ナノ半導体粒子およびその製造方法
    1.
    发明申请
    ナノ半導体粒子およびその製造方法 审中-公开
    半导体纳米材料及其生产工艺

    公开(公告)号:WO2007086279A1

    公开(公告)日:2007-08-02

    申请号:PCT/JP2007/050495

    申请日:2007-01-16

    CPC classification number: C01B33/023 B82Y30/00

    Abstract:  本発明は、二次凝集を抑制しつつ、結晶子のサイズを均一にすることと、高い結晶性とを同時に実現したナノ半導体粒子の製造方法を提供する。このナノ半導体粒子の製造方法は、(a工程)半導体原料からナノサイズの粒子群を発生させ、当該粒子群を気相中に分散させる工程と、(b工程)当該粒子群を、気相中で分散した状態を保持した状態で当該粒子に熱処理を施す工程と、(c工程)前記熱処理を施した粒子群を熱処理後直ちに、当該熱処理を施した粒子群の粒子表面を表面修飾する表面修飾剤の溶液で捕集する工程とを含むことを特徴とする。

    Abstract translation: 制造半导体纳米颗粒的方法,其实现均匀的微晶尺寸和高结晶度,其聚集被抑制。 该方法的特征在于包括从半导体原料产生纳米尺寸颗粒并将颗粒分散在气相中的步骤(a),在保持颗粒处于分散状态的同时热处理颗粒的步骤(b) 在气相中的步骤(c),并且用热处理后的热处理颗粒用用于改性颗粒表面的表面改性剂的溶液收集步骤(c)。

    蛍光体の製造方法及び蛍光体
    2.
    发明申请
    蛍光体の製造方法及び蛍光体 审中-公开
    生产磷和磷的方法

    公开(公告)号:WO2006109396A1

    公开(公告)日:2006-10-19

    申请号:PCT/JP2006/305108

    申请日:2006-03-15

    CPC classification number: C09K11/595

    Abstract:  本発明は、光学特性及び劣化特性の向上が図られた蛍光体の製造方法を提供するものであり、液相法によって得られた蛍光体の前駆体を、酸素含有雰囲気下で所定の温度によって焼成処理する第1焼成工程の後に、焼成処理後の蛍光体の前駆体を第1焼成工程における焼成温度以下の温度によって焼成処理する第2焼成工程とを具備する。

    Abstract translation: 公开了一种提高光学特性和劣化特性的荧光体的制造方法。 该方法包括第一烧制步骤,其中通过液相法获得的荧光体的前体在含氧气氛中在一定温度下烧制,以及随后的第二烧成步骤,其中将如此烧制的荧光体的前体在 在第一烧成工序中不高于烧成温度的温度。

    近赤外発光蛍光体ナノ粒子、その製造方法、及び生体物質標識剤
    6.
    发明申请
    近赤外発光蛍光体ナノ粒子、その製造方法、及び生体物質標識剤 审中-公开
    近红外发光磷光体纳米颗粒,其生产方法和标记生物物质的试剂

    公开(公告)号:WO2008152868A1

    公开(公告)日:2008-12-18

    申请号:PCT/JP2008/058629

    申请日:2008-05-09

    Abstract:  粒径が極微小でありながら、発光強度が高い近赤外発光蛍光体ナノ粒子、その製造方法、及び該近赤外発光蛍光体ナノ粒子を用いた生体物質標識剤を提供することが目的であり、該近赤外発光蛍光体ナノ粒子は、平均粒径が2~50nmであり、且つ700~900nmの赤外光により励起され、700~2000nmの範囲に発光を示し、その組成は下記一般式(a)で表されることを特徴とする。  一般式(a) AB 1-x-y Nd x Yb y P 4 O 12 (式中、AはLi、Na、K、Rb、Csから選ばれる少なくとも1種、BはSc、Y、La、Ce、Gd、Lu、Ga、Inから選ばれる少なくとも1種であって、0.05≦x≦0.999、0.001≦y≦0.950、x+y≦1.0である。)

    Abstract translation: 公开了具有高发光强度,同时具有非常小的粒径的近红外发光荧光体纳米颗粒。 还公开了用于制造这种近红外发光荧光体纳米颗粒的方法,以及使用这种近红外发光荧光体纳米颗粒来标记生物物质的试剂。 近红外发光荧光体纳米颗粒的特征在于平均粒径为2-50nm,当通过700-900nm的红外光激发时,发射光在700-2000nm的范围内。 该近红外发光荧光体纳米粒子的特征还在于具有以下通式(a)表示的组成。 通式(a):AB1-x-yNdxYbyP4O12(式中,A表示选自Li,Na,K,Rb和Cs中的至少一种元素; B表示选自Sc,Y,La,Ce, Gd,Lu,Ga和In; x和y满足以下关系:0.05 = x = 0.999,0.001 = y = 0.950,x + y = 1.0。

    コア・シェル構造を有するナノ半導体粒子およびその製造方法
    8.
    发明申请
    コア・シェル構造を有するナノ半導体粒子およびその製造方法 审中-公开
    具有核/壳结构的半导体纳米颗粒及其制造方法

