公开(公告)号：WO2018029612A1

公开(公告)日：2018-02-15

申请号：PCT/IB2017/054861

申请日：2017-08-09

Applicant: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY

Inventor： NORIMOTO, Masashi

IPC: B24B37/015 ,  B24B37/22 ,  B24B37/24 ,  B24B37/26

CPC classification number: B24B37/22 ,  B24B37/015 ,  B24B37/24 ,  B24B37/26

Abstract: The present disclosure relates to lapping pads which include an abrading layer, wherein the abrading layer includes a working surface and a second surface opposite the working surface having a projected area Ap, and at least one cavity having a cavity opening located at the second surface, the at least one cavity being defined by at least one rib, each rib having a distal end at the second surface; and a phase transition material having a thermally reversible phase transition, wherein the phase transition material is disposed in the at least one cavity. The present disclosure further relates to a lapping system, the lapping system includes a lapping pad of the present disclosure and a working fluid; a method of making a lapping pad; and a method of lapping using a lapping pad of the present disclosure.

Abstract translation: 本发明涉及包括研磨层的研磨垫，其中研磨层包括工作表面和与工作表面相对的具有投影面积A p的第二表面，并且至少一个腔具有 位于所述第二表面处的腔开口，所述至少一个腔由至少一个肋限定，每个肋具有在所述第二表面处的远端; 以及具有热可逆相变的相变材料，其中所述相变材料设置在所述至少一个空腔中。 本公开还涉及研磨系统，研磨系统包括本公开的研磨垫和工作流体; 制造研磨垫的方法; 以及使用本公开的研磨垫进行研磨的方法。

公开(公告)号：WO2014054611A1

公开(公告)日：2014-04-10

申请号：PCT/JP2013/076647

申请日：2013-10-01

Applicant: 株式会社 フジミインコーポレーテッド

Inventor： 森永　均 ,  玉井　一誠 ,  庭野　裕 ,  浅井　舞子

IPC: B24B37/015

CPC classification number: B24B37/015

Abstract: 研磨方法は、研磨パッドと研磨パッドに供給される研磨用組成物とを用いて合金材料を研磨する。研磨用組成物はシリカ又はアルミナからなる研磨材を含有し、研磨の終了時における研磨パッドの表面温度は２０℃以下である。合金材料の製造方法は、研磨パッドと研磨パッドに供給される研磨用組成物とを用いて、合金材料を研磨する研磨工程を有する。研磨用組成物はシリカ又はアルミナからなる研磨材を含有し、研磨の終了時における研磨パッドの表面温度は２０℃以下である。

Abstract translation: 在该抛光方法中，使用抛光垫和提供给抛光垫的抛光组合物来抛光合金材料。 抛光组合物含有由二氧化硅或氧化铝形成的研磨材料，抛光结束时的研磨垫的表面温度为20℃以下。 一种合金材料的制造方法，其特征在于，使用研磨垫和供给到所述研磨垫的研磨用组合物来研磨合金材料的研磨工序。 抛光组合物含有由二氧化硅或氧化铝形成的研磨材料，抛光结束时的研磨垫的表面温度为20℃以下。

公开(公告)号：WO2012021215A3

公开(公告)日：2012-04-12

申请号：PCT/US2011040630

申请日：2011-06-16

Applicant: APPLIED MATERIALS INC ,  CHEN HUNG CHIH ,  HSU SAMUEL CHU-CHIANG ,  DANDAVATE GAUTAM SHASHANK ,  KOOSAU DENIS M

Inventor： CHEN HUNG CHIH ,  HSU SAMUEL CHU-CHIANG ,  DANDAVATE GAUTAM SHASHANK ,  KOOSAU DENIS M

IPC: H01L21/304

CPC classification number: B24B37/30 ,  B24B37/015

Abstract: Embodiments of the present invention relate to apparatus and method for improve uniformity of a polishing process. Embodiments of the present invention provide a heating mechanism configured to apply thermal energy to a perimeter of a substrate during polishing, or a cooling mechanism configured to cool a central region of the substrate during polishing, or a biased heating mechanism configured to create a temperature step differential on a given radius of a polishing pad.

Abstract translation: 本发明的实施例涉及用于改善抛光工艺的均匀性的设备和方法。 本发明的实施例提供了一种加热机构，该加热机构被配置为在抛光期间将热能施加到基板的周边，或者被配置为在抛光期间冷却基板的中心区域的冷却机构，或者被配置为产生温度阶跃的偏置加热机构 抛光垫给定半径上的差异。

公开(公告)号：WO2012021215A2

公开(公告)日：2012-02-16

申请号：PCT/US2011/040630

申请日：2011-06-16

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC. ,  CHEN, Hung Chih ,  HSU, Samuel Chu-Chiang ,  DANDAVATE, Gautam Shashank ,  KOOSAU, Denis M.

