公开(公告)号：WO2021165073A1

公开(公告)日：2021-08-26

申请号：PCT/EP2021/052907

申请日：2021-02-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN, Siegfried

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/44 ,  H01L27/15 ,  H01L25/075 ,  H01L33/38 ,  H01L23/13 ,  H01L23/15 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  F21S41/153 ,  F21S41/663

Abstract: Es werden ein optoelektronisches Modul (1) mit einem Halbleiterbauelement (10), einem Trägerkörper (20) und einer elektrischen Isolationsschicht (30) angegeben. Der Trägerkörper (20) weist eine Hauptfläche (20A) auf, die sich bis zu einer Kante (20B) des Trägerkörpers (20) erstreckt. Die Isolationsschicht (30) ist zwischen dem Halbleiterbauelement (10) und dem Trägerkörper (20) auf der Hauptfläche (20A) angeordnet. Zumindest zwei elektrische Kontaktflächen (40) sind auf der Hauptfläche (20A) angeordnet. Zumindest zwei elektrische Anschlussflächen (50) sind auf der Hauptfläche (20A) entlang der Kante (20B) des Trägerkörpers (20) angeordnet. Das Halbleiterbauelement (10) weist eine Mehrzahl von Emissionsbereichen (100) auf, die jeweils zur Emission von elektromagnetischer Strahlung eingerichtet sind und jeweils mit zumindest einer Kontaktfläche (40) elektrisch leitend verbunden sind. Auf der Hauptfläche (20A) verlaufen elektrische Leiterbahnen (60), die in die Isolationsschicht (30) eingebettet sind und jeweils eine Anschlussfläche (50) mit jeweils einer Kontaktfläche (40) elektrisch leitend verbinden. Die Kontaktflächen (40) sind frei von der Isolationsschicht (30). Ferner wird ein Scheinwerfer mit einem optoelektronischen Modul (1) angegeben.

公开(公告)号：WO2019115344A1

公开(公告)日：2019-06-20

申请号：PCT/EP2018/083789

申请日：2018-12-06

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： AVRAMESCU, Adrian Stefan ,  HERRMANN, Siegfried ,  BEHRES, Alexander

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/22 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46

CPC classification number: H01L33/502 ,  H01L27/15 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/22 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L33/50 ,  H01L33/504 ,  H01L33/505 ,  H01L33/508 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/0091

Abstract: Es wird ein Licht emittierendes Halbleiterbauteil angegeben, mit - einem Halbleiterkörper (1) umfassend einen aktiven Bereich (13), der zur Emission einer Primärstrahlung (B) ausgebildet ist, und - einem ersten Konversionselement (4), das zur Konversion eines Teils der Primärstrahlung (B) zu einer ersten Sekundärstrahlung (G) ausgebildet ist, wobei - das erste Konversionselement (4) an einer Oberseite (1a) des Halbleiterkörpers (1) angeordnet ist, - das erste Konversionselement (4) als Körper ausgebildet ist, der den Halbleiterkörper (1) an seiner Oberseite (1a) zum Teil bedeckt, und - das erste Konversionselement (5) monolithisch mit dem Halbleiterkörper (1) verbunden ist.