    公开(公告)号:WO2007086267A1

    公开(公告)日:2007-08-02

    申请号:PCT/JP2007/050409

    申请日:2007-01-15

    Abstract:  本発明は、シェル厚/コア部粒子径比が、光学素子の光学特性として最適な比率を有するコア・シェル構造を有するナノ半導体粒子を提供することを目的とする。 本発明のナノ半導体粒子は、シェル部の厚みがコア部の粒子径に対して1/2以下であるコア・シェル構造をもつ。コア部の粒子径が20nm未満であり、かつ、シェル部の厚みが0.2nm以上である。あるいはコア部の粒子径が20nm~100nmであり、かつ、シェル部の厚みがコア部の粒子径に対して1/100以上である。さらにコア部に、B、C、N、Al、Si、P、S、Zn、Ga、Ge、As、Se、Cd、In、SbおよびTeよりなる群から選ばれる、少なくとも1つ以上の元素を含有する。またシェル部が、コア部よりもバンドギャップが大きい組成から構成されていることを特徴としている。

    Abstract translation: 具有核/壳结构的半导体纳米颗粒,其中壳厚度与芯部分的粒径的比率是对于光学元件所需的光学性质最佳的值。 半导体纳米颗粒具有核/壳结构,其中壳部的厚度不大于芯部的粒径的一半。 芯部的粒径小于20nm,壳部的厚度为0.2nm以上。 或者,芯部的粒径为20〜100nm,壳部的厚度为芯部的粒径的1/100。 核心部分含有选自B,C,N,Al,Si,P,S,Zn,Ga,Ge,As,Se,Cd,In,Sb和Te中的至少一种元素。 半导体纳米颗粒的特征在于,壳部分包括具有比芯部更大的带隙的组合物。

    半導体ナノ粒子集合体、その製造方法、及びそれを用いた生体物質標識剤
    9.
    发明申请
    半導体ナノ粒子集合体、その製造方法、及びそれを用いた生体物質標識剤 审中-公开
    半导体纳米粒子聚集体,半导体纳米粒子聚集体的制造方法和使用半导体纳米粒子聚集体的生物物质标记试剂

    公开(公告)号:WO2008032599A1

    公开(公告)日:2008-03-20

    申请号:PCT/JP2007/067181

    申请日:2007-09-04

    CPC classification number: G01N33/588 B82Y15/00 G01N33/533 G01N33/54346

    Abstract:  粒径が異なり、粒径分布が狭く、かつ380nm~650nmの波長領域内における発光スペクトルの極大発光波長が異なる3種類以上の半導体ナノ粒子からなる半導体ナノ粒子集合体とその製造方法を提供すること、更には、当該半導体ナノ粒子集合体を利用した生体物質標識剤を提供することは、同一化学組成であって、1.8~4nmの粒径範囲で粒径が異なり、かつ380nm~650nmの波長領域内における発光スペクトルの極大発光波長が異なる3種類以上の半導体ナノ粒子からなる半導体ナノ粒子集合体において、該半導体ナノ粒子集合体を構成する少なくとも3種類以上の半導体ナノ粒子の極大発光波長相互の差異が20~100nmの範囲内であることを特徴とする半導体ナノ粒子集合体とその製造方法、更には、当該半導体ナノ粒子集合体を利用した生体物質標識剤によって達成される。

    Abstract translation: 本发明提供包含三种或更多种类型的半导体纳米颗粒的半导体纳米颗粒聚集体,其直径彼此不同,具有窄的粒度分布,并且在波长区域中的发射光谱的最大发光波长彼此不同 380nm至650nm的半导体纳米颗粒聚集体的制造方法和利用半导体纳米颗粒聚集体的生物物质标记剂。 半导体纳米颗粒聚集体包括具有相同化学组成的三种或更多种类型的半导体纳米颗粒,其粒径彼此不同,并且在1.8-4nm的粒径范围内,并且在最大发光波长 在380至650nm的波长范围内的发射光谱。 半导体纳米颗粒聚集体的特征在于,构成半导体纳米颗粒聚集体的三种或更多种类型的半导体纳米颗粒中的最大发光波长的差异在20至100nm的范围内。

    ナノ半導体粒子
    10.
    发明申请
    ナノ半導体粒子 审中-公开
    纳米颗粒颗粒

    公开(公告)号:WO2007086321A1

    公开(公告)日:2007-08-02

    申请号:PCT/JP2007/050783

    申请日:2007-01-19

    Abstract:  本発明は、コア部の粒子径分布およびシェリングされた粒子の粒子径分布が、光学素子であるナノ粒子の光学特性が最適化するコア・シェル構造のナノ半導体粒子を提供する。このナノ半導体粒子は、コア部とシェル部とから構成されるコア・シェル構造を有し、シェリングされた粒子の平均粒子径が100nm以下であり、かつ、該コア部の粒子径の変動係数が30%以内であることを特徴とする。

    Abstract translation: 提供了纳米半导体颗粒,其中核心部分的粒径分布和带壳颗粒的粒径分布具有核 - 壳结构,其中纳米颗粒(即光学元件)的光学特性被优化。 纳米半导体颗粒具有由核心部分和壳部分组成的核 - 壳结构。 被壳粒子的平均粒径为100nm以下,芯部的粒径的变动系数在30%以内。

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