公开(公告)号：WO2003098687A1

公开(公告)日：2003-11-27

申请号：PCT/JP2003/006113

申请日：2003-05-16

Applicant: 株式会社 ルネサステクノロジ ,  山田 耕平 ,  一ノ瀬 八洲治 ,  永瀬 弘幸

Inventor： 山田 耕平 ,  一ノ瀬 八洲治 ,  永瀬 弘幸

IPC: H01L23/48

CPC classification number: H01L21/568 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/4943 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15184 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/0401

Abstract: 　電子機器に組み込む薄型でかつ小型の半導体装置の製造方法である。シリコンウエハを用意し、ウエハの主面及び裏面に酸化膜を形成し、ウエハの主面に選択的に絶縁膜を形成してスルーホールを複数形成し、スルーホール底の前記酸化膜上に金属積層膜を形成するとともに、この金属積層膜上に第１金属膜及び第２金属膜を形成して金属台座を形成する。つぎに金属台座の一の金属台座の主面にダイオードを形成した半導体チップを一方の電極を介して固定し、他方の電極と他の金属台座を導電性のワイヤで接続する。ついで、半導体チップやワイヤ等を被う絶縁性樹脂層で被い、封止体の裏面に接着される酸化膜を残してシリコンウエハ及び酸化膜を除去し、樹脂層の裏面の酸化膜をエッチング除去し、樹脂層の裏面に露出する金属台座の表面に金属メッキ膜を形成し、前記樹脂層を縦横に切断して半導体装置を形成する。

Abstract translation: 一种制造结合在电子设备中的小型薄型半导体器件的方法。 在制备的硅晶片的主表面和背面上形成氧化膜。 在晶片的主表面上选择性地形成绝缘膜，形成通孔。 在每个通孔的底部的氧化膜上形成金属多层膜。 第一和第二金属膜形成在金属多层膜上以形成金属基座。 在一个金属基座的主表面上制造二极管的半导体芯片通过一个电极固定。 另一个电极通过导线连接到另一个金属基座。 半导体芯片和导线被绝缘树脂层覆盖。 去除硅晶片和氧化膜，同时部分地留下附着在封装体背面的氧化膜。 通过蚀刻去除树脂层背面的氧化膜。 在从树脂层的背面露出的金属基座的表面上形成金属镀膜。 树脂层水平和垂直地切割，从而制造半导体器件。