公开(公告)号：WO2018041326A1

公开(公告)日：2018-03-08

申请号：PCT/EP2016/070289

申请日：2016-08-29

Applicant: EV GROUP E. THALLNER GMBH

Inventor： WAGENLEITNER, Thomas ,  ZINNER, Dominik ,  SÜSS, Jürgen Markus ,  SINN, Christian ,  MALLINGER, Jürgen

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/68

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Ausrichten und Kontaktieren eines ersten Substrats (16) mit einem zweiten Substrat (17) unter Verwendung mehrerer Erfassungseinheiten sowie eine korrespondierende Vorrichtung.

Abstract translation: 本发明涉及一种使用多个检测单元和相应的装置将第一基板（16）与第二基板（17）对准和接触的方法，

公开(公告)号：WO2017140348A1

公开(公告)日：2017-08-24

申请号：PCT/EP2016/053270

申请日：2016-02-16

Applicant: EV GROUP E. THALLNER GMBH

Inventor： KURZ, Florian ,  WAGENLEITNER, Thomas ,  PLACH, Thomas ,  SÜSS, Jürgen Markus

IPC: H01L21/20 ,  B23P19/00

CPC classification number: H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L25/50

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bonden eines ersten Substrats (2) mit einem zweiten Substrat (2') an Kontaktflächen (2o, 2o') der Substrate (2, 2') mit folgenden Schritten, insbesondere folgendem Ablauf: - Halterung des ersten Substrats (2) an einer ersten Probenhalteroberfläche (l o) eines ersten Probenhalters ( 1) mit einer Haltekraft F H1 und Halterung des zweiten Substrats (2') an einer zweiten Probenhalteroberfläche (1ο') eines zweiten Probenhalters (1') mit einer Haltekraft F H2 , - Kontaktierung der Kontaktflächen (2o, 2o') an einer Bondinitiierungsstelle (20) und Heizen zumindest der zweiten Probenhalteroberfläche (1o, 1o') auf eine Heiztemperatur TH, - Bonden des ersten Substrats (2) mit dem zweiten Substrat (2') entlang einer von der Bondinitiierungsstelle (20) zu Seitenrändern (2s, 2s') der Substrate (2, 2') verlaufenden Bondwelle, dadurch gekennzeichnet, dass das die Heiztemperatur TH an der zweiten Probenhalteroberfläche (1o') während des Bondens reduziert wird.

Abstract translation:

本发明涉及一种方法，用于与第二基片（2“）接合的第一衬底（2）至Kontaktfl＆AUML;陈（1-20，1-20”的底物（2,2“）的）用下面的 步骤，特别是以下序列： - 安装在所述第一基板（2）以第一Probenhalteroberfl＆AUML;第一试样保持器（1）与保持力的枝（LO）的F <子> H1 和保持上述第二基板（2“） 在第二Probenhalteroberfl BEAR“（1）的第二试样保持器表面的（1ο）”由保持力F <子> H2 ， - 所述接触＆AUML的接触;陈（1-20，1-20“）上的粘合起始部位（20）和加热 至少第二Probenhalteroberfl＆AUML;枝（1O，1O“）的加热温度TH， - 键合所述第一衬底（2）与上述第二基板（2”沿着接合起始位点（20）的横向两侧中的一侧）BEAR变化（2S，2S' ）的基片（2,2'）延伸结合波，其特征在于加热温度TH为de 第二个样品架表面（10'）在键合过程中减少。

公开(公告)号：WO2016162088A1

公开(公告)日：2016-10-13

申请号：PCT/EP2015/057859

申请日：2015-04-10

Applicant: EV GROUP E. THALLNER GMBH

Inventor： WAGENLEITNER, Thomas ,  PLACH, Thomas ,  SÜSS, Jürgen Michael ,  MALLINGER, Jürgen

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67346 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/68 ,  H01L24/80

Abstract: Es wird ein Substrathalter (1, 1', 1", 1'", 1 IV ), aufweisend eine Fixieroberfläche (4o) zur Halterung eines Substrats (11, 11') vorgeschlagen.

