公开(公告)号：WO2016023535A1

公开(公告)日：2016-02-18

申请号：PCT/DE2015/000401

申请日：2015-08-14

Applicant: ATV TECHNOLOGIE GMBH

Inventor： RANGELOV, Ventzeslav ,  KOWALSKY, Siegfried ,  PORT, Walter ,  KOCH, Roland

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/603

CPC classification number: H01L24/75 ,  B23K1/0016 ,  B23K3/04 ,  B23K3/087 ,  B23K20/023 ,  B23K2201/40 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/95 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/75102 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75283 ,  H01L2224/75314 ,  H01L2224/75315 ,  H01L2224/7555 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83209 ,  H01L2224/8323 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/95 ,  H01L2224/95093 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83

Abstract: Gegenstand der Erfindung ist eine Vorrichtung zum insbesondere thermischen Verbinden mikro-elektromechanischer Bauteile (2, 3) in einem Prozessraum (8), mit einer unteren Auflageplatte (11) zur Aufnahme wenigstens eines ersten Bauteils (2) der zu verbindenden Bauteile (2, 3) und mit einer Anpresseinrichtung (15) zur Druckbeaufschlagung wenigstens eines zweiten Bauteils (3) der zu verbindenden Bauteile (2, 3) gegenüber dem wenigstens einen ersten Bauteil (2). Die Anpresseinrichtung (15) ist dabei mit einer zur Kontaktierung mit dem wenigsten einen zweiten Bauteil (3) vorgesehenen, dehnbaren Membran (19) ausgebildet. Diese Membran (19) ist auf ihrer den zu verbindenden Bauteilen (2, 3) abgewandten Seite mit Fluiddruck, insbesondere Gasdruck, beaufschlagbar.

Abstract translation: 本发明涉及用于特定热粘结微机电部件的装置（2，3）在处理室（8），具有较低用于接收至少一个第一组分压盘（11）（2）的将被接合的部件（2,3 ），并与用于加压部件中的至少一个第二部件（3）的挤压装置（15）被接合（2,3）相对于所述至少一个第一部件（2）。 所述的压力装置（15）具有用于与所述至少一个第二部件（3）的，可拉伸膜（19）接触设置形成。 从部件背向该膜（19）被接合（2，3）由流体压力，特别是气体压力侧，以采取行动。

公开(公告)号：WO2012052251A2

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：PCT/EP2011066613

申请日：2011-09-23

Applicant: BOSCH GMBH ROBERT ,  WOLDE-GIORGIS DANIEL ,  FEIOCK ANDREA

Inventor： WOLDE-GIORGIS DANIEL ,  FEIOCK ANDREA

IPC: B22F1/02

CPC classification number: H05K13/0465 ,  B22F1/0074 ,  B22F1/02 ,  B22F3/1039 ,  B23K35/34 ,  C22C1/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/2731 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29078 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29316 ,  H01L2224/29338 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29369 ,  H01L2224/29439 ,  H01L2224/29487 ,  H01L2224/29493 ,  H01L2224/32221 ,  H01L2224/37986 ,  H01L2224/37993 ,  H01L2224/75101 ,  H01L2224/75102 ,  H01L2224/75272 ,  H01L2224/83055 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/351 ,  H05K1/097 ,  H05K1/11 ,  H05K3/3484 ,  H05K2201/0218 ,  H05K2201/0224 ,  H05K2203/121 ,  Y10T403/477 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: The invention relates to a starter material for a sintering compound, said starter material comprising particles which at least proportionally contain an organic metal compound and/or a precious metal oxide, the organic metal compound and/or the precious metal oxide being converted during heat treatment of the starter material into the elemental metal and/or precious metal. The invention is characterized in that the particles have a coating containing a reducing agent by means of which the organic metal compound and/or precious metal oxide is reduced to the elemental metal and/or precious metal at a temperature below the sintering temperature of the elemental metal and/or precious metal.

