公开(公告)号：WO2015176893A1

公开(公告)日：2015-11-26

申请号：PCT/EP2015/058559

申请日：2015-04-21

申请人： ROBERT BOSCH GMBH

发明人： DAVES, Walter ,  KASPER, Knut, Alexander ,  DUERNSTEINER, Silvia ,  RITTNER, Martin ,  GUENTHER, Michael

IPC分类号： H01L25/16

CPC分类号： H01L25/16 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/33 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/0002 ,  H03K17/567 ,  H01L2924/00

摘要： Die Erfindung betrifft eine Kommutierungszelle (7, 16) mit wenigstens einer elektrischen Kapazität (8), wenigstens einem steuerbaren Halbleiterschalter (9) und wenigstens einem Halbleiter (10), der in Reihe zu dem steuerbaren Halbleiterschalter (9) geschaltet ist, gekennzeichnet durch drei parallel zueinander angeordnete Schaltungsträger (11, 12, 13), wobei der steuerbare Halbleiterschalter (9) über einen teilweise zwischen dem steuerbaren Halbleiterschalter (9) und dem Halbleiter (10) angeordneten Schaltungsträger (12) in Reihe zu dem Halbleiter (10) geschaltet ist, wobei die beiden übrigen Schaltungsträger (11, 13) über eine aus dem steuerbaren Halbleiterschalter (9), dem Halbleiter (10) und dem teilweise zwischen dem steuerbaren Halbleiterschalter (9) und dem Halbleiter (10) angeordneten Schaltungsträger (12) gebildete Baugruppe (14) elektrisch leitend miteinander verbunden sind, und wobei die elektrische Kapazität (8) separat von der Baugruppe (14) zwischen die beiden übrigen Schaltungsträger (11, 13) geschaltet ist.

摘要翻译： 本发明涉及一种Kommutierungszelle（7，16）与至少一个电容量（8），至少一个可控半导体开关（9）和至少一个半导体（10），其被串联连接在所述可控半导体开关（9），其特征在于由三个 相互平行的电路板（11，12，13），其中，（9）在所述可控半导体开关（9）和所述半导体之间的部分（10），其设置电路载体（12）的可控半导体开关串联连接到半导体（10） ，组件经由可控半导体开关（9）中的一个的剩余的两个电路载体（11，13），半导体（10）和部分所述可控半导体开关（9）之间和所述半导体被布置（10）电路载体（12）形成（ 14）导电地连接到彼此，并且其中所述两个compreh之间的电容量（8）分开（从组件14） 强度电路载体（11，13）连接。

公开(公告)号：WO2018166580A1

公开(公告)日：2018-09-20

申请号：PCT/EP2017/055906

申请日：2017-03-14

申请人： ROBERT BOSCH GMBH

发明人： DAVES, Walter ,  PALALE, Suresh ,  VEMULAMADA, Pardhasaradhi ,  ERSOEZ, Bora

IPC分类号： G01N27/12 ,  G01N33/00

CPC分类号： G01N27/126 ,  G01N33/004

摘要： A sensor for detecting CO 2 in a gas is provided. The sensor has a layer comprising a matrix and an ionic liquid incorporated therein, wherein the ionic liquid forms a CO 2 intermediate complex when exposed to CO 2 and the CO 2 intermediate complex dissociates into positively and negatively charged ions upon application of a stimulant to produce a response which indicates the presence or absence of CO 2 .

公开(公告)号：WO2014202410A1

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：PCT/EP2014/061806

申请日：2014-06-06

申请人： ROBERT BOSCH GMBH

发明人： DAVES, Walter

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/792 ,  H01L29/51 ,  H01L29/40 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3115 ,  H01L29/30

