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公开(公告)号：WO2006051861A1
公开(公告)日：2006-05-18
申请号：PCT/JP2005/020618
申请日：2005-11-10
Applicant: 浜松ホトニクス株式会社 , 坂本 剛志 , 杉浦 隆二
IPC: H01L21/301 , B23K26/40
CPC classification number: H01L21/78 , B23K26/0057 , B23K26/40 , B23K2201/40 , B23K2203/50 , B28D5/0011 , B28D5/0052 , C03B33/074 , C03B33/091
Abstract: 基板と、機能素子を含んで基板の表面に形成された積層部とを備える加工対象物を切断するに際し、特に積層部を高精度に切断することができるレーザ加工方法を提供する。 積層部１６の表面１６ａに保護テープ２２を貼り付けた状態で、基板４の裏面４ｂをレーザ光入射面としてレーザ光Ｌを照射することにより、切断予定ラインに沿って改質領域７を基板４の内部に形成し、改質領域７の表面側端部７ａから基板４の表面４ａに達する亀裂２４を生じさせる。そして、このような亀裂２４が生じている状態で、エキスパンドテープを基板４の裏面４ｂに貼り付けて拡張させると、基板４だけでなく、切断予定ライン上の積層部１６、すなわち層間絶縁膜１７ａ，１７ｂを切断予定ラインに沿って精度良く切断することができる。
Abstract translation: 通过包括功能元件，在切割设置有基板的处理对象和形成在基板的正面上的层叠部分时，可以高精度地切割特别是堆叠部分的激光加工方法。 在保护带（22）粘附在堆叠部分（16）的前平面（16a）上的条件下，通过使基板（4）的后平面（4b）作为激光束 激光束入射面，沿着切割预定线在基板（4）内部形成改质区域（7），以及从基板（4）的前平面侧边缘（4）到达基板（4）的前面 生成修改区域（7）的部分（7a）。 在产生裂纹（24）的情况下，当扩展胶带粘附在基板（4）的后平面（4b）上并膨胀时，不仅基板（4）而且堆叠部分（16） 可以沿切割的规划线精确地切割切割预定线，即层间绝缘膜（17a，17b）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2006051866A1
公开(公告)日：2006-05-18
申请号：PCT/JP2005/020627
申请日：2005-11-10
Applicant: 浜松ホトニクス株式会社 , 杉浦 隆二 , 坂本 剛志
IPC: H01L21/301 , B23K26/40
CPC classification number: B28D5/0011 , B23K26/0057 , B23K26/40 , B23K2201/40 , B23K2203/50
Abstract: 複数の機能素子を含む積層部が形成された基板を切断するに際し、特に積層部の高精度な切断を可能にするレーザ加工方法を提供する。 積層部１６の表面１６ａに保護テープ２２を貼り付けた状態で、基板４の裏面４ｂをレーザ光入射面としてレーザ光Ｌを照射することにより、切断予定ラインに沿って改質領域７を基板４の内部に形成し、改質領域７の表面側端部７ａから基板４の表面４ａに達する亀裂２４を生じさせる。そして、このような亀裂２４が生じている状態で、エキスパンドテープを基板４の裏面４ｂに貼り付けて拡張させると、基板４だけでなく、切断予定ライン上の積層部１６、すなわち層間絶縁膜１７ａ，１７ｂを切断予定ラインに沿って精度良く切断することができる。
Abstract translation: 切割具有多个功能元件的层叠部的基板上切割特别是层叠部的激光加工方法和半导体芯片。 在该方法中，将激光束（L）以在前表面上的保护带（22）的冲压状态的激光束入射面的形式照射到基板（4）的后表面（4b）上， （16）的前表面侧端部（16a），沿着预定的切割线在基板（4）中形成重新形成区域（7），以形成从前表面侧端部（7a）开始的裂纹（24） 所述重整区域（7）到达所述基板（4）的前表面（4a）。 在裂纹（24）显影的条件下，在基板（4）的后表面（4b）上冲压膨胀带并膨胀，使得不仅基板（4）而且层压部件（16）上 可以沿预定的切割线精确地切割预定切割线，即层间绝缘膜（17a）和（17b）。
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公开(公告)号：WO2005027213A1