Abstract translation: 烧结接头的本发明的起始材料包含颗粒，其按比例包含至少一种有机金属化合物和/或贵金属氧化物，其中所述有机金属化合物和/或贵金属氧化物被转化的温度下处理起始材料的成元素金属和/或贵金属。 它是本发明包含该颗粒包含还原剂，涂料，借助于特性，该特性的有机金属化合物和/或贵金属氧化物的元素金属和/或贵金属的在低于元素金属和/或贵金属的烧结温度的温度的降低 ，

公开(公告)号：WO2015114857A1

公开(公告)日：2015-08-06

申请号：PCT/JP2014/069077

申请日：2014-07-17

Applicant: 株式会社ニッシン

Inventor： 小谷　一哉 ,  本田　剛 ,  坂本　旭

IPC: H01L21/52

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L24/75 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/27332 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29318 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/75101 ,  H01L2224/75102 ,  H01L2224/75266 ,  H01L2224/755 ,  H01L2224/82048 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83097 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/97 ,  H05K3/32 ,  H05K2203/095 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013

Abstract: 　本発明の接合方法では、ステップＳ３の予備加熱処理は、金属または金属酸化物の微粒子からなる導電性ペーストを介在させた半導体チップおよびフレームに対して予備加熱処理を行う。この予備加熱処理によって、当該接着剤からなる接合層と半導体チップおよびフレームとの界面でのボイドがなくなる。このステップＳ３の予備加熱処理の後で、ステップＳ４のプラズマ処理は、減圧下で半導体チップおよびフレームに対してプラズマ照射を断続的に行ってプラズマ処理を行う。このプラズマ処理によって、当該接着剤からなる接合層内に存在する空隙が均一になる。ステップＳ４の予備加熱処理およびステップＳ５のプラズマ処理により接合層と被処理物との界面でのボイドがなくなるので接合能力が高くなる。また、プラズマ照射を断続的に行うので、プラズマ処理での処理温度を抑えることができる。

Abstract translation: 在该接合方法中，对于半导体芯片和框架进行步骤S3中的辅助加热处理，在该框架之间插入包含金属或金属氧化物的纳米颗粒的导电浆料。 作为辅助加热处理的结果，除去包括粘合剂的粘合层与半导体芯片和框架之间的界面中的空隙。 在步骤S3中的辅助加热处理之后，通过在减压下间歇地对半导体芯片和框架执行等离子体照射来执行步骤S4中的等离子体处理。 作为等离子体处理的结果，包含粘合剂的粘合层内存在的间隙变得均匀。 作为步骤S3中的辅助加热处理和步骤S4中的等离子体处理的结果，去除了结合层和处理物之间的界面的空隙，因此结合能力增加。 此外，间歇地进行等离子体照射，因此能够抑制等离子体处理的处理温度。

公开(公告)号：WO2003092052A1

公开(公告)日：2003-11-06

申请号：PCT/JP2003/005119

申请日：2003-04-22

Applicant: 東レエンジニアリング株式会社 ,  山内 朗

Inventor： 山内 朗

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L21/302 ,  H01L24/75 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/75 ,  H01L2224/75102 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/7901 ,  H01L2224/81013 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14

Abstract: A packaging method and a packaging system for bonding articles to each other after cleaning the bonding face of at least one article, characterized in that cleaning is performed by irradiating the bonding face with an energy wave or energy particles while heating. Since occurrence of charge up damage can be prevented while attaining a sufficiently high cleaning effect, alignment and bonding can be carried out at normal temperature or a slightly lower temperature and thereby the cleaning effect can be enhanced while ensuring highly accurate packaging.

