公开(公告)号：WO2012135036A2

公开(公告)日：2012-10-04

申请号：PCT/US2012/030368

申请日：2012-03-23

申请人： ELECTRO SCIENTIFIC INDUSTRIES, INC. ,  HOOPER, Andrew ,  BARSIC, David ,  BRULAND, Kelly J. ,  FINN, Daragh S. ,  SHEEHAN, Lynn ,  PENG, Xiaoyuan ,  OSAKO, Yasu ,  DUMESTRE, Jim ,  JORDENS, William J.

发明人： HOOPER, Andrew ,  BARSIC, David ,  BRULAND, Kelly J. ,  FINN, Daragh S. ,  SHEEHAN, Lynn ,  PENG, Xiaoyuan ,  OSAKO, Yasu ,  DUMESTRE, Jim ,  JORDENS, William J.

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/301

CPC分类号： H01S3/102 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/064 ,  B23K26/389 ,  B23K26/40 ,  B23K26/705 ,  B23K2203/172 ,  B23K2203/50 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01S3/0057 ,  H01S3/1305 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512

摘要： Tailored laser pulse shapes are used for processing workpieces. Laser dicing of semiconductor device wafers on die-attach film (DAF), for example, may use different tailored laser pulse shapes for scribing device layers down to a semiconductor substrate, dicing the semiconductor substrate, cutting the underlying DAF, and/or post processing of the upper die edges to increase die break strength. Different mono-shape laser pulse trains may be used for respective recipe steps or passes of a laser beam over a scribe line. In another embodiment, scribing a semiconductor device wafer includes only a single pass of a laser beam along a scribe line using a mixed-shape laser pulse train that includes at least two laser pulses that are different than one another. In addition, or in other embodiments, one or more tailored pulse shapes may be selected and provided to the workpiece on-the-fly. The selection may be based on sensor feedback.

摘要翻译： 定制的激光脉冲形状用于加工工件。 例如，半导体器件晶片在芯片附着膜（DAF）上的激光切割可以使用不同的定制的激光脉冲形状，用于将器件层划分到半导体衬底，切割半导体衬底，切割下面的DAF和/或后处理 的上模边缘以增加冲模强度。 不同的单形激光脉冲序列可以用于激光束在划线上的相应配方步骤或通过。 在另一个实施例中，使用包括彼此不同的至少两个激光脉冲的混合形状的激光脉冲串，划线半导体器件晶片仅包括激光束沿着划线的单次通过。 另外，或者在其他实施例中，可以选择一个或多个定制的脉冲形状并将其提供给工件。 选择可以基于传感器反馈。

公开(公告)号：WO2012108082A1

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：PCT/JP2011/075160

申请日：2011-11-01

申请人： 田中電子工業株式会社 ,  千葉 淳 ,  手島 聡 ,  小林 佑 ,  安徳 優希

发明人： 千葉　淳 ,  手島　聡 ,  小林　佑 ,  安徳　優希

IPC分类号： H01L21/60 ,  C22C5/06

CPC分类号： C22C5/06 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/431 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45164 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01064 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01062 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/20759 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/01205 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/00013

摘要： 【課題】高温、高湿度環境で使用される半導体用ボンディングワイヤにおいて、アルミパッドとの接合信頼性を向上する。 【解決手段】純度９９．９９９質量％以上の金：４～１０質量％、純度９９．９９質量％以上のパラジウム：２～５質量％、残部が純度９９．９９９質量％以上の銀からなる三元合金系ボンディングワイヤであって、酸化性非貴金属ｊ元素が１５～７０質量ｐｐｍ含有し、連続ダイス伸線前に焼きなまし熱処理がされ、連続ダイス伸線後に調質熱処理がされ、窒素雰囲気中でボールボンディングされる半導体用ボンディングワイヤ。Ag-Au-Pd三元合金ワイヤとアルミニウムパッドの接合界面でＡｇ ２ Ａｌ金属間化合物層とワイヤとの間の腐食がＡｕ ２ ＡｌとＰｄ濃化層によって抑制される。

摘要翻译： [问题]提高在高温高湿环境中使用的半导体用接合线与铝焊盘接合的可靠性。 [方案]将纯度等于或大于99.999质量％的4-10质量％的金和纯度等于或大于99.99质量％的2-5质量％的钯的三元合金基线， 其余部分由纯度等于或大于99.999质量％的银构成。 用于半导体的接合线包含15-70重量ppm的氧化性非贵金属j元素，并且在使用模具连续拉伸之前进行退火热处理，在使用模具连续拉伸之后进行精炼热处理， 并在氮气气氛中进行球接。 通过Au2Al和富Pd层抑制铝焊盘和导线之间的接合界面处的Ag2Al金属间化合物层与Ag-Au-Pd三元合金线之间的腐蚀。