公开(公告)号：WO2017215895A1

公开(公告)日：2017-12-21

申请号：PCT/EP2017/062635

申请日：2017-05-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN, Siegfried

IPC: H01L33/54

CPC classification number: H01L33/0095 ,  H01L33/50 ,  H01L33/52 ,  H01L33/54 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung mehrerer optoelektronischer Halbleiterbauelemente (12) und/oder mindestens eines optoelektronischen Moduls (15) angegeben mit folgenden Schritten: - Bereitstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips (6), - Einbringen der optoelektronischen Halbleiterchips (6) mit passender Orientierung in eine lineare Zuführvorrichtung (3), - Befördern der optoelektronischen Halbleiterchips (6) zu einer Einspritzvorrichtung (4), die eine Auslassöffnung (5) aufweist, - Ummanteln der optoelektronischen Halbleiterchips (6) mit mindestens einer Mantelschicht (7) in der Einspritzvorrichtung (4) und Herauspressen der ummantelten optoelektronischen Halbleiterchips (6) aus der Auslassöffnung (5), wobei ein Verbund (8) von optoelektronischen Halbleiterchips (6) gebildet wird, in welchem die optoelektronischen Halbleiterchips (6) durch die mindestens eine Mantelschicht (7) miteinander verbunden sind, - Vereinzeln des Verbunds (8) in mehrere optoelektronische Halbleiterbauelemente (12), die jeweils einen optoelektronischen Halbleiterchip (6) aufweisen, der von der mindestens einen Mantelschicht (7) zumindest teilweise ummantelt ist, und/oder Vereinzeln des Verbunds (8) in mindestens ein optoelektronisches Modul (15) mit mehreren optoelektronischen Halbleiterchips (6), die von der mindestens einen Mantelschicht (7) zumindest teilweise ummantelt und durch diesemiteinander verbunden sind. Ferner werden ein optoelektronisches Halbleiterbauelement und ein optoelektronisches Modul angegeben.

Abstract translation:

一种用于制造多个光电半导体元件（12）和/或至少一个设置有以下步骤光电模块（15）的方法： - 提供多个光电子半导体芯片（6）的， - 将所述光电 半导体芯片（6）与合适的方向为直线Zuf导航用途hrvorrichtung（3）， - Cmd的＆oUML;推进光电子半导体芯片（6）的喷射器（4）具有一个出口＆oUML;具有（5），开口 - 覆盖所述光电子半导体芯片（ 6）具有至少一个覆盖层（7）（在喷射器4）和压出从出口＆oUML夹套光电子半导体芯片（6）的;开口（5），其中，化合物（8）的光电子半导体芯片的（6）形成，其中 所述光电子半导体芯片（6）通过所述至少一个覆层（7）相互连接， - 将所述光电子半导体芯片 DS（8）中的多个光电半导体元件（12）各自具有的光电子半导体芯片（6），其通过所述至少一个包覆层包围（7）至少一个光电模块中的复合材料（8）的至少部分和/或切割 （15）与多个被至少部分地由所述至少一个覆盖层（7）彼此包封并连接这些光电子半导体芯片（6）的。 此外，还给出了一个光电子半导体器件和一个光电子模块。

公开(公告)号：WO2017012956A1

公开(公告)日：2017-01-26

申请号：PCT/EP2016/066676

申请日：2016-07-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： O'BRIEN, David ,  HERRMANN, Siegfried

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/64 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/644 ,  H01L33/50 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0075

Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement (100) aufweisend einen Halbleiterchip (1), der zur Emission von Strahlung (5) zumindest über eine Strahlungshauptfläche (11) eingerichtet ist, ein Konverterelement (2), das im Strahlengang des Halbleiterchips (1) angeordnet ist, ein Verkapselungselement (3), das ein Deckelement (31) und ein Seitenelement (32) aufweist und zumindest eine Versiegelung für das Konverterelement (2) vor Umwelteinflüssen bildet, wobei das Deckelement (31) über dem Konverterelement (31) angeordnet ist und das Seitenelement (32) im Querschnitt lateral zum Halbleiterchip (1) und Konverterelement (2) angeordnet ist und den Halbleiterchip (1) umgibt, wobei das Seitenelement (32) und das Deckelement (31) zumindest bereichsweise direkt in Kontakt stehen, wobei das Seitenelement (32) zumindest ein Metall aufweist.

Abstract translation: 本发明涉及包括半导体芯片（1），其适于辐射（5）被布置成至少在辐射主表面（11），转换器元件的发射的光电子器件（100），（2），其被布置在半导体芯片的光路（1） 具有盖元件（31）和侧面构件（32）和至少一个密封件用于转换器元件（2）从环境的形式，其中所述盖构件（31）到所述转换器元件（31）被布置在封装构件（3）和 在横截面侧构件（32）横向于半导体芯片（1）和转换器元件（2）和半导体芯片（1），其中所述侧构件（32）和所述盖元件（31）至少部分地直接接触，其中所述侧构件（ 32）的至少一种金属。

