公开(公告)号：WO2013152536A1

公开(公告)日：2013-10-17

申请号：PCT/CN2012/074968

申请日：2012-05-02

Applicant: 北京大学 ,  蔡一茂 ,  毛俊 ,  黄如 ,  谭胜虎 ,  黄英龙 ,  潘越

Inventor： 蔡一茂 ,  毛俊 ,  黄如 ,  谭胜虎 ,  黄英龙 ,  潘越

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC classification number: H01L45/1253 ,  H01L45/04 ,  H01L45/122 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625

Abstract: 本发明公开了一种小电极结构阻变存储器及其制备方法，属于超大集成规模中半导体阻变存储器领域。本发明的阻变存储器包括Al电极层、SiO2层、Si层，阻变层和下电极层；其中，Al电极层与阻变层通过一个或多个导电通道电连接，所述导电通道为Al经SiO2层缺陷渗入到Si层而使Si溶解于Al形成的。本方法为：首先在沉底上依次制备一下电极层、一阻变层、一Si层、一SiO2层；然后在所述SiO2层上制备一Al电极层；最后对上述所得结构进行退火处理。本方法使用常规的技术工艺成本，就可以得到很小的实际电极，降低了成本，优化了器件，用较低的代价实现更小的实际电极面积。

公开(公告)号：WO2013037195A1

公开(公告)日：2013-03-21

申请号：PCT/CN2012/070952

申请日：2012-02-08

Applicant: 北京大学 ,  黄如 ,  杨庚雨 ,  蔡一茂 ,  唐昱 ,  张丽杰 ,  潘越 ,  谭胜虎 ,  黄应龙

Inventor： 黄如 ,  杨庚雨 ,  蔡一茂 ,  唐昱 ,  张丽杰 ,  潘越 ,  谭胜虎 ,  黄应龙

IPC: H01L45/00 ,  G11C11/56

CPC classification number: H01L45/08 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: 一种大容量多值阻变存储器，包括上电极（1）和下电极（4），在上、下电极之间插入多个阻变材料层（2）和缺陷层（3）组合，其中，与上、下电极接触的是阻变材料层（2），阻变材料层（2）为例如Ta 2 O 5 、TiO 2 、HfO 2 等薄膜，阻变材料层（2）之间是缺陷层（3），缺陷层（3）为例如Ti、Au、Ag等金属薄膜，可增加阻变存储器的存储容量。

公开(公告)号：WO2012051917A1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：PCT/CN2011/080773

申请日：2011-10-14

Applicant: 北京大学 ,  蔡一茂 ,  黄如 ,  秦石强 ,  唐粕人 ,  唐昱 ,  谭胜虎 ,  黄欣 ,  潘越

Inventor： 蔡一茂 ,  黄如 ,  秦石强 ,  唐粕人 ,  唐昱 ,  谭胜虎 ,  黄欣 ,  潘越

IPC: G11C16/06

CPC classification number: H01L29/42352 ,  G11C16/0475 ,  H01L29/7887 ,  H01L29/7923

公开(公告)号：WO2013007113A1

公开(公告)日：2013-01-17

申请号：PCT/CN2012/071426

申请日：2012-02-22

Applicant: 北京大学 ,  黄如 ,  唐昱 ,  蔡一茂 ,  张丽杰 ,  杨庚雨 ,  谭胜虎 ,  潘越 ,  唐粕人

Inventor： 黄如 ,  唐昱 ,  蔡一茂 ,  张丽杰 ,  杨庚雨 ,  谭胜虎 ,  潘越 ,  唐粕人

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/28

CPC classification number: H01L45/149 ,  H01L45/1675 ,  H01L51/0591

Abstract: 本发明公开了一种透明柔性阻变存储器及其制备方法，包括一透明的柔性衬底和衬底上的MIM电容结构的器件单元，所述器件单元的底层和顶层为透明柔性电极，中间功能层为聚对二甲苯透明薄膜。聚对二甲苯材料具有良好的阻变特性，器件中衬底、电极和中间功能层均采用透明柔性材料制备，得到全透明的柔性阻变存储器，可应用于透明柔性电子系统中。