公开(公告)日：2005-03-24
申请号：PCT/JP2004/013166
申请日：2004-09-09
Applicant: 浜松ホトニクス株式会社 , 内山 昌一 , 杉浦 隆二 , 川島 龍
IPC: H01L21/301
CPC classification number: B28D5/0011 , B23K26/0057 , B23K26/0087 , B23K26/0624 , B23K26/0861 , B23K26/40 , B23K2201/40 , B23K2203/172 , B23K2203/50 , H01L21/78 , H01L21/7813 , H01L2224/48091 , H01L2924/16195 , H01L2924/163 , H01L2924/00014
Abstract: この発明は、半導体薄膜を比較的短時間で切断でき、且つ切断面を比較的滑らかにできる半導体チップの製造方法等に関する。表面にダイヤモンド薄膜が形成されたＳｉ基板をチップ状に切断する際に、切断予定ラインに沿って形成される切断起点領域として、少なくともＳｉ基板に対して該Ｓｉ基板内部に集光点が合わされたレーザ光を切断予定ラインに沿って照射することにより、多光子吸収による改質領域が形成される。そして、これら改質領域で規定される切断起点領域に沿ってＳｉ基板の切断に伴ってダイヤモンド薄膜も切断される。
Abstract translation: 一种半导体芯片的制造方法，其中可以在较短时间内切割半导体薄膜，并且切割表面可以相对平滑。 当其上形成有金刚石薄膜的Si衬底被切割成芯片时，沿着待切割线形成的切割起始区域用于通过施加其焦点位于Si内的激光束来切割Si衬底 衬底至少沿着要切割的线的Si衬底。 结果，形成由于多光子吸收引起的改质区域。 因此，可以沿着由改质区域限定的切割起始区域切断Si基板和金刚石薄膜。
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公开(公告)号：WO2007032392A1
公开(公告)日：2007-03-22
申请号：PCT/JP2006/318163
申请日：2006-09-13
Applicant: 浜松ホトニクス株式会社 , 筬島 哲也 , 杉浦 隆二 , 渥美 一弘
IPC: B23K26/40 , B23K26/00 , B23K26/073 , B28D5/00 , B23K101/40
CPC classification number: B28D5/00 , B23K26/0057 , B23K26/066 , B23K26/073 , B23K26/40 , B23K2201/40 , B23K2203/50 , H01L21/78
Abstract: このレーザ加工方法では、集光点Ｐにおけるレーザ光Ｌの断面形状を、切断予定ライン５に垂直な方向の最大長さが切断予定ライン５に平行な方向の最大長さより短い形状とする。そのため、シリコンウェハ１１の内部に形成される改質領域７の形状は、レーザ光Ｌの入射方向から見ると、切断予定ライン５に垂直な方向の最大長さが切断予定ライン５に平行な方向の最大長さより短い形状となる。このような形状を有する改質領域７が加工対象物１の内部に形成されると、改質領域７を切断の起点として加工対象物１を切断した際に、切断面にツイストハックルが現れるのを抑制することができ、切断面の平坦度を向上させることが可能になる。
Abstract translation: 激光处理方法，其中激光束L的聚焦点P处的截面形状使得垂直于预定切割线（5）的方向上的最大长度比平行于调度的切割线（5）的方向上的最大长度短 切割线（5）。 因此，当从激光束L入射方向观察时，形成在硅晶片（11）内部的改质区域（7）的形状使得垂直于预定切割线（5）的方向的最大长度较短 比平行于预定切割线（5）的方向上的最大长度。 当具有这种形状的改质区域（7）形成在待处理物体（1）的内部时，当被加工物体（1）被切割成改质区域时，可以防止在切割部分出现扭扭 7）作为切割起点，由此可以提高切割部分的平坦度。
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公开(公告)号：WO2005027212A1
公开(公告)日：2005-03-24
申请号：PCT/JP2004/013163
申请日：2004-09-09
IPC: H01L21/301