CPC分类号： H01L29/408 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/792

摘要： Die Erfindung betrifft einen Halbleiter-Leistungsschalter (100) mit einem Trägersubstrat (110) und einer auf dem Trägersubstrat (110) aufgebrachten ersten Halbleiterschicht (130) aus einem ersten Halbleitermaterial. Weiterhin umfasst der Halbleiter-Leistungsschalter (100) eine auf der ersten Halbleiterschicht (130) aufgebrachte zweite Halbleiterschicht (135) aus einem zweiten Halbleitermaterial, wobei der Bandabstand des ersten Halbleitermaterials sich vom Bandabstand des zweiten Halbleitermaterials unterscheidet. Auch umfasst der Halbleiter-Leistungsschalter (100) einen Drainanschluss (145) und einen Sourceanschluss (150), die zumindest in der zweiten Halbleiterschicht (135) eingebettet sind, wobei mittels des Drainanschlusses (145) und des Sourceanschlusses (150) zumindest eine Grenzschicht (140) zwischen dem ersten und zweiten Halbleitermaterial elektrisch kontaktierbar ist. Ferner umfasst der Halbleiter-Leistungsschalter (100) einen Kanalbereich (155) zwischen dem Drainanschluss (145) und dem Sourceanschluss (150), wobei der Kanalbereich (155) ausgebildet ist, um als elektrischer Leistungsschalter zu wirken. Schließlich umfasst der Halbleiter- Leistungsschalter (100) einen Gateanschluss (170), der zumindest teilweise den Kanalbereich (155) überdeckt.

摘要翻译： 本发明涉及一种半导体功率开关（100）与载体基板（110）和一个支承衬底（110）上施加的第一半导体材料的第一半导体层（130）。 此外，半导体功率开关（100）包括所述第一半导体层（130）上施加的第二半导体材料的第二半导体层（135），其中所述第一半导体材料的带隙是从所述第二半导体材料的带隙不同。 此外，半导体功率开关（100）包括一个漏极端子（145）和源极端子（150），其被所述第二半导体层（135）中嵌入至少，其特征在于，由所述漏极端子（145）和至少所述源极端子（150）的装置（边界层 140）可以在第一和第二半导体材料之间的电接触。 此外，半导体功率开关（100）包括的漏极端子（145）和源极端子（150）之间的沟道区（155），所述沟道区（155）被配置成充当一个电断路器。 最后，将半导体功率开关（100）包括一栅极端子（170）至少部分地覆盖所述沟道区（155）。

公开(公告)号：WO2020130946A1

公开(公告)日：2020-06-25

申请号：PCT/SG2019/050624

申请日：2019-12-19

申请人： ROBERT BOSCH GMBH ,  ERSOEZ, Bora ,  PALALE, Suresh ,  FUCHS, Tino ,  DAVES, Walter

发明人： ERSOEZ, Bora ,  PALALE, Suresh ,  FUCHS, Tino ,  DAVES, Walter

IPC分类号： G01N27/414

摘要： The present disclosure provides for a transistor for detecting gases in the ambient air comprising a plurality of electrodes with one electrode being a gate electrode; further at least one electrode being individually coated by a ceramic, wherein an ionogel is connecting all electrodes with each other, the ionogel being an ionic liquid immobilized by a matrix. It also provides for use of a transistor as defined above as an air-quality sensor. It also provides for a process for making a transistor, the process comprising: providing a plurality of electrodes, wherein one of the electrodes is a gate electrode (110); individually depositing a ceramic precursor on at least one of the plurality of electrodes (130); and connecting the plurality of electrodes with an ionogel, the ionogel being an ionic liquid immobilized by a matrix (140). It also provides a transistor produced by the process (100) as defined above.

公开(公告)号：WO2019137604A1

公开(公告)日：2019-07-18

申请号：PCT/EP2018/050523

申请日：2018-01-10

申请人： ROBERT BOSCH GMBH

发明人： DAVES, Walter ,  GAN, Bee Keen ,  CHER, Jingting

IPC分类号： G01N33/00 ,  G01N33/02

CPC分类号： G01N33/02 ,  G01N33/0047 ,  G01N33/0075

摘要： An embodiment of the present invention relates to a sensor node. The sensor node includes a sensor unit configured to detect at least one volatile sulphur compound and at least one non- sulphur containing volatile organic compound. The sensor node also includes a microcontroller in electrical connection with the sensor unit. The microcontroller is configured to generate information based on the at least one volatile sulphur compound and the at least one non-sulphur containing volatile organic compound detected. The sensor node additionally includes a communicator in electrical connection with the microcontroller, the communicator configured to transmit the information to an external device.

