公开(公告)号：WO2008050775A1

公开(公告)日：2008-05-02

申请号：PCT/JP2007/070666

申请日：2007-10-23

Applicant: 日本電気株式会社 ,  寺井 真之 ,  藤枝 信次 ,  戸田 昭夫

Inventor： 寺井 真之 ,  藤枝 信次 ,  戸田 昭夫

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L21/28282 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/42352 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7923 ,  H01L29/7926

Abstract: チャネルは基板の凹部又は凸部に形成され、ゲート絶縁膜はチャネルに沿って第１乃至第３の絶縁領域を有するように形成されている。第１、第３の絶縁領域のゲート絶縁膜は、基板主面とは異なる面上に形成され、電荷トラップを含まない第１のゲート絶縁膜と、電荷トラップを含む電荷蓄積膜と、電荷トラップを含まない第２のゲート絶縁膜とを有する。中間の第２の絶縁領域のゲート絶縁膜は、基板主面と平行な面上に形成され、電荷トラップを含まない第３のゲート絶縁膜のみによって構成される。

Abstract translation: 沟道形成在基板的凹部或突起中，并且栅极绝缘膜形成为沿着沟道具有第一至第三绝缘区域。 第一绝缘区域和第三绝缘区域的栅极绝缘膜形成在与基板主面不同的面上，形成不含电荷陷阱的第一栅极绝缘膜，含有电荷阱的电荷存储膜和第二栅极绝缘膜 不含电荷陷阱。 中间第二绝缘区域的栅极绝缘膜形成在与基板主面平行的面上，仅由不含电荷陷阱的第三栅极绝缘膜构成。

公开(公告)号：WO2005004224A1

公开(公告)日：2005-01-13

申请号：PCT/JP2004/009198

申请日：2004-06-30

Applicant: 日本電気株式会社 ,  三浦 喜直 ,  藤枝 信次

Inventor： 三浦 喜直 ,  藤枝 信次

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/6659 ,  H01L21/3144 ,  H01L29/045 ,  H01L29/7833

Abstract: 　Ｓｉ（１００）基板の表面にシリコン酸化膜を形成した後、このシリコン酸化膜をプラズマ窒化して酸窒化シリコン膜にする。その後ＮＯガス雰囲気中で７７０乃至９７０°Cの温度条件下で熱処理することにより、ゲート絶縁膜における基板との界面部分の窒素濃度を１乃至１０原子％にすると共に、基板と酸窒化シリコン膜との界面に存在する界面Ｓｉ結合欠陥の結合手の方位角分布が、基板の［１００］方位に対して２５°以上の角度にピークをもつようにする。

Abstract translation: 在Si（100）衬底的表面上形成氧化硅膜，然后对氧化硅膜进行等离子体氮化处理，以转化为氮氧化硅膜。 此后，氮氧化硅膜在NO气体的气氛中在770〜970℃下进行热处理，使得不仅栅极绝缘膜在与基板的界面处的氮浓度为1〜10原子％，而且 存在于基板和氧氮化硅膜的界面中的界面Si键合缺陷的键方位分布在基板的[100]取向上具有25°或更大角度的峰值。

公开(公告)号：WO2004008544A1

公开(公告)日：2004-01-22

申请号：PCT/JP2003/009052

申请日：2003-07-16

Applicant: 日本電気株式会社 ,  渡部 平司 ,  渡辺 啓仁 ,  辰巳 徹 ,  藤枝 信次

Inventor： 渡部 平司 ,  渡辺 啓仁 ,  辰巳 徹 ,  藤枝 信次

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28202 ,  H01L21/28035 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/6656

Abstract: 本発明は、高誘電率薄膜とシリコン基板との界面に良質のシリコン酸化膜とシリコンとの界面を有したゲート絶縁膜構造の形成を可能し、高誘電率絶縁膜の実用化において課題となっていた界面電気特性の改善を図ることができる半導体装置および半導体製造方法を提供することを課題とする。シリコン基板１０１表面に下地シリコン酸化膜１０３を形成した後、下地シリコン酸化膜１０３表面に高誘電率膜を構成する金属元素を供給する金属層堆積工程と熱処理工程によって金属元素を下地シリコン酸化膜１０３中に拡散させることでシリケート領域を含む絶縁膜構造１０５をゲート絶縁膜として形成する。シリケート領域を含む絶縁膜構造１０５は、シリコン酸化膜領域とシリケート領域と金属リッチ領域とからなり、金属組成が上部に行くほど高く、シリコン組成が下部に行くほど高くなる組成変調を有したシリケート構造が形成される。

Abstract translation: 一种半导体器件，其能够形成在高电容率薄膜和硅衬底之间的界面处具有质量的氧化硅膜和硅之间的界面的栅极绝缘结构，并且促进对于 实际使用高介电常数绝缘膜; 和半导体制造方法。 在硅基板（101）的表面上形成基板氧化硅膜（103）之后，金属元素通过金属层沉积步骤扩散到氧化硅膜（103）中，用于提供高介电常数膜构成金属 元件到膜（103）的表面上并通过热处理步骤形成包含硅酸盐区域作为栅极绝缘膜的绝缘膜结构（105）。 含硅酸盐区域的结构（105）由氧化硅膜区域，硅酸盐区域和金属富集区域构成，以形成具有高于金属成分的组成变化向上部成分的硅酸盐结构和更高的硅组成 朝向下部。