公开(公告)号：WO2016202934A1

公开(公告)日：2016-12-22

申请号：PCT/EP2016/063917

申请日：2016-06-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN, Siegfried

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/54 ,  H01L33/60

CPC classification number: H01L33/486 ,  H01L33/54 ,  H01L33/60

Abstract: Es ist eine Leuchtdiode (100) angegeben, die einen optoelektronischen Halbleiterchip (1) mit einer Strahlungsseite (16), einer der Strahlungsseite (16) gegenüberliegenden Kontaktseite (12) und quer zur Strahlungsseite (16) verlaufenden Seitenflächen (15) aufweist. Auf der Kontaktseite (12) ist ein erstes Kontaktelement (10) zur externen elektrischen Kontaktierung des Halbleiterchips (1) angebracht. Ferner umfasst die Leuchtdiode (100) einen transparenten Vollkörper (2) sowie ein Abdeckelement (3). Im bestimmungsgemäßen Betrieb emittiert der Halbleiterchip (1) elektromagnetische Strahlung über die Strahlungsseite (16) entlang einer quer zur Strahlungsseite (16) verlaufenden Hauptemissionsrichtung (17). Dabei ist der Halbleiterchip (1) in den Vollkörper (2) eingebettet, wobei die Seitenflächen (15) und die Strahlungsseite (16) von dem Vollkörper (2) formschlüssig bedeckt sind. Der Vollkörper (2) verbreitert sich entlang der Hauptemissionsrichtung (17). Das Abdeckelement (3) ist dem Vollkörper (2) in Hauptemissionsrichtung (17) nachgeordnet und direkt auf den Vollkörper (2) aufgebracht. Eine dem Vollkörper (2) abgewandte Seite des Abdeckelements (3) ist als Strahlungsaustrittsfläche (30) der Leuchtdiode (100) ausgebildet. Das erste Kontaktelement (10) liegt im unmontierten und/oder nicht kontaktierten Zustand der Leuchtdiode (100) frei.

Abstract translation: 提供了一种发光二极管（100），其具有的光电子半导体芯片（1）与放射侧（16），所述接触侧（12）和横向于延伸的侧表面上的放射侧（16）（15）相对的放射侧（16）。 在接触侧（12），用于将半导体芯片（1）的外部电接触的第一接触元件（10）附连。 此外，发光二极管（100）包括一个透明的固体主体（2）和一个盖（3）。 在半导体芯片的正常操作（1）发射上沿着横向延伸至主发射方向（17）的放射侧（16）的放射侧（16）的电磁辐射。 在这种情况下，在固体本体（2）的半导体芯片（1）被嵌入，其中，所述侧表面（15）和所述固体本体（2）的放射侧（16）带正覆盖。 固体本体（2）沿主发射方向（17）扩大。 所述盖（3）在主发射方向（17），并直接在固体本体（2）被施加被布置在固体本体（2）的下游。 一个固体本体（2）盖的远端侧（3）被设计为所述发光二极管（100）的辐射出射面（30）。 第一接触元件（10）在未组装和/或暴露的非接触的发光二极管（100）的状态。

公开(公告)号：WO2015162236A1

公开(公告)日：2015-10-29

申请号：PCT/EP2015/058874

申请日：2015-04-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN, Siegfried ,  SPERL, Matthias

IPC: H01L33/60 ,  F21V8/00 ,  H01L33/50

CPC classification number: H01L33/486 ,  G02B6/0073 ,  H01L27/0248 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/02322 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/03048 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/186 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/06 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32 ,  H01L33/502 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2933/0091

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement (100) umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip (10), eine erste Kontaktfläche (31) und eine zur ersten Kontaktfläche lateral versetzte und von dieser elektrisch isolierte zweite Kontaktfläche (32), und ein Gehäuseelement (40). Die die erste Kontaktfläche (31) ist elektrisch leitend mit der ersten Halbleiterschicht (21) und die zweite Kontaktfläche (32) ist elektrisch leitend mit der zweiten Halbleiterschicht (22) des optoelektronischen Halbleiterchips verbunden. Die erste Kontaktfläche (31) und die zweite Kontaktfläche (32) überragen den optoelektronischen Halbleiterchip jeweils seitlich. Das Gehäuseelement (40) ist in Bereichen, in welchen die erste Kontaktfläche (31) und die zweite Kontaktfläche (32) den optoelektronischen Halbleiterchip jeweils seitlich überragen, an der ersten Kontaktfläche (31) und der zweiten Kontaktfläche (32) befestigt. Das Gehäuseelement umgibt den optoelektronischen Halbleiterchip zumindest teilweise. Eine dem optoelektronischen Halbleiterchip zugewandte Oberfläche des Gehäuseelements ist zumindest in Teilbereichen reflektierend ausgebildet ist. Eine Wand des Gehäuseelements weist eine Aussparung (61) auf.