公开(公告)号：WO2016177491A1

公开(公告)日：2016-11-10

申请号：PCT/EP2016/054884

申请日：2016-03-08

申请人： ROBERT BOSCH GMBH

发明人： SPANOS, Konstantin ,  DAVES, Walter ,  SCHWAIGER, Stephan

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L25/00 ,  H01L29/778 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/06

CPC分类号： H01L25/072 ,  H01L21/8252 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0605 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H03K17/6871 ,  H01L2924/00014

摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Schaltungsvorrichtung (200). Das Verfahren umfasst einen Schritt des Bereitstellens eines Substrats (202) und einen Schritt des Prozessierens einer III-V-Verbindungshalbleiterschaltung (206) auf einer Substratoberseite (204) des Substrats (202), wobei die III-V-Verbindungshalbleiterschaltung (206) zumindest ein erstes III-V-Verbindungshalbleiter-Bauelement (208), ein zweites III-V-Verbindungshalbleiter-Bauelement (210)und einen elektrischen Leiter (212), der das erste III-V-Verbindungshalbleiter-Bauelement (208) und das zweite III-V-Verbindungshalbleiter-Bauelement (210) elektrisch leitfähig verbindet,aufweist. In einem Schritt des Anordnens werden eine Metallschicht oder ein metallisierter Schaltungsträgerauf einer der Substratoberseite gegenüberliegenden Rückseite des Substrats als eine elektrische Kontaktfläche zur Rückführung eines Stroms für eine leistungselektronische Schaltungangeordnet.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于制备电子电路装置（200）的方法。 该方法包括：提供衬底（202）和在衬底（202）的衬底顶表面（204），以处理一个III-V族化合物半导体电路（206）的步骤的一个步骤，其中所述III-V族化合物半导体电路（206）的至少一个 第一III-V族化合物半导体器件（208），第二III-V族化合物半导体器件（210）和所述第一III-V族化合物半导体器件（208）的电导体（212）和第二III V族化合物半导体设备（210）连接导电的，具有。 在设置金属层或金属化电路支撑轴承的基板作为电接触表面的上板基板侧相对后侧的一个用于返回用于功率电子电路的电流的步骤布置。

公开(公告)号：WO2018234185A1

公开(公告)日：2018-12-27

申请号：PCT/EP2018/065970

申请日：2018-06-15

申请人： ROBERT BOSCH GMBH

发明人： DAVES, Walter ,  ERSOEZ, Bora

IPC分类号： G01N27/12 ,  G01N33/00 ,  G01N27/404

CPC分类号： G01N27/127 ,  G01N27/126 ,  G01N27/4045 ,  G01N33/004

摘要： The present disclosure provides for an electrochemical sensor for detecting gases in the ambient air comprising a porous host (6), infiltrated with an organically-based monomeric ionic liquid (8), which is deposited on at least one metal oxide (10). It also provides for use of an electrochemical sensor as defined above as an air-quality sensor for the detection of carbon dioxide. It also provides for a process for making an electrochemical sensor, comprising: deposition of at least one metal oxide on a substrate and sintering the at least one metal oxide; deposition of a layer comprising a porous host infiltrated with an organically-based monomeric ionic liquid on the at least one metal oxide in a solvent, evaporating the solvent and annealing the layer at a temperature of 50-200 °C, and optionally further comprising adding at least one passivation layer. It also provides an electrochemical sensor produced by the process as defined above.

公开(公告)号：WO2015135691A1

公开(公告)日：2015-09-17

申请号：PCT/EP2015/052054

申请日：2015-02-02

申请人： ROBERT BOSCH GMBH

发明人： DAVES, Walter ,  BADEJA, Michael

IPC分类号： G01L9/00

CPC分类号： G01L9/0045

摘要： Die Erfindung betrifft einen Drucksensor (100) mit einem Substrat (102) und einer Transistorstruktur (104). Das Substrat (102) weist eine in das Substrat (102) eingebrachte Kavität (106) auf. Die Transistorstruktur (104) ist über der Kavität (106) angeordnet. Die Transistorstruktur (104) weist eine biegsame Heterostruktur (108) und je zumindest einen elektrisch leitend mit der Heterostruktur (108) verbundenen Sourcekontakt (110) und Drainkontakt (112) sowie einen Gatekontakt (114) auf. Die Heterostruktur (108) ist dazu ausgebildet, eine Position entsprechend einem Druckverhältnis zwischen einem ersten Druck in der Kavität (106) und einem zweiten Druck auf einer der Kavität gegenüberliegenden Seite der Heterostruktur (108) einzunehmen. Die Transistorstruktur (104) ist dazu ausgebildet, ein elektrisches Signal entsprechend der Position bereitzustellen.