Abstract translation: 一种包装方法和用于在清洁至少一件物品的粘合面之后将制品彼此粘合的包装系统，其特征在于，通过在加热时用能量波或能量粒子照射所述接合面进行清洁。 由于在获得足够高的清洁效果的同时可以防止发生充电损伤，因此可以在常温或稍低的温度下进行取向和接合，从而可以提高清洁效果，同时确保高精度的包装。

公开(公告)号：WO2016035703A1

公开(公告)日：2016-03-10

申请号：PCT/JP2015/074416

申请日：2015-08-28

Applicant: 千住金属工業株式会社

Inventor： 加賀谷　智丈

IPC: F04B49/06 ,  B23K1/008 ,  F04B37/16 ,  H05K3/34 ,  B23K101/42

CPC classification number: B23K1/008 ,  B23K2201/42 ,  F04B37/14 ,  F04B49/065 ,  F04B2205/09 ,  F04C18/0207 ,  F04C18/12 ,  F04C25/02 ,  F04C28/08 ,  F04C2240/403 ,  F04D17/168 ,  F04D19/04 ,  F04D27/0261 ,  H01L24/75 ,  H01L2224/75102 ,  H01L2224/75283 ,  H01L2224/759 ,  H05K3/34 ,  H05K2203/085 ,  H05K2203/163

Abstract: 　真空引き条件の選択度を拡大しつつ、チャンバー内を指定された目標の真空度に短時間に真空引きできるようにする。真空処理装置は、ワークを真空環境下ではんだ処理可能なチャンバー４０と、チャンバー４０の真空引き条件を設定する操作部２１と、チャンバー４０を真空引きするポンプ２３と、チャンバー４０を所定のポンプ出力で真空引きしたときの真空度の減少量を算出して基準値として設定すると共に、リアルタイムで算出した真空度の減少量が基準値より小さくなると、ポンプ出力が小さい真空引き制御特性からポンプ出力が大きい真空引き制御特性へ切り替える制御部６１とを備えるものである。

Abstract translation: 本发明能够将腔室快速抽空至特定的真空度，同时提高排气条件的选择性。 该真空处理装置设置有：使得工件能够在真空环境中被焊接的室（40）; 用于设置所述室（40）的排气条件的操作单元（20）。 用于抽空所述室（40）的泵（23）; 以及控制部（61），其计算使用预定的泵输出对所述室（40）进行抽真空时的真空度的减少量，将所得到的量设定为基准值，并且从包括 当实时计算的真空度的降低量已经变得低于参考值时，将低泵输出降低到涉及高泵输出的抽空控制特性。

公开(公告)号：WO2015114761A1

公开(公告)日：2015-08-06

申请号：PCT/JP2014/052001

申请日：2014-01-29

Applicant: 株式会社ニッシン

Inventor： 小谷　一哉 ,  本田　剛 ,  坂本　旭

IPC: H01L21/52 ,  H05K3/32

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L24/75 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/27332 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29318 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/75101 ,  H01L2224/75102 ,  H01L2224/75266 ,  H01L2224/755 ,  H01L2224/82048 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83097 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/97 ,  H05K3/32 ,  H05K2203/095 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013

Abstract: 　本発明の接合方法では、ステップＳ３の予備加熱処理は、大気圧下で金属または金属酸化物の微粒子からなる導電性ペーストを介在させた半導体チップおよびフレームに対して予備加熱処理を行う。この予備加熱処理によって、当該接着剤からなる接合層と半導体チップおよびフレームとの界面でのボイドがなくなる。このステップＳ３の予備加熱処理の後で、ステップＳ４のプラズマ処理は、減圧下で半導体チップおよびフレームに対してプラズマ照射を断続的に行ってプラズマ処理を行う。このプラズマ処理によって、当該接着剤からなる接合層内に存在する空隙がなくなる。ステップＳ４の予備加熱処理およびステップＳ５のプラズマ処理により空隙やボイドがなくなるので接合能力が高くなる。また、プラズマ照射を断続的に行うので、プラズマ処理での処理温度を抑えることができる。

Abstract translation: 在该接合方法中，在大气压下对半导体芯片和框架（其间插入包含金属或金属氧化物的纳米颗粒的导电浆料）进行步骤S3中的辅助加热处理。 作为辅助加热处理的结果，除去包括粘合剂的粘合层与半导体芯片和框架之间的界面中的空隙。 在步骤S3中的辅助加热处理之后，通过在减压下间歇地对半导体芯片和框架执行等离子体照射来执行步骤S4中的等离子体处理。 作为等离子体处理的结果，除去包含粘合剂的粘合层内存在的间隙。 作为步骤S3中的辅助加热处理和步骤S4中的等离子体处理的结果，去除间隙和空隙，因此结合能力增加。 此外，间歇地进行等离子体照射，因此能够抑制等离子体处理的处理温度。