Abstract translation: 光电子器件（100）包括的光电子半导体芯片（10），第一接触表面（31）和一个横向和从该电绝缘的第二接触表面（32）偏移到所述第一接触面和壳体构件（40）。 第一接触表面（31）导电地连接到第一半导体层（21）和所述第二接触表面（32）导电地连接到连接在所述光电子半导体芯片的所述第二半导体层（22）。 第一接触表面（31）和所述第二接触表面（32）突出超过所述光电子半导体芯片侧面。 其中，所述第一接触表面（31）和每个项目横向光电子半导体芯片的所述第二接触表面（32），在所述第一接触表面（31）和所述第二接触表面（32）被附接的区域中的壳体构件（40）。 所述壳部件至少部分地围绕所述光电子半导体芯片。 面对所述壳体件的光电子半导体芯片表面的表面是反射性的，至少在某些领域。 壳体部件的壁具有凹槽（61）。

公开(公告)号：WO2013104751A1

公开(公告)日：2013-07-18

申请号：PCT/EP2013/050478

申请日：2013-01-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN, Siegfried ,  ILLEK, Stefan

IPC: G02B27/09 ,  F21V19/04 ,  H01L33/08

CPC classification number: H01L33/60 ,  G02B27/0905 ,  G02B27/0994 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/15 ,  H01L33/507 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0091 ,  H01L2924/00

Abstract: Ein optoelektronisches Modul (202, 204, 206, 208, 210, 212, 214, 216, 218, 220, 222, 224, 226, 228, 230, 232, 234) weist einen Träger (102) auf, an dem und/oder in dem mindestens zwei Halbleiterchips (104, 104a1, 104a2, 104b; 106, 106a1, 106a2, 106b, 106c) zur Emission elektromagnetischer Strahlung (108a, 108b) angeordnet sind. Auf oder in dem Träger (102) ist eine Abstrahleinheit (110) zur Abstrahlung elektromagnetischer Strahlung (109) aus dem optoelektronischen Modul (202, 204, 206, 208, 210, 212, 214, 216, 218, 220, 222, 224, 226, 228, 230, 232, 234) angeordnet. Mindestens einer der Halbleiterchips (106, 106a1, 106a2, 106b, 106c) ist von der Abstrahleinheit (110) beabstandet. Ein Wellenleiter (112) leitet die elektromagnetische Strahlung (108a) des mindestens einen beabstandeten Halbleiterchips (106, 106a1, 106a2, 106b, 106c) zur Abstrahleinheit (110). Die Abstrahleinheit (110) weist eine Auskoppelstruktur (114, 114a, 114b, 114c) zur Auskopplung der elektromagnetischen Strahlung (108a) aus dem Wellenleiter (112) auf.

Abstract translation: 一种光电模块（202，204，206，208，210，212，214，216，218，220，222，224，226，228，230，232，234）包括支撑件（102），在其上和/ 或其中至少两个半导体芯片;用于发射电磁辐射（108A，108B）（104，104A 1〜，104a2，104B 106 106A1，106A2，106B，106C）被布置。 上或在所述支承件（102）是用于从光电模块（发射电磁辐射（109）的发光部（110）202，204，206，208，210，212，214，216，218，220，222，224， 226，228，230，232，234）被布置。 至少一个半导体芯片（106 106A1，106A2，106B，106C）从所述发射单元（110）间隔开。 的波导（112）指示所述至少一个间隔开的半导体芯片（106 106A1，106A2，106B，106C）的电磁辐射（108A），用于发射（110）。 发射单元（110）包括用于耦合输出从所述波导（112）的电磁辐射（108）的一个解耦结构（114，114A，114B，114C）。

公开(公告)号：WO2011080058A1

公开(公告)日：2011-07-07

申请号：PCT/EP2010/069520

申请日：2010-12-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  HERRMANN, Siegfried ,  ILLEK, Stefan

