufbringen einer Mehrzahl von in lateraler Richtung (L) beabstandet zueinander angeordneten optoelektronischen Halbleiterchips (2) an einer Oberseite (12) des Trägers (1); c) Aufbringen zumindest einer reflektierenden Umhüllung (3) auf freiliegende Stellen des Trägers (1) und Seitenflächen (24) der optoelektronischen Halbleiterchips (2); d) Einbringen von Öffnungen (5) in die reflektierende Umhüllung (3), welche die reflektierende Umhüllung (3) vollständig durchdringen; e) Anordnen von elektrisch leitfähigem Material (8) auf der reflektierenden Umhüllung (3) und zumindest stellenweise in den Öffnungen (5), wobei - Strahlungsdurchtrittsflächen (25) der optoelektronischen Halbleiterchips (2) frei von der reflektierenden Umhüllung (3) sind, und - die reflektierende Umhüllung (3) die optoelektronischen Halbleiterchips (2) seitlich nicht überragt.
Abstract:
Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips angegeben, bei dem eine erste wellenlängenkonvertierende Schicht (8) über der Strahlungsaustrittsfläche (2) eines Halbleiterkörpers (1) aufgebracht wird, wobei das Aufbringungsverfahren aus der folgenden Gruppe gewählt ist: Sedimentation, Elektrophorese. Über der Strahlungsaustrittsfläche (2) des Halbleiterkörpers (1) wird weiterhin eine zweite wellenlängenkonvertierende Schicht (4) aufgebracht, wobei die zweite wellenlängenkonvertierende Schicht (4) entweder in einem separaten Verfahrensschritt hergestellt und nachfolgend aufgebracht wird oder das Aufbringungsverfahren aus der folgenden Gruppe gewählt ist: Sedimentation, Elektrophorese, Drucken. Weiterhin werden ein strahlungsemittierender Halbleiterchip sowie ein strahlungsemittierendes Bauelement angegeben.
Abstract:
In at least one embodiment of the conversion element (1) the latter comprises a light-permeable matrix material (2) into which heat-conducting particles (4) and at least one conversion means (3) are embedded, said conversion means (3) being designed to at least partially convert light of a certain wavelength to light of a different wavelength. The conversion means (3) and/or the heat-conducting particles (4) form heat-conducting paths P in the conversion element (1). Heat can be efficiently carried off from the conversion element (1) via the heat-conducting paths P formed by the heat-conducting particles (4) and the conversion means (3), thereby increasing the conversion efficiency of the conversion element.
Abstract:
Es wird ein Halbleiterbauelement angegeben, das einen Halbleiterchip (1) umfasst, der eine zur Strahlungserzeugung geeignete aktive Schicht (1a) aufweist, die geeignet ist, Strahlung im blauen Wellenlängenbereich zu emittieren. Dem Halbleiterchip (1) ist in Abstrahlrichtung ein erster Konverter (3a) nachgeordnet, der eine Ce-Dotierung umfasst. Zudem ist dem Halbleiterchip (1) in Abstrahlrichtung ein zweiter Konverter (3b) nachgeordnet, der eine Ce-Dotierung von höchstens 1,5 % umfasst. Weiter ist ein Modul mit einer Mehrzahl derartiger Bauelemente angegeben.
Abstract:
Eine Beleuchtungseinrichtung (1) umfasst mindestens ein zumindest teilweise sichtbares Licht emittierendes Element (2), sowie mindestens ein Konversionsmittel (3), das zumindest einen Teil der vom Element (2) emittierten Strahlung in eine Strahlung einer anderen Frequenz konvertiert. Außerdem umfasst die Beleuchtungseinrichtung (1) mindestens ein Filtermittel (4), das zumindest einen Teil der Strahlung filtert, und das so ausgestaltet ist, dass sich für zumindest eine vorgegebene Farbsättigung oder einen vorgegebenen Farbton die Menge des einzusetzenden Konversionsmittels (4) reduziert. Das heißt, verglichen mit einer der Beleuchtungseinrichtung (1) bis auf das Filtermittel (4) entsprechenden Lichtquelle wird, um dieselbe Farbsättigung beziehungsweise denselben Farbton zu erzielen, Konversionsmittel (3) eingespart. Durch eine solche Beleuchtungseinrichtung (1) lässt sich Licht einer vorgegebenen Farbsättigung beziehungsweise eines vorgegebenen Farbtons effizient erzeugen und die Beleuchtungseinrichtung (1) ist kostengünstig herzustellen. Auch weist sie im Betrieb hohe Lichtintensitäten und eine große Lebensdauer auf.