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    HALBLEITERDIODE UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER HALBLEITERDIODE
    2.
    发明申请
    HALBLEITERDIODE UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER HALBLEITERDIODE 审中-公开
    半导体二极管及其制造方法半导体二极管

    公开(公告)号：WO2011101280A1

    公开(公告)日：2011-08-25

    申请号：PCT/EP2011/051925

    申请日：2011-02-10

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  ALBRECHT, Tony ,  MAUTE, Markus ,  REUFER, Martin ,  ZULL, Heribert

    Inventor： ALBRECHT, Tony ,  MAUTE, Markus ,  REUFER, Martin ,  ZULL, Heribert

    IPC: H01L33/38

    CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L33/025 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2924/00

    Abstract: Eine Halbleiterdiode weist eine ersten Halbleiterschicht (102) eines ersten Leitungstyps und eine zweite Halbleiterschicht eines zweiten Leitungstyps mit einer Dotierung auf. Die zweite Halbleiterschicht weist einen mit der ersten Halbleiterschicht verbundenen vertikalen Durchkontaktierungsbereich (106) auf, in der die Dotierung derart verändert ist, dass der Durchkontaktierungsbereich (106) den ersten Leitungstyp aufweist. Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer solchen Halbleiterdiode beschrieben.

    Abstract translation: 的半导体二极管包括第一导电类型并且具有掺杂的第二导电类型的第二半导体层的第一半导体层（102）。 所述第二半导体层具有连接到所述第一半导体层通过连接区域（106）垂直，其中所述掺杂发生改变，使得通过具有所述第一导电类型的连接区域（106）的输出。 提供了一种制造这种半导体二极管中描述的方法。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES LEUCHTMITTELS UND LEUCHTMITTEL
    3.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES LEUCHTMITTELS UND LEUCHTMITTEL 审中-公开
    用于生产灯泡和灯具

    公开(公告)号：WO2011009821A1

    公开(公告)日：2011-01-27

    申请号：PCT/EP2010/060345

    申请日：2010-07-16

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  HAHN, Berthold ,  MAUTE, Markus ,  HERRMANN, Siegfried

    Inventor： HAHN, Berthold ,  MAUTE, Markus ,  HERRMANN, Siegfried

    IPC: H01L25/16 ,  F21K99/00 ,  H01L25/075 ,  H01L33/00 ,  H01L33/50

    CPC classification number: H01L25/167 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/50 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Leuchtmittels angegeben, mit den folgenden Schritten: Bereitstellen einer Vielzahl von Leuchtdioden (4), wobei jede Leuchtdiode einen strahlungsdurchlässigen Träger (44) und zumindest zwei räumlich voneinander getrennte Halbleiterkörper (41, 42, 43) aufweist, jeder Halbleiterkörper (41, 42, 43) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist, die Halbleiterkörper (41, 42, 43) getrennt voneinander ansteuerbar sind und die Halbleiterkörper (41, 42, 43) an der Oberseite (44a) des strahlungsdurchlässigen Trägers (44) auf dem strahlungsdurchlässigen Träger (44) angeordnet sind, Bereitstellen eines Chip-Verbundes (1) aus CMOS-Chips (10), wobei jeder CMOS-Chip (10) an seiner Oberseite (10a) zumindest zwei Anschlussstellen (2) aufweist, Verbinden zumindest einer der Leuchtdioden (4) mit einem der CMOS-Chips (10), wobei die Leuchtdiode (4) an der Oberseite (44a) des strahlungsdurchlässigen Trägers (44) an der Oberseite (10a) des CMOS-Chips (10) angeordnet wird und jeder Halbleiterkörper (41, 42, 43) der Leuchtdiode mit einer Anschlussstelle (2) des CMOS-Chips (10) verbunden wird.

    Abstract translation: 本发明提供一种方法用于生产荧光物质的方法，包括以下步骤：提供多个发光二极管（4），其中每个发光二极管，包括每一个辐射透射的支撑件（44）和至少两个空间上分离的半导体基体（41，42，43） 半导体主体（41，42，43）被设置用于在所述辐射透射支座的顶部（44a）上产生电磁辐射，所述半导体主体（41，42，43）彼此独立地控制，和半导体本体（41，42，43）（44 有）（在辐射透射的支撑件44）被布置，提供了一个芯片复合材料（1）制成的CMOS芯片（10），每个CMOS芯片（10）（在其顶部侧10 a）至少两个连接点（2），连接 的发光二极管（4）配有一个CMOS芯片（10）的至少一个，其中所述发光二极管（4）在透射辐射的支撑件（44）的顶部的顶部（44A）（10A ）CMOS芯片（10）的设置，并且每个具有CMOS芯片（2）的结发光二极管的半导体本体（41，42，43）的（10）连接。

    LEUCHTDIODE MIT PASSIVIERUNGSSCHICHT
    5.
    发明申请
    LEUCHTDIODE MIT PASSIVIERUNGSSCHICHT 审中-公开
    与钝化发光二极管

    公开(公告)号：WO2014195420A1

    公开(公告)日：2014-12-11

    申请号：PCT/EP2014/061732

    申请日：2014-06-05

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： VOM DORP, Sabine ,  MAUTE, Markus

