公开(公告)号：WO2013152536A1

公开(公告)日：2013-10-17

申请号：PCT/CN2012/074968

申请日：2012-05-02

Applicant: 北京大学 ,  蔡一茂 ,  毛俊 ,  黄如 ,  谭胜虎 ,  黄英龙 ,  潘越

Inventor： 蔡一茂 ,  毛俊 ,  黄如 ,  谭胜虎 ,  黄英龙 ,  潘越

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC classification number: H01L45/1253 ,  H01L45/04 ,  H01L45/122 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625

Abstract: 本发明公开了一种小电极结构阻变存储器及其制备方法，属于超大集成规模中半导体阻变存储器领域。本发明的阻变存储器包括Al电极层、SiO2层、Si层，阻变层和下电极层；其中，Al电极层与阻变层通过一个或多个导电通道电连接，所述导电通道为Al经SiO2层缺陷渗入到Si层而使Si溶解于Al形成的。本方法为：首先在沉底上依次制备一下电极层、一阻变层、一Si层、一SiO2层；然后在所述SiO2层上制备一Al电极层；最后对上述所得结构进行退火处理。本方法使用常规的技术工艺成本，就可以得到很小的实际电极，降低了成本，优化了器件，用较低的代价实现更小的实际电极面积。

公开(公告)号：WO2013123704A1

公开(公告)日：2013-08-29

申请号：PCT/CN2012/074078

申请日：2012-04-16

Applicant: 北京大学 ,  黄如 ,  谭胜虎 ,  张丽杰 ,  潘岳 ,  黄英龙 ,  杨庚雨 ,  唐昱 ,  毛俊 ,  蔡一茂

Inventor： 黄如 ,  谭胜虎 ,  张丽杰 ,  潘岳 ,  黄英龙 ,  杨庚雨 ,  唐昱 ,  毛俊 ,  蔡一茂

IPC: H01L45/00 ,  G11C11/56

CPC classification number: H01L45/04 ,  G11C13/0007 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/15 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1633

Abstract: 阻变存储器的制备方法包括如下步骤：在衬底（1）上制备底电极（2）；然后采用干氧氧化或者湿氧氧化对底电极（2）金属进行部分氧化，形成厚度为3nm-50nm的金属氧化物作为阻变材料层（3）；最后在上述阻变材料层(3）上制备顶电极（4）。该方法降低了工艺复杂度，实现了阻变材料层（3）与底电极（2）的自对准，保证了器件之间的完全隔离，避免了寄生效应，并且保证了器件的实际面积和设计面积一致。

公开(公告)号：WO2012126186A1

公开(公告)日：2012-09-27

申请号：PCT/CN2011/072639

申请日：2011-04-12

Applicant: 北京大学 ,  蔡一茂 ,  黄如 ,  王阳元 ,  黄英龙

Inventor： 蔡一茂 ,  黄如 ,  王阳元 ,  黄英龙

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/1233 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/16

公开(公告)号：WO2012100563A1

公开(公告)日：2012-08-02

申请号：PCT/CN2011/080777

申请日：2011-10-14

Applicant: 北京大学 ,  黄如 ,  李志强 ,  郭岳 ,  安霞 ,  云全新 ,  黄英龙 ,  张兴

Inventor： 黄如 ,  李志强 ,  郭岳 ,  安霞 ,  云全新 ,  黄英龙 ,  张兴

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0895 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66643 ,  H01L29/78

公开(公告)号：WO2014121618A1

公开(公告)日：2014-08-14

申请号：PCT/CN2013/084761

申请日：2013-09-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  余牧溪 ,  蔡一茂 ,  白文亮 ,  黄英龙

IPC: H01L45/00 ,  G11C13/00 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L45/146 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/56 ,  H01L27/1112 ,  H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/122 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1666

Abstract: 本发明涉及高可靠性非挥发阻变存储器及其制备方法，储器包括上电极、下电极和位于上下电极之间的阻变材料，其中，上电极位于器件顶部，下电极位于衬底上，在阻变材料的金属氧化物中掺杂金属，在上电极和阻变材料之间有增设一金属储氧层。其制备方法采用掺杂和双层相结合的方法，可制备高可靠性高一致性阻变存储器，较好提高阻变存储器的性能。

公开(公告)号：WO2014036837A1

公开(公告)日：2014-03-13

申请号：PCT/CN2013/074760

申请日：2013-04-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  黄英龙 ,  蔡一茂 ,  王阳元 ,  余牧溪

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L45/145 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1641

Abstract: 提供一种具有抑制漏电流特性的阻变存储器及其制备方法，可以抑制大规模RRAM十字交叉阵列中的Sneak电流。组成该阻变存储器的存储单元包括依次叠加的下电极（35）、第一半导体型氧化物层（34）、阻变材料层（33）、第二半导体型氧化物层（32）和上电极（31）。半导体型氧化物可以是半导体型金属氧化物或者半导体型非金属氧化物。通过在半导体型氧化物和金属电极间形成的肖特基势垒可以有效降低Sneak电流，并且制作工艺简单，可实现器件的高集成度。