公开(公告)号：WO2011072373A1

公开(公告)日：2011-06-23

申请号：PCT/CA2010/001950

申请日：2010-12-14

申请人： COOLEDGE LIGHTING INC. ,  ASHDOWN, Ian ,  SPEIER, Ingo ,  SCHICK, Philippe ,  SHEEN, Calvin Wade

发明人： ASHDOWN, Ian ,  SPEIER, Ingo ,  SCHICK, Philippe ,  SHEEN, Calvin Wade

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/58 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L24/95 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/838 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01064 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01088 ,  H01L2924/01094 ,  H01L2924/01105 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01026

摘要： Releasable semiconductor dice are deposited with a magnetic layer a nd held by magnetic forces to a magnetic or electromagnetic transfer stamp for the transfer of the dice from a host substrate directly or indirectly to a target substrate.

摘要翻译： 可释放的半导体管芯被磁性层沉积，并且通过磁力保持在磁性或电磁传递印模上，以将芯片从主体衬底直接或间接地转移到目标衬底。

公开(公告)号：WO2010008527A1

公开(公告)日：2010-01-21

申请号：PCT/US2009/004068

申请日：2009-07-14

申请人： MAXIM INTEGRATED PRODUCTS, INC.

发明人： ASHRAFZADEH, Ahmad

IPC分类号： H01L29/74

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L23/041 ,  H01L23/481 ,  H01L24/29 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L25/072 ,  H01L29/42372 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/3754 ,  H01L2224/73153 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/078 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/167 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： A MOSFET power chip includes first and second vertical MOSFETs The first vertical MOSFET includes a semiconductor body having a first surface defining a source and a second surface defining a drain and a gate structure formed in the semiconductor body near the second surface A via is substantially perpendicular to both surfaces and is electrically coupled to the first surface and the gate structure The second vertical MOSFET includes a semiconductor body having a first surface defining a source, a second surface defining a drain and a gate structure formed in the semiconductor body near the first surface The first surface of the first vertical MOSFET and the second surface of the second vertical MOSFET are substantially co-planar and an electrically conductive can substantially surrounds the MOSFETS and shorts the first surface of the first vertical MOSFET to the second surface of the second vertical MOSFET

摘要翻译： MOSFET功率芯片包括第一和第二垂直MOSFET。第一垂直MOSFET包括具有限定源极的第一表面和限定漏极的第二表面的半导体本体，以及形成在靠近第二表面A通孔​​的半导体本体中的栅极结构基本垂直 并且电耦合到第一表面和栅极结构。第二垂直MOSFET包括半导体本体，其具有限定源极的第一表面，限定漏极的第二表面和形成在半导体本体中的第一表面附近的栅极结构 第一垂直MOSFET的第一表面和第二垂直MOSFET的第二表面基本上是共面的，并且导电的基本上可以围绕MOSFET并将第一垂直MOSFET的第一表面短路到第二垂直MOSFET的第二表面

公开(公告)号：WO2009118999A1

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：PCT/JP2009/000719

申请日：2009-02-19

申请人： パナソニック株式会社 ,  萩原清己

发明人： 萩原清己

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L21/60 ,  H05K3/34 ,  H05K3/46

CPC分类号： H05K1/113 ,  H01L21/563 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/17 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81054 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8191 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/351 ,  H05K1/0271 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/4602 ,  H05K3/4688 ,  H05K2201/0129 ,  H05K2201/068 ,  H05K2201/09036 ,  H05K2201/094 ,  H05K2201/09436 ,  H05K2201/09709 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/063 ,  Y10T29/49155 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 　半導体装置（１）は、多層配線基板（４）とこの多層配線基板（４）上に実装される半導体チップ（２）を備えている。半導体チップ（２）の電極パッド（３）は、半導体チップ（２）の裏面（２ａ）の各角に近接して配置された電極パッドを含む第１電極パッド（３ａ）と、それ以外の第２電極パッド（３ｂ）とからなっている。多層配線基板（４）上の接続パッド（５）は、第１電極パッド（３ａ）とバンプ（７）を介して接続された第１接続パッド（５ａ）と、第２電極パッド（３ｂ）とバンプ（７）を介して接続された第２接続パッド（５ｂ）とからなっている。第１接続パッド（５ａ）は、熱可塑性樹脂で構成された第１絶縁領域（４１）で支持されており、第２接続パッド（５ｂ）は、熱硬化性樹脂で構成された第２絶縁領域（４２）で支持されている。

