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    HALBLEITERDIODE UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER HALBLEITERDIODE
    1.
    发明申请
    HALBLEITERDIODE UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER HALBLEITERDIODE 审中-公开
    半导体二极管及其制造方法半导体二极管

    公开(公告)号：WO2011101280A1

    公开(公告)日：2011-08-25

    申请号：PCT/EP2011/051925

    申请日：2011-02-10

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  ALBRECHT, Tony ,  MAUTE, Markus ,  REUFER, Martin ,  ZULL, Heribert

    Inventor： ALBRECHT, Tony ,  MAUTE, Markus ,  REUFER, Martin ,  ZULL, Heribert

    IPC: H01L33/38

    CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L33/025 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2924/00

    Abstract: Eine Halbleiterdiode weist eine ersten Halbleiterschicht (102) eines ersten Leitungstyps und eine zweite Halbleiterschicht eines zweiten Leitungstyps mit einer Dotierung auf. Die zweite Halbleiterschicht weist einen mit der ersten Halbleiterschicht verbundenen vertikalen Durchkontaktierungsbereich (106) auf, in der die Dotierung derart verändert ist, dass der Durchkontaktierungsbereich (106) den ersten Leitungstyp aufweist. Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer solchen Halbleiterdiode beschrieben.

    Abstract translation: 的半导体二极管包括第一导电类型并且具有掺杂的第二导电类型的第二半导体层的第一半导体层（102）。 所述第二半导体层具有连接到所述第一半导体层通过连接区域（106）垂直，其中所述掺杂发生改变，使得通过具有所述第一导电类型的连接区域（106）的输出。 提供了一种制造这种半导体二极管中描述的方法。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILS
    2.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILS 审中-公开
    方法用于制造光电半导体元件

    公开(公告)号：WO2010136304A1

    公开(公告)日：2010-12-02

    申请号：PCT/EP2010/055986

    申请日：2010-05-03

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BAUR, Elmar ,  HEINDL, Alexander ,  BOEHM, Bernd ,  RODE, Patrick ,  ZULL, Heribert

    Inventor： BAUR, Elmar ,  HEINDL, Alexander ,  BOEHM, Bernd ,  RODE, Patrick ,  ZULL, Heribert

    IPC: H01L33/00 ,  H01L33/22 ,  G03F7/00

    CPC classification number: H01L33/22 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L33/005 ,  H01L33/20

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils angegeben, mit den folgenden Schritten: - Bereitstellen eines ersten Wafers (1), welcher eine strukturierte Oberfläche (11) aufweist, wobei die strukturierte Oberfläche (11) zumindest stellenweise durch Erhebungen (E1, E2) erster (H1) und zweiter Höhe (H2) gebildet ist, wobei die erste Höhe (H1) größer ist als die zweite Höhe (H2); - Bereitstellen eines zweiten Wafers (3); - Aufbringen eines Fotolacks (2) auf die Außenflächen des zweiten Wafers (3); - Strukturieren der dem zweiten Wafer (3) abgewandten Oberfläche des Fotolacks (2) durch Abdrucken der strukturierten Oberfläche (11) des ersten Wafers (1) in den Fotolack (2), wobei die Erhebungen (E1, E2) als Gräben (G1, G2) erster und zweiter Tiefe in den Fotolack (2) abgedruckt werden; - Anwendung eines Strukturierungsverf ahrens (6) auf die strukturierte Oberfläche (21) des Fotolacks (2), wobei - die auf dem Fotolack (2) aufgebrachte Struktur zumindest stellenweise auf die Außenfläche (30) des zweiten Wafers (3) übertragen wird.

    Abstract translation: 公开的是用于制造光电子半导体器件，其包括以下步骤的方法： - 提供（1）具有结构化表面（11），第一晶片，其中所述结构化表面（11）至少局部地通过凸起（E1，E2） 首先（H1）形成，并且第二高度（H2），其中，所述第一高度（H1）比所述第二高度（H2）更大; - 提供第二晶片（3）; - 施加抗蚀剂（2）所述第二晶片的外表面（3）上; - 通过在光致抗蚀剂（2）压印在第一晶片（1）的图案化表面（11），图案化（3）的面向远离所述光致抗蚀剂（2）的表面的第二晶片，其中所述凸起（E1，E2）（如沟槽G1， G2）的第一和第二深度（在光致抗蚀剂2）将被打印; - 一个Strukturierungsverf Ahrens的（6）到所述光致抗蚀剂（2），其中，所述结构化表面（21）的应用 - 的光致抗蚀剂（2）施加的结构被至少局部地转移到第二晶片（3）的外表面（30）。

    OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT
    6.
    发明申请
    OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT 审中-公开
    光电子器件及其制造方法的光电子器件

    公开(公告)号：WO2013017466A1

    公开(公告)日：2013-02-07

    申请号：PCT/EP2012064434

    申请日：2012-07-23

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  GEYER GUDRUN ,  HOEPPEL LUTZ ,  ZULL HERIBERT

    Inventor： GEYER GUDRUN ,  HOEPPEL LUTZ ,  ZULL HERIBERT

    IPC: H01L33/44 ,  H01L21/02 ,  H05K3/38

    CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/005 ,  H01S5/0282

    Abstract: The invention relates to an optoelectronic component, which has a semiconductor layer sequence (10) having an optoelectronically active region and a dielectric layer (20) on the semiconductor layer sequence (10) and a metal layer (40) on the dielectric layer (20). An adhesive layer (30) is arranged between the dielectric layer (20) and the metal layer (40), which adhesive layer is connected covalently to the dielectric layer (20) and the metal layer (40). The invention further relate to a method for producing an optoelectronic component.

    Abstract translation: 本发明提供一种光电器件，其包括具有光电有源区和在半导体层序列（10）和介电层（20）上的金属层（40）的介电层（20）的半导体层序列（10）。 该介电层（20）和金属层（40）被布置的粘接剂层（30），其被共价键合到介电层（20）和连接到所述金属层（40）之间。 此外，提供了用于制造光电子器件的方法。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERKÖRPERS
    9.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERKÖRPERS 审中-公开
    用于生产半导体主体

    公开(公告)号：WO2012139953A1

    公开(公告)日：2012-10-18

    申请号：PCT/EP2012/056183

    申请日：2012-04-04

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  PERZLMAIER, Korbinian ,  ZULL, Heribert ,  EBERHARD, Franz ,  VEIT, Thomas ,  KÄMPF, Mathias ,  DENNEMARCK, Jens

    Inventor： PERZLMAIER, Korbinian ,  ZULL, Heribert ,  EBERHARD, Franz ,  VEIT, Thomas ,  KÄMPF, Mathias ,  DENNEMARCK, Jens

    IPC: H01L33/00 ,  H01S5/02 ,  H01L21/78

    CPC classification number: H01L33/0095 ,  H01L21/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/0201 ,  H01L2924/00

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkörpers (3) mit den folgenden Schritten angegeben: - Bereitstellen eines Halbleiterwafers mit mindestens zwei Chipbereichen (1) und mindestens einem Trennbereich (2), der zwischen den Chipbereichen (1) angeordnet ist, wobei der Halbleiterwafer eine Schichtenfolge aufweist, deren äußerste Schicht zumindest innerhalb des Trennbereiches (2) eine transmittierende Schicht (8) aufweist, die für elektromagnetische Strahlung durchlässig ist, - Durchführen zumindest einer der folgenden Maßnahmen: Entfernen der transmittierenden Schicht (8) innerhalb des Trennbereichs (2), Aufbringen einer absorbierenden Schicht (16) innerhalb des Trennbereichs, Erhöhen des Absorptionskoeffizients der transmittierenden Schicht innerhalb des Trennbereichs, und - Trennen der Chipbereiche (1) entlang der Trennbereiche (2) mittels eines Lasers.

    Abstract translation: 提供了一种方法用于制造半导体主体（3），包括以下步骤： - 提供具有至少两个芯片的区域（1）和至少一个分离区的半导体晶片（2），其被布置在所述芯片区域（1），其中所述半导体晶片为间 具有层序列，最外层具有至少（2）的发射层（8），其是可渗透的电磁辐射，该释放区域内 - 执行以下各项中的至少一项：所述分离区域（2）内除去所述透射层（8）的， 施加所述分离区域内的吸收层（16），增加分离区中的透射层的吸收系数，以及 - 所述芯片区域（1）沿所述分开部分（2）通过激光来分离。

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