公开(公告)号：WO2015053193A1

公开(公告)日：2015-04-16

申请号：PCT/JP2014/076570

申请日：2014-10-03

Applicant: 古河電気工業株式会社

Inventor： 児島　直之 ,  日笠　和人 ,  佐藤　俊一郎 ,  藤原　英道 ,  渡邉　雅人

IPC: H01L21/603 ,  B22F7/00 ,  B22F7/04 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L24/83 ,  B22F7/004 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/4871 ,  H01L23/142 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/2932 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29369 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/75101 ,  H01L2224/75102 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75315 ,  H01L2224/75986 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83948 ,  H01L2924/0544 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/054 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01069 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/00012

Abstract: 　金属部材と金属多孔質体との接合部でのクラック発生を防止して、信頼性の高い接合を実現することができる接合構造を提供すること。　本発明の接合構造は、金属部材１と、該金属部材１上に形成された金属多孔質体２とを有する。金属部材１は、一方の主面１ａを含み金属多孔質体２側に形成された外部層１ｂと、外部層１ｂよりも厚み方向において金属多孔質体２から離れた位置に形成された内部層１ｃとを有し、外部層１ｂの平均結晶粒径ｄｓが、内部層１ｃの平均結晶粒径ｄｉよりも小さく、金属多孔質体２の平均結晶粒径ｄｐが、外部層１ｂの平均結晶粒径ｄｓよりも小さい又は同じである。

Abstract translation: 提供一种接合结构，其防止在金属构件和金属多孔体的接合部处发生裂纹，并且能够实现高可靠性接头。 该接合结构包括形成在金属构件（1）上的金属构件（1）和金属多孔体（2）。 金属构件（1）包括：包括主表面（1a）并且形成在金属多孔体（2）侧上的外层（1b）; 以及形成在与所述金属多孔体（2）在厚度方向上比所述外层（1b）更大距离的位置处的内层（1c）。 外层（1b）的平均晶粒尺寸（ds）小于内层（1c）的平均晶粒尺寸（di）。 金属多孔体（2）的平均结晶粒径（dp）小于或等于外层（1b）的平均结晶粒径（ds）。

公开(公告)号：WO2016060274A1

公开(公告)日：2016-04-21

申请号：PCT/JP2015/079446

申请日：2015-10-19

Applicant: ボンドテック株式会社

Inventor： 山内　朗

IPC: H01L21/02 ,  B23K20/00 ,  B23K20/16 ,  B23K20/24 ,  H01L21/68 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L24/83 ,  B23K20/023 ,  B23K20/233 ,  B23K20/24 ,  B23K37/0408 ,  B23K37/047 ,  B23K2201/40 ,  B23K2203/50 ,  H01L21/187 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67259 ,  H01L21/68 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68735 ,  H01L23/544 ,  H01L24/75 ,  H01L24/80 ,  H01L24/94 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75102 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75272 ,  H01L2224/75303 ,  H01L2224/75305 ,  H01L2224/757 ,  H01L2224/75701 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75704 ,  H01L2224/75705 ,  H01L2224/75724 ,  H01L2224/75725 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/759 ,  H01L2224/75901 ,  H01L2224/7592 ,  H01L2224/75981 ,  H01L2224/80012 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/8003 ,  H01L2224/80047 ,  H01L2224/8009 ,  H01L2224/8013 ,  H01L2224/80132 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80213 ,  H01L2224/80893 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/80908 ,  H01L2224/80986 ,  H01L2224/83009 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/83908 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/8001 ,  H01L2224/80009 ,  H01L2224/80121

