公开(公告)号：WO2017198961A1

公开(公告)日：2017-11-23

申请号：PCT/FR2017/051217

申请日：2017-05-18

Applicant: S'TILE

Inventor： STRABONI, Alain ,  SOW, Alioune ,  SUN, Guocai ,  SUMMHAMMER, Johan

IPC: H01L31/05 ,  H01L31/0224

Abstract: L'invention concerne un dispositif photovoltaïque comprenant une juxtaposition de cellules (32) connectées en série par des rubans conducteurs (42), chaque ruban étant soudé d'une part à un premier plot de connexion (36) en face avant d'une première cellule et d'autre part à un deuxième plot de connexion (40) en face arrière d'une deuxième cellule voisine de la première cellule, le deuxième plot étant entièrement situé dans la moitié de la deuxième cellule la plus éloignée de la première cellule.

Abstract translation: 本发明涉及一种光伏器件，其包括通过导电带（42）串联连接的单元（32）的并列，每个带被焊接。 一方面＆agrave; 在第一单元的正面上并且另一方面的第一连接垫（36） 在与第一单元相邻的第二单元的背面中的第二连接焊盘（40），第二曲线图完全位于; 在一半eacute 这是第一个细胞第二远的细胞。

公开(公告)号：WO2017081400A1

公开(公告)日：2017-05-18

申请号：PCT/FR2016/052897

申请日：2016-11-08

Applicant: S'TILE

Inventor： STRABONI, Alain

IPC: H01L31/0475 ,  H01L31/042

CPC classification number: H01L31/0475 ,  H01L31/042 ,  Y02E10/50

Abstract: L'invention concerne une structure électronique comprenant un support en céramique et au moins une couche active disposée sur le support. Le support présente une surface inférieure à la surface présentée par la structure. L'invention concerne aussi une cellule photovoltaïque composée de quatre sous- cellules reposant sur des barres.

Abstract translation: 本发明涉及一种电子结构，该电子结构包括陶瓷载体和设置在该载体上的至少一个活性层。 支持物具有较低的表面积; 由结构布置的表面。 本发明还涉及一种光伏电池，其由四个搁置在条上的子电池组成。

公开(公告)号：WO2013153504A1

公开(公告)日：2013-10-17

申请号：PCT/IB2013/052800

申请日：2013-04-08

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES ,  S'TILE

Inventor： GARANDET, Jean-Paul ,  BRIZE, Virginie ,  PIHAN, Etienne ,  STRABONI, Alain ,  DUPONT, Florent

IPC: C30B1/02 ,  H01L31/18 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02667 ,  C30B1/02 ,  C30B13/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02612 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/182 ,  H01L31/1872 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

Abstract: Procédé de préparation d'une couche de silicium cristallisé à gros grains» La présente invention concerne un procédé de formation d'une couche de silicium cristallisé formée de grains ayant une taille moyenne supérieure ou égale à 20 µm, comprenant au moins les étapes consistant à: (1) disposer d'une couche de silicium à (re)cristalliser et dont la taille moyenne des grains est inférieure 10 µm; (2) mettre en contact ladite couche de silicium à (re)cristalliser avec une composition liquide formée en tout ou partie d'au moins un solvant métallique; et (3) exposer l'ensemble à un traitement thermique propice à la (re)cristallisation de ladite couche de silicium à la taille de grains attendue, caractérisé en ce que ledit traitement thermique comprend le chauffage de l'ensemble formé par la couche de silicium au contact de ladite composition liquide à une température inférieure à 1410 °C et au moins égale à la température eutectique dans le diagramme de phases solvant-silicium.

Abstract translation: 本发明涉及一种形成由平均粒径不小于20μm的晶粒构成的结晶硅层的方法，至少包括以下步骤：（1）提供待重结晶的硅层 其平均粒径小于10μm; （2）将所述硅层重新结晶化，至少部分地由金属溶剂组成的液体组合物接触; 和（3）将所述组件暴露于适合于使所述硅的所述硅层结晶的预热晶粒度的热处理，其特征在于，所述热处理包括加热由与所述液体组合物接触的硅层组成的组件 达到低于1410℃并且至少等于溶剂 - 硅相图中的共晶温度的温度。

公开(公告)号：WO2016203175A4

公开(公告)日：2016-12-22

申请号：PCT/FR2016/051484

申请日：2016-06-17

Applicant: S'TILE

Inventor： STRABONI, Alain ,  SOW, Alioune ,  SUN, Guocai ,  BRETTE, Jean-Baptiste

IPC: H01L23/15 ,  H01L21/48 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0465 ,  H01L21/60

Abstract: L'invention concerne une structure comprenant un support en céramique. Le support comporte un ou plusieurs caissons conducteurs isolés électriquement les uns des autres. Au moins un élément à semi-conducteurs est lié au support par une substance conductrice (10, 12, 14) qui coopère avec un ou plusieurs caissons du support pour assurer une liaison électrique.