公开(公告)号：WO2011032345A1

公开(公告)日：2011-03-24

申请号：PCT/CN2010/000661

申请日：2010-05-10

Applicant: 上海道生医疗科技有限公司 ,  邸丹 ,  潘哲 ,  潘越 ,  汤伟昌

Inventor： 邸丹 ,  潘哲 ,  潘越 ,  汤伟昌

IPC: A61B5/02

CPC classification number: A61B5/02444 ,  A61B5/6835

公开(公告)号：WO2011026305A1

公开(公告)日：2011-03-10

申请号：PCT/CN2010/000659

申请日：2010-05-10

Applicant: 上海道生医疗科技有限公司 ,  潘哲 ,  周会林 ,  潘越 ,  王忆勤

Inventor： 潘哲 ,  周会林 ,  潘越 ,  王忆勤

IPC: A61B5/00

CPC classification number: A61B5/0059 ,  A61B5/0064 ,  A61B5/441 ,  A61B5/4854 ,  A61B5/682 ,  A61B5/702 ,  F16M11/10 ,  F16M11/24 ,  G03B17/00 ,  G03B17/561

公开(公告)号：WO2011032344A1

公开(公告)日：2011-03-24

申请号：PCT/CN2010/000660

申请日：2010-05-10

Applicant: 上海道生医疗科技有限公司 ,  潘越 ,  周会林 ,  潘哲 ,  王林雁 ,  汤伟昌

Inventor： 潘越 ,  周会林 ,  潘哲 ,  王林雁 ,  汤伟昌

IPC: A61B5/02

CPC classification number: A61B5/02 ,  A61B5/02438 ,  A61B5/4854 ,  A61B5/681 ,  A61B5/684

公开(公告)号：WO2011026306A1

公开(公告)日：2011-03-10

申请号：PCT/CN2010/000662

申请日：2010-05-10

Applicant: 上海道生医疗科技有限公司 ,  宫爱民 ,  邸丹 ,  钱鹏 ,  潘越 ,  王忆勤 ,  李福凤

Inventor： 宫爱民 ,  邸丹 ,  钱鹏 ,  潘越 ,  王忆勤 ,  李福凤

IPC: A61B5/00

CPC classification number: A61B5/00 ,  A61B5/0077 ,  A61B5/4854 ,  A61B2562/185 ,  G03B15/06 ,  G03B17/561

公开(公告)号：WO2015120657A1

公开(公告)日：2015-08-20

申请号：PCT/CN2014/074359

申请日：2014-03-31

Applicant: 北京大学

Inventor： 蔡一茂 ,  刘业帆 ,  方亦陈 ,  王宗巍 ,  李强 ,  余牧溪 ,  潘越 ,  黄如

IPC: H01L51/30 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L45/14 ,  G11C11/5664 ,  G11C13/0016 ,  G11C13/0097 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/52 ,  H01L45/122 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/1616 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0098

Abstract: 一种多值非易失性有机阻变存储器及其制备方法。该阻变存储器包括顶电极、底电极以及位于顶电极和底电极之间的中间功能层，中间功能层为至少两层聚对二甲苯。该方法包括：采用PVD方法在衬底上生长底电极材料，并采用标准光刻技术使底电极图形化；采用聚合物化学气相淀积方法在底电极上依次生长多层聚对二甲苯材料；通过光刻和刻蚀定义底层电极的引出通孔；采用PVD方法在聚对二甲苯材料上生长顶电极材料，通过光刻、剥离定义顶层电极，并将底电极引出。在不改变器件基本结构的条件下，通过采用两侧均为较惰性电极以及多层聚对二甲苯的淀积来实现具有自限流效果的多值存储功能。

公开(公告)号：WO2014187059A1

公开(公告)日：2014-11-27

申请号：PCT/CN2013/084752

申请日：2013-09-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  张耀凯 ,  蔡一茂 ,  杨帆 ,  潘越 ,  王宗巍 ,  方亦陈

IPC: G06N3/06

CPC classification number: G06N3/08 ,  G06N3/049 ,  G06N3/0635 ,  G11C11/54 ,  G11C13/0007

Abstract: 本发明公开了一种基于阻变忆阻器的时间关联学习神经元电路及其实现方法。本发明利用阻变忆阻器的开关特性，当其两端被两个激励信号同步选定时，将会在器件的两端形成可以使其发生阻变的电压压降，从而实现这个突触连接的开断，实现两个激励信号的关联与否，并具有记忆特性，而且能够复述出之前的激励信号，即达到学习目的。由于阻变忆阻器的结构简单且可集成度高，能够实现大规模的物理神经元突触连接，以达到更为复杂的学习甚至逻辑功能，本发明在神经元计算中有着很好的应用前景。