摘要翻译： 半导体装置（1）具备安装在多层布线基板（4）上的多层布线基板（4）和半导体芯片（2）。 半导体芯片（2）的电极焊盘（3）由包括布置在半导体芯片（2）的后表面（2a）的相应角附近的电极焊盘的第一电极焊盘（3a）和其它第二电极 垫（3b）。 多层布线板（4）上的连接焊盘（5）由通过凸块（7）连接到第一电极焊盘（3a）的第一连接焊盘（5a）和与第二电极焊盘连接的第二连接焊盘 （3b）通过凸块（7）。 第一连接焊盘（5a）由由热塑性树脂构成的第一绝缘区域（41）支撑，第二连接焊盘（5b）被由热固性树脂构成的第二绝缘区域（42）支撑。

公开(公告)号：WO2009118995A1

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：PCT/JP2009/000638

申请日：2009-02-17

申请人： パナソニック株式会社 ,  竹村康司 ,  永井紀行 ,  大隅貴寿

发明人： 竹村康司 ,  永井紀行 ,  大隅貴寿

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/12 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/15184

摘要： 　半導体素子に設けられた半導体素子基板（５）におけるバンプ（３）と対向する位置に形成された接続電極（７）と、接続電極（７）の周縁部及び半導体素子基板（５）の上に形成された表面保護層（８）と、接続電極（７）及び表面保護層（８）の上に設けられ、バンプ（３）と電気的に接続するバリア金属層（１０）とを備えている。表面保護層（８）におけるバリア金属層（１０）との接続部には凹部が設けられている。

摘要翻译： 公开了一种半导体器件，包括形成在半导体元件的半导体元件基板（5）上的连接电极（7），所述半导体元件基板（5）在面向凸起（3）的位置处，表面保护层（8）形成在连接电极 7）和在半导体元件基板（5）上形成的阻挡金属层（10）和形成在连接电极（7）和表面保护层（8）上并与凸块（3）电连接的阻挡金属层（10）。 要与阻挡金属层（10）连接的表面保护层（8）的一部分设置有凹部。

公开(公告)号：WO2009060662A1

公开(公告)日：2009-05-14

申请号：PCT/JP2008/066442

申请日：2008-09-11

申请人： 田中電子工業株式会社 ,  村井 博 ,  千葉 淳 ,  天田 富士夫

发明人： 村井 博 ,  千葉 淳 ,  天田 富士夫

IPC分类号： C22C5/02 ,  H01L21/60

CPC分类号： C22C5/02 ,  B23K35/3013 ,  H01L24/02 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/78 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45164 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/78303 ,  H01L2224/78306 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85201 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/859 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/0107 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01105 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/01071 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01201 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01006

摘要： 　Mg５～１００質量ppm、In５～２０質量ppm、Al5～20 質量ppm、Yb５～２０質量ppm、残部純度９９．９９５質量％以上の金合金、又は更にCa５～２０質量ppm やLa５～２０質量ppm、Ｌｕ５～２０質量ppm、Sn５～１００質量ppm、Sr５～１００質量ppm の一種以上を添加し、或いは、さらにこれらの金合金において、Pd０．０１～１．２質量％含有させてなる、添加元素酸化物の付着に起因するセカンド接合不良を解消した金合金ボンディングワイヤ。

摘要翻译： 由合金制成的金合金线，其包含5-100质量ppm的镁，5〜20质量ppm的铟，5〜20质量ppm的铝，5〜20质量ppm的镱和纯度为99.995质量％以上的金 作为剩余部分。 该合金还可以含有选自5-20质量ppm钙，5-20质量ppm镧，5-20质量ppm镥，5-100质量ppm锡和5-100质量ppm锶的一种或多种。 这些金合金还可以含有0.01〜1.2质量％的钯。 接合线消除了由添加元素的氧化物的沉积引起的次级接合故障。

公开(公告)号：WO2008093531A1

公开(公告)日：2008-08-07

申请号：PCT/JP2008/050343

申请日：2008-01-15

申请人： 日本電気株式会社 ,  NECエレクトロニクス株式会社 ,  村井 秀哉 ,  萱島 祐治 ,  前田 武彦 ,  山道 新太郎 ,  船矢 琢央

发明人： 村井 秀哉 ,  萱島 祐治 ,  前田 武彦 ,  山道 新太郎 ,  船矢 琢央

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L23/14

CPC分类号： H01L24/19 ,  B23K26/389 ,  H01L21/76802 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/211 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014

摘要： 　製造が容易で、パッド数が多く取れ、また厚みも薄くできる半導体装置及びその製造方法を提供する。 　ＬＳＩチップと、ＬＳＩチップ上に設けられた非感光性樹脂から構成される絶縁層であって、外部接続用パッドに対応する位置にビアホールを有する絶縁層と、絶縁層上からビアホール内を経由して外部接続用パッドまで延在する配線層と、を有し、ビアホールの少なくとも一部は、前記絶縁層にレーザ光を照射することによって形成されたものであることを特徴とする半導体装置。