Abstract: 【課題】基板どうしを接合する際に、基板どうしの間でのボイドの発生を防ぐとともに、ひずみを抑制して、高い位置精度で接合する。 【解決手段】第一の基板と第二の基板とを接合する方法であって、前記第一の基板及び前記第二の基板のそれぞれの接合面の表面に水又はＯＨ含有物質を付着させる親水化処理を行う工程と、前記第一の基板と前記第二の基板とを、前記接合面どうしを対向させて配置するとともに、前記第一の基板を、前記接合面の外周部に対して中央部が前記第二の基板側に突出するように撓ませる工程と、前記第一の基板の前記接合面と前記第二の基板の前記接合面とを、前記中央部どうしで突き合わせる工程と、前記中央部どうしが非接合状態を維持する圧力で突き合わせた状態で、前記第一の基板の外周部と前記第二の基板の外周部との距離を縮め、前記第一の基板の前記接合面と前記第二の基板の前記接合面とを全面で突き合わせる突き合わせ工程と、を備える基板どうしの接合方法。

Abstract translation: 为了将基板粘合在一起，防止在基板之间形成空隙，使应变最小化，并且以高位置精度进行接合。 [解决方案]一种将第一基板和第二基板结合在一起的方法，其中所述方法具有：进行亲水处理的步骤，其中使水或含OH物质粘附到各个键合物的表面 第一基板和第二基板的表面; 用于将所述第一基板和所述第二基板布置成使得所述接合表面彼此面对并且使所述第一基板偏转以使得所述中心部分相对于所述接合表面的外周部分朝向所述第二基板侧突出的步骤; 使第一基板的接合面和第二基板的接合面在中心部彼此抵接的步骤; 并且一旦使中心部分在非粘合状态的压力下彼此抵接，则使得第一基板的外周部分与第二基板的外周部分之间的距离减小的邻接步骤 并且使得第一基板的接合表面和第二基板的接合表面在整个表面上彼此邻接。

公开(公告)号：WO2013161891A1

公开(公告)日：2013-10-31

申请号：PCT/JP2013/062100

申请日：2013-04-24

Applicant: 須賀 唯知 ,  ボンドテック株式会社

Inventor： 須賀　唯知 ,  山内　朗

IPC: H01L21/60 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H05K3/32

CPC classification number: H01L25/0652 ,  B23K31/02 ,  B23K37/00 ,  B23K37/0408 ,  B23K2201/40 ,  H01L21/6836 ,  H01L22/10 ,  H01L23/10 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/09 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/73 ,  H01L24/74 ,  H01L24/742 ,  H01L24/743 ,  H01L24/75 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L24/95 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/0384 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/06134 ,  H01L2224/0615 ,  H01L2224/06177 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/09181 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/11845 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/14134 ,  H01L2224/1415 ,  H01L2224/14177 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/27009 ,  H01L2224/2755 ,  H01L2224/27823 ,  H01L2224/2784 ,  H01L2224/27845 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/74 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75101 ,  H01L2224/75102 ,  H01L2224/7525 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75283 ,  H01L2224/753 ,  H01L2224/75301 ,  H01L2224/7531 ,  H01L2224/75501 ,  H01L2224/75502 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/75701 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/75802 ,  H01L2224/75804 ,  H01L2224/75824 ,  H01L2224/75842 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/80003 ,  H01L2224/8001 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80065 ,  H01L2224/8013 ,  H01L2224/80132 ,  H01L2224/80143 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/8022 ,  H01L2224/8023 ,  H01L2224/80447 ,  H01L2224/8083 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/81002 ,  H01L2224/8101 ,  H01L2224/81013 ,  H01L2224/81065 ,  H01L2224/8113 ,  H01L2224/81132 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8122 ,  H01L2224/8123 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/8183 ,  H01L2224/81907 ,  H01L2224/83002 ,  H01L2224/8301 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83051 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83091 ,  H01L2224/8313 ,  H01L2224/83132 ,  H01L2224/83136 ,  H01L2224/83143 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8322 ,  H01L2224/8323 ,  H01L2224/83234 ,  H01L2224/83355 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