CPC classification number: B23K26/0884 , B23K26/0057 , B23K26/40 , B23K2201/40 , B23K2203/50 , B28D5/0011
Abstract: 表面に機能素子が形成された半導体基板をダイボンド樹脂層と共に効率良く切断し得る半導体基板の切断方法を提供する。 表面３に機能素子１５が形成されたウェハ１１の裏面１７をレーザ光入射面とし、ウェハ１１の内部に集光点Ｐを合わせてレーザ光Ｌを照射することで、多光子吸収を生じさせて切断予定ライン５に沿ってウェハ１１の内部に溶融処理領域１３による切断起点領域８を形成する。これにより自然に或いは比較的小さな力で切断起点領域８を起点として割れを発生させ、その割れを表面３と裏面１７とに到達させることができる。従って、切断起点領域８形成後に、ウェハ１１の裏面１７にダイボンド樹脂層２３を介在させて拡張フィルム２１を貼り付け、その拡張フィルム２１を拡張させると、切断予定ライン５に沿ってウェハ１１及びダイボンド樹脂層２３を切断することができる。
Abstract translation: 提供了一种半导体衬底切割方法，其能够有效地切割其表面上形成有功能元件的半导体衬底以及管芯键合树脂层。 通过使用在表面3上形成有功能元件15的晶片11的背面17作为激光入射面并且使焦点P沿着晶片11的内部照射激光L，引起多光子吸收 在晶圆11上沿着切断预定线5形成熔化处理区域13的切断起点区域8。 其结果是，从切断起点区域8开始自然地或以较小的力产生裂纹，并且裂纹可以到达前表面3和后表面17。 因此，当延伸膜21被粘贴在晶片11的背面17上，并且芯片接合树脂层23介于它们之间，然后扩展膜21膨胀时，晶片11和管芯键合 可以切割树脂层23。
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公开(公告)号：WO2004051721A1
公开(公告)日：2004-06-17
申请号：PCT/JP2003/011624
申请日：2003-09-11
Applicant: 浜松ホトニクス株式会社 , 福世 文嗣 , 福満 憲志 , 内山 直己 , 杉浦 隆二
IPC: H01L21/301
CPC classification number: H01L21/2633 , B23K26/0057 , B23K26/0853 , B23K26/40 , B23K2201/40 , B23K2203/50 , B28D1/221 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/0106 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/07802 , H01L2924/10329 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/351 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
Abstract: 多光子吸収を発生させてシリコンウェハ１１の内部に溶融処理領域１３による切断予定部９を形成した後、シリコンウェハ１１に貼り付けられた粘着シート２０を拡張させる。これにより、切断予定部９に沿ってシリコンウェハ１１が半導体チップ２５に精度良く切断される。このとき、隣り合う半導体チップ２５，２５の対向する切断面２５ａ，２５ａは密着した状態から離間するため、ダイボンド樹脂層２３も切断予定部９に沿って切断される。よって、基材２１を切断しないようにしてシリコンウェハ１１及びダイボンド樹脂層２３をブレードにより切断する場合に比べ、はるかに効率良くシリコンウェハ１１及びダイボンド樹脂層２３を切断することが可能になる。
Abstract translation: 在通过产生多个光子吸收而在硅晶片（11）中由熔融区域（13）形成切割部分（9）之后，粘贴到硅晶片（11）上的粘合片（20）被拉伸。 因此，沿着切割部（9）以高精度将硅晶片（11）切割成半导体芯片（25）。 由于相邻的半导体芯片（25,25）的相对的切割面（25a，25a）与粘合状态分离，因此沿着切断部（9）也切割模片接合树脂层（23）。 与通过刀片切割的情况相比，可以非常有效地切割硅晶片（11）和芯片接合树脂层（23），同时留下未切割的基材（21）。
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