Abstract translation: 它是包括固定表面（40），用于保持衬底（11，11 '），已经提出的衬底支架（1,1”，1”，1" '，1IV）。

公开(公告)号：WO2019057286A1

公开(公告)日：2019-03-28

申请号：PCT/EP2017/073930

申请日：2017-09-21

Applicant: EV GROUP E. THALLNER GMBH

Inventor： ZINNER, Dominik ,  WAGENLEITNER, Thomas ,  SÜSS, Jürgen Markus ,  PLACH, Thomas ,  MALLINGER, Jürgen

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/18 ,  H01L21/20 ,  H01L21/687

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bonden eines ersten Substrats (4o) mit einem zweiten Substrat (4u) an einander zugewandten Kontaktflächen (4k) der Substrate (4o, 4u), wobei das erste Substrat (4o) auf einer ersten Aufnahmeeinrichtung (1o) und das zweite Substrat (4u) auf einer zweiten Aufnahmeeinrichtung (1u) aufgenommen werden, und wobei zwischen dem zweiten Substrat (4u) und der zweiten Aufnahmeeinrichtung (1u) eine Platte (17u) angeordnet ist, wobei das zweite Substrat (4u) mit der Platte (4u) vor und/oder während des Bondens gegenüber der zweiten Aufnahmeeinrichtung (1u) verformt wird. Weiterhin betrifft die vorliegende Erfindung eine korrespondierende Vorrichtung und eine korrespondierende Platte.

公开(公告)号：WO2018166605A1

公开(公告)日：2018-09-20

申请号：PCT/EP2017/056301

申请日：2017-03-16

Applicant: EV GROUP E. THALLNER GMBH

Inventor： GLINSNER, Thomas ,  WAGENLEITNER, Thomas ,  ZAGLMAYR, Harald

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/68

Abstract: Die Erfindung betrifft Verfahren zum Bonden von mindestens drei Substraten (4ο,4υ, 4, 4', 4'', 4"', 4ο') zu einem Substratstapel (9,9',9"), wobei der Substratstapel (9,9',9'') mindestens ein unterstes Substrat (4u,4), ein mittleres Substrat (4ο,4') und ein oberes Substrat (4o',4") aufweist, mit den folgenden Schritten: -Ausrichtung des mittleren Substrats (4ο,4') zum untersten Substrat (4u,4) und Bonden des mittleren Substrats (4ο,4') mit dem untersten Substrat (4u,4), - danach Ausrichtung des oberen Substrats (4o',4") und Bonden des oberen Substrats (4o',4'') mit dem mittleren Substrat (4o,4), dadurch gekennzeichnet, dass das obere Substrat (4o',4") zum untersten Substrat (4u,4) ausgerichtet wird.

公开(公告)号：WO2015082020A1

公开(公告)日：2015-06-11

申请号：PCT/EP2013/075831

申请日：2013-12-06

Applicant: EV GROUP E. THALLNER GMBH

Inventor： WAGENLEITNER, Thomas

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/68

CPC classification number: G03F9/7088 ,  G01R31/2887 ,  G03F7/70733 ,  G03F9/7011 ,  G03F9/7023 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/681 ,  H01L21/6838 ,  H01L22/26

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Ausrichten und Kontaktieren eines ersten Substrats (14) mit einem zweiten Substrat (14') sowie eine korrespondierende Vorrichtung mit mindestens vier Erfassungseinheiten (3, 3', 3", 3"'), wovon: a) mindestens zwei erste Erfassungseinheiten (3, 3") zumindest in X-Richtung und in Y-Richtung verfahrbar sind und b) mindestens zwei zweite Erfassungseinheiten (3', 3"') ausschließlich in Z-Richtung verfahrbar sind.

Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于对准和第一衬底（14）与第二衬底（14“）和与至少四个检测单元（3，3的相应的设备”，3”，3““），接触，其中：a）至少 两个第一检测单元（3，3“）至少能够在X方向和Y方向上移动，和b）至少两个第二检测单元（3‘3" ’）可以在Z方向只移动。

公开(公告)号：WO2021037328A1

公开(公告)日：2021-03-04

申请号：PCT/EP2019/072589

申请日：2019-08-23

Applicant: EV GROUP E. THALLNER GMBH

Inventor： WAGENLEITNER, Thomas ,  ROHRINGER, Harald

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/68 ,  H01L21/18

Abstract: Die Erfindung beschreibt eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Ausrichten von Substraten.