Abstract: 【課題】接合界面に樹脂などの望ましくない残存物を残さないようにして、チップとウエハとの間又は積層された複数のチップ間の電気的接続を確立し機械的強度を上げる、ウエハ上にチップを効率よく接合する技術を提供すること。 【解決手段】金属領域を有するチップ側接合面を有する複数のチップを、複数の接合部を有する基板に接合する方法が、チップ側接合面の金属領域を、表面活性化処理し、かつ親水化処理するステップ（Ｓ１）と、基板の接合部を表面活性化処理し、かつ親水化処理するステップ（Ｓ２）と、表面活性化処理されかつ親水化処理された複数のチップを、それぞれ、チップの金属領域が基板の接合部に接触するように、表面活性化処理されかつ親水化処理された基板の対応する接合部上に取り付けるステップ（Ｓ３）と、基板と基板上に取り付けられた複数のチップとを含む構造体を加熱するステップ（Ｓ４）とを備える。

Abstract translation: [问题]提供一种用于将晶片高效地接合到晶片而不在接合界面上留下不需要的残留物（例如树脂）的技术，建立芯片和晶片之间或多个分层芯片之间的电连接并增加机械强度。 [解决方案]本发明的用于将包含金属区域的芯片侧接合表面的多个芯片接合到包括多个接合部分的基板的本发明的方法具有以下步骤：（S1）其中芯片的金属区域 接合表面进行表面活化处理和亲水化处理; 步骤（S2），其中对所述基板的接合部进行表面活化处理和亲水化处理; 已经进行表面活化处理和亲水化处理的多个芯片中的每一个被附着到已进行了表面活化处理和亲水化处理的基板上的相应接合部分的步骤（S3） 处理，使得芯片的金属区域与基板的接合部分接触; 以及步骤（S4），其中包括基板和附接到基板的多个芯片的结构被加热。

公开(公告)号：WO2013145622A1

公开(公告)日：2013-10-03

申请号：PCT/JP2013/001813

申请日：2013-03-15

Applicant: 株式会社ニコン

Inventor： 岡本　和也 ,  菅谷　功 ,  倉田　尚彦 ,  岡田　政志 ,  三ッ石　創

IPC: H01L21/02 ,  G01B7/34 ,  G01B11/30 ,  H05K3/00

CPC classification number: H01L24/75 ,  B23K37/04 ,  B23K2201/40 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/68 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L23/544 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2223/54413 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54493 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75101 ,  H01L2224/75102 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75301 ,  H01L2224/755 ,  H01L2224/7555 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/75701 ,  H01L2224/75724 ,  H01L2224/75725 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/75755 ,  H01L2224/75756 ,  H01L2224/758 ,  H01L2224/75802 ,  H01L2224/75804 ,  H01L2224/759 ,  H01L2224/75901 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81012 ,  H01L2224/81047 ,  H01L2224/8109 ,  H01L2224/8113 ,  H01L2224/81132 ,  H01L2224/8115 ,  H01L2224/8116 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014

Abstract: 　基板貼り合わせ装置であって、第１基板と第２基板とを互いに貼り合せる基板貼り合わせ装置であって、互いに位置合わせして重ね合わされた第１基板と第２基板とを互いに接合する接合部と、接合部による接合の前に、第１基板および第２基板の少なくとも一方の凹凸状態を検出する検出部と、検出部により検出された凹凸状態が所定の条件を満たすか否かを判断する判断部と、を備え、接合部は、凹凸状態が所定の条件を満たさないと判断部により判断された場合、第１基板および第２基板の接合を行わない。

Abstract translation: 这种将第一基板和第二基板彼此结合的基板接合装置设置有：将第一基板和第二基板彼此接合的接合单元，所述第一基板和第二基板已经对准并重叠 彼此; 检测单元，其在通过所述接合单元执行所述接合之前检测所述第一基板和/或所述第二基板的凹凸状态; 以及确定单元，其确定通过检测单元检测到的凹入和投影状态是否满足预定条件。 当确定单元确定凹入和突出状态不符合预定条件时，接合单元不将第一基板和第二基板彼此接合。