Inventor： CHEN, Hung Chih ,  HSU, Samuel Chu-Chiang ,  DANDAVATE, Gautam Shashank ,  KOOSAU, Denis M.

IPC: H01L21/304

CPC classification number: B24B37/30 ,  B24B37/015

Abstract: Embodiments of the present invention relate to apparatus and method for improve uniformity of a polishing process. Embodiments of the present invention provide a heating mechanism configured to apply thermal energy to a perimeter of a substrate during polishing, or a cooling mechanism configured to cool a central region of the substrate during polishing, or a biased heating mechanism configured to create a temperature step differential on a given radius of a polishing pad.

Abstract translation: 本发明的实施例涉及用于提高抛光工艺的均匀性的装置和方法。 本发明的实施例提供了一种加热机构，其被配置为在抛光期间将热能施加到基板的周边，或者构造成在抛光期间冷却基板的中心区域的冷却机构，或者构造成产生温度步长的偏置加热机构 抛光垫的给定半径上的微分。

公开(公告)号：WO2018034308A1

公开(公告)日：2018-02-22

申请号：PCT/JP2017/029453

申请日：2017-08-16

Applicant: 株式会社 荏原製作所

Inventor： 椛沢　雅志 ,  松尾　尚典

IPC: B24B37/015 ,  B24B37/34 ,  B24B49/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/015 ,  B24B37/34 ,  B24B49/14 ,  H01L21/304

Abstract: 本発明は、ウェーハなどの基板を研磨する研磨方法に関するものである。研磨方法は、基板（Ｗ）を研磨パッド（３）の表面に押し付けて基板（Ｗ）を研磨し、基板（Ｗ）の研磨中に、パッド温度調整部材（１１）に流れる流体の流量を制御するための流量制御バルブ（４２，５６）を操作することで、研磨パッド（３）の表面温度を変化させ、研磨パッド（３）の表面温度を測定し、研磨パッド（３）の表面温度の時間変化に基づいて、ＰＩＤパラメータを算定し、ＰＩＤパラメータを備えたＰＩＤ演算式を用いて、温度目標値と研磨パッドの表面温度の測定値との偏差を最小にするための流量制御バルブ（４２，５６）の操作量を計算し、基板Ｗの研磨中に、操作量に従って流量制御バルブ（４２，５６）を操作する。

Abstract translation: 本发明涉及一种用于抛光诸如晶片的衬底的抛光方法。 抛光方法来抛光衬底（W）的基板（W）压在抛光垫（3）的表面上，抛光衬底（W）的，控制流过垫的温度调节构件的流体的流速（11）过程中 通过操作流量控制阀（42，56），用于通过改变抛光垫（3）的表面温度，抛光垫的表面温度（3）进行测量，所述的抛光垫的表面温度（3） 基于该时间变化，计算PID参数，使用PID计算公式，其包括PID参数，一个流量控制阀（42到抛光垫的表面温度的测量值和温度目标值之间的偏差为最小 ，56），根据基板W的研磨时的操作量来操作流量控制阀（42,56）。

公开(公告)号：WO2017139079A1

公开(公告)日：2017-08-17

申请号：PCT/US2017/014105

申请日：2017-01-19

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： BROWN, Brian J.

IPC: B24B49/14 ,  B24B37/04 ,  B24B57/02 ,  B24B49/08 ,  B24B37/34

CPC classification number: B24B37/015 ,  B24B37/34 ,  B24B49/14 ,  B24B55/02 ,  B24C1/003

Abstract: Implementations of the present disclosure generally relate to planarization of surfaces on substrates and on layers formed on substrates, including an apparatus for in-situ temperature control during polishing, and methods of using the same. More specifically, implementations of the present disclosure relate to in-situ temperature control with a condensed gas during a chemical-mechanical polishing (CMP) process. In one implementation, the method comprises polishing one or more substrates against a polishing surface in the presence of a polishing fluid during a polishing process to remove a portion of a material formed on the one or more substrates. A temperature of the polishing surface is monitored during the polishing process. Carbon dioxide snow is delivered to the polishing surface in response to the monitored temperature to maintain the temperature of the polishing surface at a target value during the polishing process.