摘要翻译： 本发明涉及一种包括衬底（102）和晶体管结构（104）的压力传感器（100）。 在基板（102）具有上的在衬底（102）引入的空腔（106）。 晶体管结构（104）设置在所述空腔（106）。 晶体管结构（104）包括柔性异质结构（108）和所述至少一个导电连接到所述源极接触（110）和漏极接触（112）和上的栅极触点（114）的异质结构（108）。 异质结构（108）被适配为假设对应于所述腔（106）和在所述异质结构（108）的相反侧中的一个的第二压力腔的第一压力之间的压力比的位置。 晶体管结构（104）适于提供对应于该位置的电信号。

公开(公告)号：WO2014202409A1

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：PCT/EP2014/061800

申请日：2014-06-06

申请人： ROBERT BOSCH GMBH

发明人： DAVES, Walter

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L23/367 ,  H01L29/417 ,  H01L29/40 ,  H01L29/20

CPC分类号： H01L29/7786 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/481 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4175 ,  H01L2224/05 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Die Erfindung betrifft einen Transistor (100) mit einem Trägersubstrat (110) und einer auf dem Trägersubstrat (110) aufgebrachten ersten Halbleiterschicht (130) aus einem ersten Halbleitermaterial. Weiterhin umfasst der Transistor (100) eine auf die erste Halbleiterschicht (130) aufgebrachte zweite Halbleiterschicht (135) aus einem zweiten Halbleitermaterial, wobei der Bandabstand des ersten Halbleitermaterials sich vom Bandabstand des zweiten Halbleitermaterials unterscheidet. Auch umfasst der Transistor (100) einen Drainanschluss (145) und einen Sourceanschluss (150), die zumindest in der zweiten Halbleiterschicht (135) eingebettet sind, wobei mittels des Drainanschlusses (145) und des Sourceanschlusses (150) zumindest eine Grenzschicht (140) zwischen dem ersten und zweiten Halbleitermaterial elektrisch kontaktierbar ist. Ferner umfasst der Transistor (100) einen Kanalbereich (155) zwischen dem Drainanschluss (145) und dem Sourceanschluss (150). Ferner umfasst der Transistor (100) einen Gateanschluss (170), der zumindest teilweise den Kanalbereich (155) überdeckt. Schließlich umfasst der Transistor (100) eine Ausnehmung (180), die auf einer dem Drainanschluss (145) und dem Sourceanschluss (150) gegenüberliegenden Seite des Trägersubstrats (100) angeordnet ist und den Kanalbereich (155) zumindest teilweise überlappt, wobei ein seitlicher Rand (182) und/oder ein Boden (183) der Ausnehmung (180) von einer Isolationsschicht (185) bedeckt ist.

摘要翻译： 本发明涉及一种具有支撑基板（110）上的载体基板（110）和一个施加的第一半导体材料的第一半导体层（130）的晶体管（100）。 此外，晶体管（100）包括所述第一半导体层（130）上，其中所述第一半导体材料的带隙是从所述第二半导体材料的带隙不同的施加的第二半导体材料的第二半导体层（135）。 晶体管（100）包括一个漏极端子（145）和源极端子（150），其被所述第二半导体层（135）中嵌入至少，其特征在于，由所述漏极端子（145）和源极端子（150）的装置中的至少一个阻挡层（140） 在第一和第二半导体材料之间的电接触。 此外，晶体管（100）包括的漏极端子（145）和源极端子（150）之间的沟道区（155）。 此外，晶体管（100）包括至少部分地覆盖所述沟道区（155）的栅极端子（170）。 最后，晶体管（100）包括形成在漏极端子（145）和相对的所述载体基板（100）与沟​​道区（155）的侧上的源极端子（150）上的凹部（180）至少部分地与一个侧边缘重叠 （182）和/或凹部（180）通过绝缘层（185）的底部（183）被覆盖。