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    WELLENLÄNGENKONVERSIONSELEMENT, OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT MIT EINEM WELLENLÄNGENKONVERSIONSELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES WELLENLÄNGENKONVERSIONSELEMENTS
    1.
    发明申请
    WELLENLÄNGENKONVERSIONSELEMENT, OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT MIT EINEM WELLENLÄNGENKONVERSIONSELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES WELLENLÄNGENKONVERSIONSELEMENTS 审中-公开
    波长转换元件，具有波长转换元件及其制造方法的波长转换元件，光电电子元件

    公开(公告)号：WO2011151156A1

    公开(公告)日：2011-12-08

    申请号：PCT/EP2011/057801

    申请日：2011-05-13

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  PREUSS, Stephan ,  GALLMEIER, Hans-Christoph ,  SPATH, Günter

    Inventor： PREUSS, Stephan ,  GALLMEIER, Hans-Christoph ,  SPATH, Günter

    IPC: H01L33/50

    CPC classification number: H01L33/505 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2924/00

    Abstract: Es wird ein Wellenlängenkonversionselement (1) mit einem Matrixmaterial und einem im Matrixmaterial eingebetteten Wellenlängenkonversionsstoff angegeben, wobei das Matrixmaterial schichtförmig mit einer Haupterstreckungsebene (9) ausgebildet ist und eine senkrecht zur Haupterstreckungsebene (9) in das Wellenlängenkonversionselement (1) ragende Vertiefung (10) aufweist, die von einem entlang der Haupterstreckungsebene (9) zumindest teilweise umlaufenden Rand (11) umgeben ist, wobei das Wellenlängenkonversionselement (1) selbsttragend ist. Weiterhin werden ein optoelektronisches Bauelement mit einem Wellenlängenkonversionselement auf einem Licht emittierenden Halbleiterchip und ein Verfahren zur Herstellung eines Wellenlängenkonversionselements angegeben.

    Abstract translation: 本发明提供一种波长转换元件（1）与基体材料和嵌入在所述基体材料的波长转换材料，其中，在形成所述基质材料中的层与主延伸平面（9）和垂直于所述主延伸平面（9）中的波长转换元件（1）突出的凹部（10） 至少部分地沿主延伸平面的周向（9）的边缘（11）所包围，其中，所述波长转换元件（1）是自支撑的。 此外，光电元件都标有一个半导体芯片上的波长转换部件发射光并且用于制造波长变换元件的方法。

    METHOD FOR PRODUCING A SILICONE FOIL, SILICONE FOIL AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT COMPRISING A SILICONE FOIL
    3.
    发明申请
    METHOD FOR PRODUCING A SILICONE FOIL, SILICONE FOIL AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT COMPRISING A SILICONE FOIL 审中-公开
    方法有硅薄膜，硅膜和光电半导体元件与硅薄膜

    公开(公告)号：WO2012045511A3

    公开(公告)日：2012-06-07

    申请号：PCT/EP2011064174

    申请日：2011-08-17

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  PREUSS STEPHAN ,  GELTL TOBIAS ,  SCHILLER THOMAS ,  GALLMEIER HANS-CHRISTOPH

    Inventor： PREUSS STEPHAN ,  GELTL TOBIAS ,  SCHILLER THOMAS ,  GALLMEIER HANS-CHRISTOPH

    IPC: B29C43/18 ,  B29C43/20 ,  B29C43/40 ,  B29C69/00 ,  H01L33/52

    CPC classification number: B29C67/24 ,  B29C43/021 ,  B29C43/18 ,  B29C43/206 ,  B29C43/40 ,  B29C69/001 ,  B29L2011/0016 ,  H01L33/44 ,  H01L33/48 ,  H01L2933/0025 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/24372

    Abstract: In at least one embodiment of the method, the latter serves for producing a silicone foil (2) by means of molding for use in an optoelectronic semiconductor component (10). The method comprises the following steps: introducing a mold foil (1) into a mold (5), introducing a carrier foil (3) into the mold (5), wherein the carrier foil (3) is fitted on a substrate foil (4) and the substrate foil (4) projects laterally beyond the carrier foil (3), providing and applying a silicone base composition (20) to the mold foil (1) or to the carrier foil (3), molding the silicone base composition (20) to form the silicone foil (2) between the mold foil (1) and the carrier foil (3), wherein the silicone base composition is brought into contact with the substrate foil (4) in an overlap region (24) laterally alongside the carrier foil (3), removing the mold foil (1) from the silicone foil (2), and separating the overlap region (24).