公开(公告)号：WO2017162272A1

公开(公告)日：2017-09-28

申请号：PCT/EP2016/056249

申请日：2016-03-22

Applicant: EV GROUP E. THALLNER GMBH

Inventor： WAGENLEITNER, Thomas ,  PLACH, Thomas ,  SÜSS, Jürgen Markus

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/67

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bonden eines ersten Substrats (4o) mit einem zweiten Substrat (4u) an einander zugewandten Kontaktflächen (4k) der Substrate (4o, 4u) mit folgenden Schritten, insbesondere folgendem Ablauf: Aufnahme des ersten Substrats (4o) an einer ersten Aufnahmefläche (ls, ls', ls", ls'") einer ersten Aufnahmeeinrichtung (1, 1', 1", 1"', 1 IV , l V , 1 VI ) und Aufnahme des zweiten Substrats (4u) an einer zweiten Aufnahmefläche (ls, ls', ls", ls'") einer zweiten Aufnahmeeinrichtung (1, 1', 1", 1'", 1 IV , l V , 1 VI ), Krümmung der Kontaktflächen (4k) vor einer Kontaktierung der Kontaktflächen (4k), dadurch gekennzeichnet, dass eine Krümmungsänderung der Kontaktfläche (4k) des ersten Substrats (4o) und/oder eine Krümmungsänderung der Kontaktfläche (4k) des zweiten Substrats (4u) während des Bondens gesteuert werden. Weiterhin betrifft die vorliegende Erfindung eine korrespondierende Vorrichtung.

Abstract translation:

本发明涉及一种用于对Kontaktfl＆AUML朝向接合第一基板（40），其具有第二衬底（4U）;在基板的陈（4K）（1-40，4U），其包括以下步骤：在特定的 下列序列：接收在第一Aufnahmefl＆AUML所述第一衬底（40）;枝（LS，LS 'LS＆QUOT;，LS'＆QUOT）的第一容器（1,1'，QUOT 1＆QUOT;，1＆”，1 ^{IV ，升 V 1 VI ），并接收在第二Aufnahmefl＆AUML上述第二基板（4U）;枝（LS，LS'，LS＆QUOT;，LS ，1＆QUOT; '的第二容器（1,1）＆QUOT';，1“＆QUOT;，1 IV ，升 V 1 VI ），接触＆AUML的氪导航用途绝缘;接触＆AUML的接触之前，陈（4K）;陈（4K），其特征在于，氪导航用途mmungs承担第一衬底的接触BEAR表面（4K）（1-40）和/或改变 改变第二衬底（4u）的接触面积（4k）w＆lt;;＆lt; 在键合过程中受到控制。 此外，本发明涉及相应的设备。}

公开(公告)号：WO2012083978A1

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：PCT/EP2010/007793

申请日：2010-12-20

Applicant: EV GROUP E. THALLNER GmbH ,  WIMPLINGER, Markus ,  WAGENLEITNER, Thomas ,  FILBERT, Alexander

Inventor： WIMPLINGER, Markus ,  WAGENLEITNER, Thomas ,  FILBERT, Alexander

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/68 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67288 ,  H01L21/683 ,  H01L22/12

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft eine Aufnahmeeinrichtung zur Aufnahme und Halterung von Wafern mit folgenden Merkmalen: - eine Halterungsfläche (1o), - Haltemitteln zur Halterung des Wafers an der Halterungsfläche (1o) und - Kompensationsmittel (3, 4, 5, 6) zur aktiven, insbesondere lokal steuerbaren, zumindest teilweisen Kompensation von lokalen und/oder globalen Verzerrungen des Wafers. Weiterhin betrifft die vorliegende Erfindung eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Ausrichten eines ersten Wafers mit einem zweiten Wafer unter Verwendung einer vorgenannten Aufnahmeeinrichtung.

Abstract translation: 本发明涉及一种接收装置，用于接收和具有下列特征保持晶片： - 支承表面（1O）， - 保持装置，用于保持晶片的支撑表面（1O），以及 - 补偿装置（3，4，5，6）的活性， 特定局部可控，至少部分补偿晶片的本地和/或全球失真。 此外，本发明提供了一种装置和用于使用一个以上提到的涉及记录装置的第一晶片对准到第二晶片的方法。

公开(公告)号：WO2012079597A1

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：PCT/EP2010/007610

申请日：2010-12-14

Applicant: EV GROUP E. THALLNER GmbH ,  WIMPLINGER, Markus ,  WAGENLEITNER, Thomas ,  FILBERT, Alexander

Inventor： WIMPLINGER, Markus ,  WAGENLEITNER, Thomas ,  FILBERT, Alexander

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6838

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft eine Aufnahmeeinrichtung zur Aufnahme und Halterung eines Wafers zur Bearbeitung des Wafers mit einer Halterungsfläche zur Aufnahme des Wafers an einer Auflagefläche des Wafers und Haltemitteln zur Halterung des Wafers, wobei durch die Haltemittel eine Halterung von extrem dünnen Wafern an der Halterungsfläche des Wafers möglichst geringe lokale Verzerrungen des Wafers erreicht werden.

Abstract translation: 本发明涉及一种接收设备，用于在晶片的安装面上接收和保持一个晶片处理与一个支撑表面的晶片，用于接收晶片到晶片的支撑表面和保持装置，用于保持晶片，由保持装置是非常薄的晶片的托架 小晶片的可能的局部变形，可以实现。