    IPC: H01L33/00 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01L33/20

    CPC classification number: H01L33/24 ,  H01L27/156 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/382 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2933/0066

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips. Das Verfahren umfasst ein Ausbilden einer Halbleiterschichtenfolge (130) auf einem Ausgangssubstrat (120) und ein Strukturieren der Halbleiterschichtenfolge (130), wobei eine Halbleiterstruktur (230, 232) in Form einer Erhebung mit einer umlaufenden Mantelfläche (239) ausgebildet wird, indem Material der Halbleiterschichtenfolge (130) in einem die Halbleiterstruktur (230, 232) umgebenden Bereich wenigstens bis zu einer Tiefe entfernt wird, dass die aktive Zone (133) der Halbleiterschichtenfolge (130) an der umlaufenden Mantelfläche (239) freiliegt. Das Verfahren umfasst ferner ein Ausbilden einer Passivierungsschicht (150), wobei die Passivierungsschicht (150) auf der umlaufenden Mantelfläche (239) der Halbleiterstruktur (230, 232) angeordnet ist, ein Ausbilden einer Anschlussstruktur im Bereich der Halbleiterstruktur (230, 232) mit wenigstens einer Durchkontaktierung (260) nach dem Ausbilden der Passivierungsschicht (150), ein Verbinden der Anschlussstruktur mit einem Trägersubstrat (125), und ein Entfernen des Ausgangssubstrats (120). Die Erfindung betrifft des Weiteren einen optoelektronischen Halbleiterchip.

    Abstract translation: 本发明涉及一种制造光电半导体芯片的方法。 该方法包括形成一个起始衬底（120）上的半导体层序列（130）和图案化所述半导体层序列（130），一个半导体结构（230，232）形成为与外周表面（239）的调查表格，由材料 半导体层序列（130）在围绕区域中的至少一个深度的半导体结构（230，232）被移除，该外周面（239）上的半导体层序列（130）的有源区（133）被暴露。 该方法还包括形成钝化层（150），其中，所述半导体结构（230，232）的外周面（239）上的钝化层（150）布置，在所述半导体结构（230，232）的区域中的连接结构，其具有至少 通孔（260）形成钝化层（150），连接所述连接结构包括支撑衬底（125）;以及去除所述起始衬底（120）之后。 本发明还涉及一种光电子半导体芯片。

    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP MIT EINER ALD-SCHICHT VERKAPSELT UND ENTSPRECHENDES VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG
    6.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP MIT EINER ALD-SCHICHT VERKAPSELT UND ENTSPRECHENDES VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG 审中-公开
    有一层ALD光电子半导体芯片，封装及相应方法用于生产

    公开(公告)号：WO2014154503A1

    公开(公告)日：2014-10-02

    申请号：PCT/EP2014/055110

    申请日：2014-03-14

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： ENGL, Karl ,  HARTUNG, Georg ,  MAUTE, Markus

    IPC: H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/46 ,  H01L33/382 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44 ,  H01L33/54 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2933/005 ,  H01L2924/00

    Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, mit - einem Halbleiterkörper (10), der einen n-leitenden Bereich (2), einen zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (4) und einen p-leitenden Bereich (3) umfasst, - einer ersten Spiegelschicht (21), die zur Reflexion der elektromagnetischen Strahlung vorgesehen ist, und - einer Verkapselungsschichtenfolge (20), die mit einem elektrisch isolierenden Material gebildet ist, wobei - die erste Spiegelschicht (21) an einer Unterseite des p-leitenden Bereichs (3) angeordnet ist, wobei - die Verkapselungsschichtenfolge (20) den Halbleiterkörper (10) an seiner Außenfläche stellenweise bedeckt, - sich die Verkapselungsschichtenfolge (20) an der Außenfläche des Halbleiterkörpers (10) vom aktiven Bereich (4) entlang dem p-leitenden Bereich (3) bis unterhalb der ersten Spiegelschicht (21) erstreckt und - die Verkapselungsschichtenfolge (20) zumindest eine Verkapselungsschicht (12) umfasst, die eine ALD-Schicht ist oder aus einer ALD-Schicht besteht.

    Abstract translation: 它是设置有光电子半导体芯片 - 一个半导体本体（10），包括n型区域（2），用于产生电磁辐射有源区（4）提供与p型区（3）， - 一个 第一反光镜层（21）被设置用于将电磁辐射的反射，以及 - 其与电绝缘材料，其特征在于，形成的Verkapselungsschichtenfolge（20） - 所述第一反光镜层（21）上（3 p型区域的下侧 ）被布置，其中， - 所述Verkapselungsschichtenfolge（20）的半导体主体（10）上的地方其外表面上覆盖， - 在Verkapselungsschichtenfolge（20）从该有源区（4）沿着所述p型区域的半导体主体（10）的外表面上（ 3）下面的第一反光镜层（21），以及 - 所述Verkapselungsschichtenfolge（20）包括至少一个密封层（12）具有 ALD层或由ALD层的。

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