公开(公告)号：WO2016203175A1

公开(公告)日：2016-12-22

申请号：PCT/FR2016/051484

申请日：2016-06-17

Applicant: S'TILE

Inventor： STRABONI, Alain ,  SOW, Alioune ,  SUN, Guocai ,  BRETTE, Jean-Baptiste

IPC: H01L23/15 ,  H01L21/48 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0465 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/147 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/15 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L31/048 ,  H01L31/0508 ,  H01L2224/75102 ,  H01L2224/75272 ,  H01L2224/753

Abstract: L'invention concerne une structure comprenant un support en céramique. Le support comporte un ou plusieurs caissons conducteurs isolés électriquement les uns des autres. Au moins un élément à semi-conducteurs est lié au support par une substance conductrice (10, 12, 14) qui coopère avec un ou plusieurs caissons du support pour assurer une liaison électrique.

Abstract translation: 本发明涉及包括陶瓷载体的结构。 支撑件包括彼此电绝缘的一个或多个导电外壳。 至少一个半导体元件通过与支撑件的一个或多个外壳配合以提供电连接的导电物质（10,12,14）连接到支撑件。

公开(公告)号：WO2020094980A1

公开(公告)日：2020-05-14

申请号：PCT/FR2019/052631

申请日：2019-11-06

Applicant: S'TILE

Inventor： STRABONI, Alain

IPC: H01L31/048 ,  H01L31/05

Abstract: La présente description concerne un dispositif photovoltaïque (300) comportant une juxtaposition de cellules élémentaires (302) connectées en série par des nappes conductrices (304) ajourées.

公开(公告)号：WO2011010074A1

公开(公告)日：2011-01-27

申请号：PCT/FR2010/051559

申请日：2010-07-22

Applicant: S'TILE ,  STRABONI, Alain

Inventor： STRABONI, Alain

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/02 ,  H01L21/687

CPC classification number: H01L21/02532 ,  C30B1/02 ,  C30B1/12 ,  C30B29/06 ,  C30B35/00 ,  C30B35/002 ,  F27D3/0084 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/6776

Abstract: L'invention concerne un dispositif et un procédé pour recristalliser une plaquette de silicium ou une plaquette comportant au moins une couche de silicium. La plaquette de silicium ou la au moins une couche de silicium de la plaquette est totalement fondue.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于使包含至少一个硅层的硅晶片或晶片再结晶的装置和方法。 硅晶片或晶片的至少一个硅层完全熔化。

公开(公告)号：WO2010112782A2

公开(公告)日：2010-10-07

申请号：PCT/FR2010/050628

申请日：2010-04-01

Applicant: S'TILE ,  STRABONI, Alain

Inventor： STRABONI, Alain

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/042 ,  H01L21/20 ,  H01L21/22 ,  C04B35/645 ,  C04B35/65

CPC classification number: H01L31/0745 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1872 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: L'invention concerne un procédé et une structure électronique (35) comprenant un support (26, 28) réalisé par frittage de poudres de silicium et au moins une couche épitaxiée (32). L'invention concerne aussi des cellules photovoltaïques et peut s'appliquer à d'autres domaines, comme l'électronique, la microélectronique ou l'optoélectronique.

Abstract translation: 本发明涉及一种方法和电子结构（35），其包括通过烧结硅粉末产生的衬底（26,28）和至少一个外延层（32）。 本发明还涉及光伏电池，并且可以用于其他领域，例如电子学，微电子学或光电子学领域。

公开(公告)号：WO2010072956A1

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：PCT/FR2009/052620

申请日：2009-12-18

Applicant: S'TILE ,  STRABONI, Alain

Inventor： STRABONI, Alain

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: L'invention concerne une structure comprenant une première couche réalisée par frittage de poudres de silicium et une deuxième couche réalisée en silicium monocristallin, comprenant ou non une couche formant barrière de diffusion ou une couche isolante entre les première et deuxième couches. Application au domaine photovoltaïque et à divers domaines, comme en électronique, microélectronique, optique, opto-électronique.

Abstract translation: 本发明涉及一种结构，其包括通过烧结硅粉末制成的第一层和由单晶硅制成的第二层，并且其在第一层和第二层之间具有或不包括扩散阻挡层或绝缘层。 本发明可用于光伏工业和各种领域，例如在电子学，微电子学，光学学和光电学领域。