    Abstract translation: 在此所述方法的至少一个实施例中用于产生通过用在光电子半导体器件（10）的按压的硅膜（2）。 该方法包括以下步骤：将工具用片材（1）在一个压制工具（5），引入载体膜（3）在压制工具（5），其特征在于，在基材膜（4），所述支撑膜（3）被安装和基材膜 （4）所述载体箔（3）横向伸出，从而提供与施加有机硅基础材料（20）的工具用片材（1）或所述载体膜（3），按硅氧烷基材料（20）到所述硅膜（2）之间的工具用片材（1 放置）和所述载体箔（3），其中，在重叠区域的硅基底材料（24）横向地邻近与基材膜（4）接触所述载体膜（3），在移除工具用片材（1）（有机硅膜2）的，和分离 重叠（24）。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER LEUCHTDIODE UND LEUCHTDIODE
    5.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER LEUCHTDIODE UND LEUCHTDIODE 审中-公开
    一种用于生产发光二极管和发光二极管

    公开(公告)号：WO2013029862A1

    公开(公告)日：2013-03-07

    申请号：PCT/EP2012/063872

    申请日：2012-07-16

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  STOLL, Ion ,  GALLMEIER, Hans-Christoph ,  PETERSEN, Kirstin

    Inventor： STOLL, Ion ,  GALLMEIER, Hans-Christoph ,  PETERSEN, Kirstin

    IPC: H01L33/50

    CPC classification number: H01L33/502 ,  H01L33/504 ,  H01L33/508 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2924/00

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode mit den folgenden Schritten angegeben: - Bereitstellen zumindest eines Leuchtdiodenchips (1), - Bereitstellen einer Suspension umfassend ein Lösungsmittel (2) und Partikel (3) zumindest eines Leuchtstoffes, - Anordnen des zumindest einen Leuchtdiodenchips (1) in der Suspension, - elektrophoretisches Abscheiden der Partikel auf einer Außenfläche (1a) des zumindest einen Leuchtdiodenchips (1), - Fertigstellen der Leuchtdiode.

    Abstract translation: 提供了一种方法，用于制造发光二极管，包括以下步骤： - 提供至少一个发光二极管芯片（1）， - 提供悬浮液，其包括溶剂（2）和颗粒（3）的至少一种磷光体， - 将所述至少（一个发光二极管芯片1 ）在悬浮液中， - 在其外表面上1a上的至少一个发光二极管芯片（1）的粒子（电泳沉积）， - 在完成发光二极管。

    VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER MEHRZAHL VON HALBLEITERBAUELEMENTEN
    6.
    发明申请
    VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER MEHRZAHL VON HALBLEITERBAUELEMENTEN 审中-公开
    用于生产半导体元件的多个

    公开(公告)号：WO2012089531A1

    公开(公告)日：2012-07-05

    申请号：PCT/EP2011/072944

    申请日：2011-12-15

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  GALLMEIER, Hans-Christoph ,  SPATH, Günter ,  BRUNNER, Herbert

    Inventor： GALLMEIER, Hans-Christoph ,  SPATH, Günter ,  BRUNNER, Herbert

    IPC: H01L33/00 ,  H01L33/50

    CPC classification number: H01L33/50 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/505 ,  H01L2224/48 ,  H01L2933/0041

    Abstract: Es ist ein Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementen (10) angegeben, die jeweils mindestens einen Halbleiterchip (1) und ein Konverterplättchen (2) aufweisen. Hierzu wird eine Mehrzahl von Halbleiterchips (1) im Waferverbund (10a) bereitgestellt, die jeweils geeignet sind, eine Primärstrahlung zu emittieren. Zudem wird eine Mehrzahl von Konverterplättchen (2) auf einem gemeinsamen Träger (2a) bereitgestellt, die jeweils geeignet sind, die Primärstrahlung in eine Sekundärstrahlung umzuwandeln, wobei jeweils ein Konverterplättchen (2) auf einem Halbleiterchip (1) oder auf mehrere Halbleiterchips (1) mittels eines automatisierten Verfahrens montiert wird.

    Abstract translation: 提供了一种方法，用于制造多个发射辐射的半导体器件（10），每一个具有至少一个半导体芯片（1）和转换器板（2）。 为了这个目的，多个在复合晶片（10A）的半导体芯片（1）被提供，其每一个是适于发出初级辐射。 另外，设置于一个共同的载体上的多个转换器板（2）的（2A）中，其每一个都能够在半导体芯片上的初级辐射转换器板（2）转换为次级辐射，其特征在于，在每种情况下的（1）或上的多个半导体芯片（1） 由自动过程的方式来安装。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS MIT EINER DRAHTLOSEN KONTAKTIERUNG
    7.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS MIT EINER DRAHTLOSEN KONTAKTIERUNG 审中-公开
    方法制造光电子器件与无线接触

    公开(公告)号：WO2013045576A1

    公开(公告)日：2013-04-04

    申请号：PCT/EP2012/069126

    申请日：2012-09-27

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  GEBUHR, Tobias ,  GALLMEIER, Hans-Christoph