摘要翻译： 提供一种半导体器件及其制造方法，通过其可以促进半导体器件制造，可以增加焊盘的数量并减小半导体器件的厚度。 半导体器件设置有LSI芯片; 绝缘层，其布置在LSI芯片上，由非感光树脂构成，并且在与外部连接焊盘相对应的位置处具有通孔; 以及布线层，其从绝缘层的上方延伸到通孔内部的外部连接焊盘。 通孔的至少一部分通过将激光束施加到绝缘层上而形成。

公开(公告)号：WO2007008171A3

公开(公告)日：2007-06-07

申请号：PCT/SG2005000225

申请日：2005-07-09

申请人： VISWANADAM GAUTHAM

发明人： VISWANADAM GAUTHAM

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/13 ,  H01L23/14 ,  H01L23/485 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L21/6835 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/36 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/552 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2224/29075 ,  H01L2924/00

摘要： A method of manufacturing an integrated circuit (IC) device is disclosed. A wafer including multiple dies is processed to form solder bumps at the bond pad locations. A conductive substrate is patterned for routing traces and connection pads and partially etched. Routers are formed to electrically route a connection pad to the interior of its corresponding routing terminals. The etched connection pads corresponds to the plurality of bond pad locations of the IC chip. The bumped IC chip is aligned and attached to the conductive substrate through the connection pads and solder bumps. The attached IC chip and the first side of the conductive substrate are then encapsulated. Un-processed conductive material is then removed from a second side of the substrate, opposite the first side, to expose the routers and routing terminals. Contacts are formed on the second side of the substrate that electrically connect with the routers in the interior of the connection pads to thereby electrically connect with the connection terminals on the first side of the IC chip. The packaged IC are then separated along the separation lines to produce individualized dies. An IC device including a separated die is also disclosed.

摘要翻译： 公开了一种制造集成电路（IC）器件的方法。 处理包括多个管芯的晶片以在键合焊盘位置形成焊料凸块。 导电衬底被图案化以用于布线迹线和连接焊盘并且被部分蚀刻。 路由器被形成为将连接焊盘电连接到其对应的路由终端的内部。 蚀刻的连接焊盘对应于IC芯片的多个焊盘位置。 凸起的IC芯片通过连接焊盘和焊料凸点对准并连接到导电衬底。 然后封装附着的IC芯片和导电衬底的第一面。 然后从基板的与第一侧相对的第二侧移除未处理的导电材料以露出路由器和路由终端。 触点形成在衬底的第二侧上，其与连接焊盘内部的路由器电连接，从而与IC芯片的第一侧上的连接端子电连接。 随后将封装的IC沿着分离线分离以生产个性化模具。 还公开了包括分离芯片的IC器件。

公开(公告)号：WO2007055142A1

公开(公告)日：2007-05-18

申请号：PCT/JP2006/321928

申请日：2006-10-26

申请人： SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. ,  AOKI, Tomoyuki ,  TSURUME, Takuya

发明人： AOKI, Tomoyuki ,  TSURUME, Takuya

IPC分类号： G02F1/1333 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1341 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1345 ,  G06K19/07 ,  G06K19/077 ,  H01Q13/08

CPC分类号： H01Q7/00 ,  G02F1/133305 ,  G02F1/1362 ,  G02F2001/13613 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/0101 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  H01Q1/38 ,  H05K3/207 ,  H05K3/28 ,  H05K2203/016 ,  H05K2203/0531 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00

摘要： It is an object of the present invention to provide a method for forming a layer having functionality including a conductive layer and a colored layer and a flexible substrate having a layer having functionality with a high yield. Further, it is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a semiconductor device that is small-sized, thin, and lightweight. After coating a substrate having heat resistance with a silane coupling agent, a layer having functionality is formed. Then, after attaching an adhesive to the layer having functionality, the layer having functionality is peeled from the substrate. Further, after coating a substrate having heat resistance with a silane coupling agent, a layer having functionality is formed. Then, an adhesive is attached to the layer having functionality. Thereafter, the layer having functionality is peeled from the substrate, and a flexible substrate is attached to the layer having functionality.

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种形成具有包括导电层和着色层的功能的层的方法和具有具有高产率功能的层的柔性基板。 此外，本发明的目的是提供一种小型，薄型和轻量化的半导体器件的制造方法。 用硅烷偶联剂涂布具有耐热性的基材后，形成具有官能团的层。 然后，在将粘合剂粘贴到具有官能团的层上之后，将具有官能团的层从基材上剥离。 此外，在用硅烷偶联剂涂布具有耐热性的基材之后，形成具有官能团的层。 然后，将粘合剂附着到具有功能性的层上。 此后，具有功能性的层从基板剥离，并且柔性基板附着到具有功能的层。