Inventor： HERRMANN, Siegfried ,  ILLEK, Stefan

IPC: G02B6/00

CPC classification number: G02B6/0021 ,  G02B6/0068 ,  G02B6/0073 ,  G02B6/0083

Abstract: Es ist eine strahlungsemittierende Vorrichtung angegeben, die einen Lichtleiter (2) und zumindest eine Trägerplatte (1) aufweist. Die Trägerplatte (1) bildet eine Hauptebene (11) aus. Zumindest ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement (3) ist in oder auf einem herausgebogenen Teil der Trägerplatte (1) angeordnet, wobei eine strahlungsemittierende Oberfläche (32) des Halbleiterbauelements (3) in einem Winkel α zur Hauptebene (11) der Trägerplatte (1) steht. Der Lichtleiter (2) ist auf der dem Halbleiterbauelement (3) zugewandten Seite der Trägerplatte (1) angeordnet. Weiter sind ein Modul mit einer strahlungsemittierenden Vorrichtung und ein Verfahren zur Herstellung einer strahlungsemittierenden Vorrichtung angegeben.

Abstract translation: 它是提供一种发射辐射的装置，包括：光导（2）和至少一个承载板（1）。 承载板（1）形成的主平面（11）。 至少一个发射辐射的半导体部件（3）被布置在或在载体板（1）的弯曲出部件，其中，在对承载板的主平面（11）的角度的所述半导体部件（3）的发射辐射的表面（32）（1）。 的光导（2）的半导体元件（3）上侧面向承载板（1）。 此外，与发射辐射的装置和制造发射辐射的装置的方法的模块被示出。

公开(公告)号：WO2009076933A1

公开(公告)日：2009-06-25

申请号：PCT/DE2008/002026

申请日：2008-12-03

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  HERRMANN, Siegfried

Inventor： HERRMANN, Siegfried

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L27/15 ,  H01L25/0756 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Strahlungsemittierende Vorrichtung (40), die aufweist eine erste aktive Halbleiterschicht (12), die zur Emission elektromagnetischer Strahlung und zum direkten Kontakt mit Anschlusselektroden (18, 20) ausgebildet ist, und eine weitere aktive Halbleiterschicht (14), die zur Emission elektromagnetischer Strahlung und zum direkten Kontakt mit Anschlusselektroden (18, 20) ausgebildet ist, wobei die erste aktive Halbleiterschicht (12) und die weitere aktive Halbleiterschicht (14) übereinander gestapelt angeordnet sind.

Abstract translation: 辐射发射装置（40）包括被设计为发射电磁辐射和用端子电极直接接触（18，20）的第一有源半导体层（12），以及用于发射电磁辐射的另一半导体有源层（14），和 被设计用于与终端电极（18，20）直接接触，所述第一半导体有源层（12）和被布置在其他有源半导体层（14）堆叠在另一个之上。

公开(公告)号：WO2008014750A2

公开(公告)日：2008-02-07

申请号：PCT/DE2007/001273

申请日：2007-07-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  HERRMANN, Siegfried ,  HAHN, Berthold

Inventor： HERRMANN, Siegfried ,  HAHN, Berthold

IPC: H01L33/00 ,  H01L27/15

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L27/15 ,  H01L33/385 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62 ,  H01L33/642 ,  H01L33/647 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

Abstract: Die Erfindung beschreibt ein Dünnfilm-Halbleiterbauelemen mit einer Trägerschicht und einem auf der Trägerschicht angeordneten Schichtenstapel, der ein Halbleitermaterial enthält und zur Emission von Strahlung vorgesehen ist, wobei auf der Trägerschicht eine zur Kühlung des Halbleiterbauelements vorgesehene Wärmeableitungsschicht aufgebracht ist. Ferner beschreibt die Erfindung einen Bauelement-Verbund.

Abstract translation:

本发明描述了d导航用途nnfilm-Halbleiterbauelemen带Tr的AUML;设置lt和辐射的发射，层的载流子BEAR载体层布置堆叠在载体层和在载体BEAR包含＆AUML的半导体材料 设置用于冷却半导体部件的散热层。 此外，本发明描述了组件组合。