    Inventor： GEBUHR, Tobias ,  GALLMEIER, Hans-Christoph

    IPC: H01L33/62 ,  H01L33/44 ,  H01L33/50

    CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L33/44 ,  H01L33/50 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements angegeben, bei dem ein Lumineszenzdiodenchip (10) an einer Grundfläche (8) auf den ersten Anschlussbereich (1) eines Trägers (3) montiert wird. Eine elektrisch isolierende Schicht (4) wird auf Seitenflanken (17) des Lumineszenzdiodenchips (10) aufgebracht. Nachfolgend wird eine elektrisch leitfähige Schicht (5), welche von einem zweiten Anschlusskontakt (12) des Lumineszenzdiodenchips (10) über die elektrisch isolierende Schicht (4) zu einem zweiten Anschlussbereich (2) auf dem Träger (3) führt, aufgebracht. Es wird eine Fotolackschicht (7) auf die elektrisch leitfähige Schicht (5) aufgebracht, die durch Anlegen einer elektrischen Spannung an den Lumineszenzdiodenchip (10), so dass der Lumineszenzdiodenchip (10) Strahlung (23) emittiert, belichtet wird. Nach dem Entwickeln der Fotolackschicht (7) wird ein auf der Strahlungsaustrittsfläche (9) angeordneter Teil der elektrisch leitfähigen Schicht (5) mit einem Ätzprozess, bei dem die Fotolackschicht (7) als Maske dient, entfernt.

    Abstract translation: 提供了一种用于制造在其中的基座（8）的第一连接区域上的LED芯片（10）（1）的载体（3）上安装有光电器件的方法。 的电绝缘层（4）被施加到LED芯片（10）的侧翼（17）。 随后，导电层（5）从通过所述电绝缘层（4）的LED芯片（10）的第二端子触点（12）的第二连接区域（2）（3）上引出的支撑件延伸，施加。 这是光致抗蚀剂层（7）通过将电压施加到以使得所发射的发光二极管（10）的辐射（23）被暴露的LED芯片（10）施加到所述导电（5）层。 显影光刻胶层（7）之后，一个辐射出射表面（9）上与其中光致抗蚀剂层（7）作为掩模被去除的蚀刻工艺设置在所述导电层（5）的一部分。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG ZUMINDEST EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTS
    8.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG ZUMINDEST EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTS 审中-公开
    方法用于生产至少一个光电半导体器件

    公开(公告)号：WO2012110147A1

    公开(公告)日：2012-08-23

    申请号：PCT/EP2011/073646

    申请日：2011-12-21

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  GEBUHR, Tobias ,  GALLMEIER, Hans-Christoph ,  BRUNNER, Herbert ,  PETERSEN, Kirstin

    Inventor： GEBUHR, Tobias ,  GALLMEIER, Hans-Christoph ,  BRUNNER, Herbert ,  PETERSEN, Kirstin

    IPC: H01L33/62 ,  H01L33/54 ,  H01L33/60

    CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L33/50 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/24 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0066

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung zumindest eines optoelektronischen Halbleiterbauelements mit den folgenden Schritten angegeben: a) Bereitstellen eines Trägers (1) und Aufbringen einer Mehrzahl von in lateraler Richtung (L) beabstandet zueinander angeordneten optoelektronischen Halbleiterchips (2) an einer Oberseite (12) des Trägers (1); c) Aufbringen zumindest einer reflektierenden Umhüllung (3) auf freiliegende Stellen des Trägers (1) und Seitenflächen (24) der optoelektronischen Halbleiterchips (2); d) Einbringen von Öffnungen (5) in die reflektierende Umhüllung (3), welche die reflektierende Umhüllung (3) vollständig durchdringen; e) Anordnen von elektrisch leitfähigem Material (8) auf der reflektierenden Umhüllung (3) und zumindest stellenweise in den Öffnungen (5), wobei - Strahlungsdurchtrittsflächen (25) der optoelektronischen Halbleiterchips (2) frei von der reflektierenden Umhüllung (3) sind, und - die reflektierende Umhüllung (3) die optoelektronischen Halbleiterchips (2) seitlich nicht überragt.

    Abstract translation: 它是用于制造由下列步骤所指示的至少一个光电子半导体器件的方法：a）提供一个支撑件（1）和将多个（在横向方向L）相互隔开的光电子半导体芯片（2）上的一个顶侧（12） 载体（1）; c）中在载体上的外露部分施加至少一个反射罩（3）的光电子半导体芯片（1）和侧表面（24）（2）; d）在反射信封导入开口部（5）（3），其穿透反射包络（3）完全; E）（3），并且在所述开口（5）至少局部地在反射包络设置导电材料（8），其特征在于， - 所述辐射通道中的光电子半导体芯片的表面（25）（2）自由（反射罩3）的，并 - 反射包络（3），所述光电子半导体芯片（2）不横向伸出。

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