Abstract translation: 本公开的实施方式一般涉及衬底上和形成在衬底上的层上的表面的平面化，包括用于在抛光过程中原位温度控制的设备及其使用方法。 更具体地，本公开的实施方式涉及在化学机械抛光（CMP）过程期间用冷凝气体进行原位温度控制。 在一个实施方式中，该方法包括在抛光过程期间在抛光液存在下抛光一个或多个衬底抵靠抛光表面以去除在一个或多个衬底上形成的一部分材料。 在抛光过程中监测抛光表面的温度。 根据监测到的温度，二氧化碳雪被送到抛光表面，以在抛光过程中将抛光表面的温度保持在目标值。

公开(公告)号：WO2013153880A1

公开(公告)日：2013-10-17

申请号：PCT/JP2013/056193

申请日：2013-03-06

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 河内　辰朗 ,  城山　厚 ,  小暮　祐二 ,  布施　歩

IPC: B24B37/015 ,  B24B7/22 ,  B24B37/00

CPC classification number: B24B37/015 ,  B24B37/044

Abstract: 　ガラス基板と研磨パッドとの間に研磨液を供給してガラス基板を研磨するガラス基板の研磨方法であって、前記研磨液が酸化セリウムスラリーであり、前記ガラス基板と前記研磨パッドとの間に供給する際、前記研磨液の温度が２０℃以下であることを特徴とするガラス基板の研磨方法を提供する。

Abstract translation: 本发明提供一种抛光玻璃基板的方法，其中在玻璃基板和抛光垫之间提供抛光溶液的同时对玻璃基板进行抛光，其特征在于抛光液为二氧化铈浆料， 在玻璃基板和抛光垫之间的抛光液的供给期间，抛光液被调节到20℃以下。

公开(公告)号：WO2013015750A1

公开(公告)日：2013-01-31

申请号：PCT/TH2011/000029

申请日：2011-07-25

Applicant: HOYA GLASS DISK (THAILAND) LTD ,  HOYA CORPORATION ,  DEEPLUB, Supagan

Inventor： HOYA CORPORATION ,  DEEPLUB, Supagan

IPC: G11B5/84 ,  B24B1/00 ,  B24B37/00 ,  C03C19/00

CPC classification number: G11B5/8404 ,  B24B37/015 ,  B24B37/042 ,  B24B37/08 ,  B24B49/14 ,  C03C19/00

Abstract: The present invention provides a method of manufacturing glass substrates for information recording medium comprising steps of polishing of several glass substrates polished at a time using sun-and-planet gear type polishing machine; selectively determining at least two different annular zones of the polishing plate and controlling the temperature variation of the determined annular zones of the polishing machine so as to suppress and control thickness variation of glass substrates. Thickness variation can be suppressed and controlled when temperature gap on different zones of polishing plate is low. It is also the object of the present invention that the temperature variation of at least two different annular zones of polishing plate of the polishing machine is determined to be not over 2 °C. By such a method according to this invention, the surface of glass substrates on different annular zones of polishing plate can be polished so as to have low thickness variations.

Abstract translation: 本发明提供一种制造用于信息记录介质的玻璃基板的方法，包括以下步骤：使用太阳与行星齿轮式抛光机一次抛光几个玻璃基板; 选择性地确定抛光板的至少两个不同的环形区域并控制抛光机的确定的环形区域的温度变化，以便抑制和控制玻璃基板的厚度变化。 当抛光板的不同区域的温度差低时，可以抑制和控制厚度变化。 本发明的另一个目的是将抛光机的抛光板的至少两个不同环形区域的温度变化确定为不超过2℃。 通过根据本发明的这种方法，抛光板的不同环形区域上的玻璃基板的表面可被抛光以具有低的厚度变化。

公开(公告)号：WO2012083621A1

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：PCT/CN2011/072587

申请日：2011-04-11

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  杨涛 ,  赵超 ,  李俊峰

Inventor： 杨涛 ,  赵超 ,  李俊峰

IPC: B24B37/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/015 ,  B24B37/20 ,  B24B53/017 ,  Y02P80/30

公开(公告)号：WO2010126902A4

公开(公告)日：2011-03-31

申请号：PCT/US2010032609

申请日：2010-04-27

Applicant: APPLIED MATERIALS INC ,  XU KUN ,  ZHANG JIMIN ,  JEW STEPHEN ,  OSTERHELD THOMAS H

Inventor： XU KUN ,  ZHANG JIMIN ,  JEW STEPHEN ,  OSTERHELD THOMAS H

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/66

CPC classification number: B24B55/02 ,  B24B37/015

Abstract: A chemical mechanical polishing apparatus including a platen for holding a pad having a polishing surface, a subsystem for holding a substrate and the polishing surface together during a polishing step, and a temperature sensor oriented to measure a temperature of the polishing surface, wherein the subsystem accepts the temperature measured by the sensor and is programmed to vary a polishing process parameter in response to the measured temperature. In an aspect, a chemical mechanical polishing apparatus having a platen for holding a pad having a polishing surface, a fluid delivery system for transporting a fluid from a source to the polishing surface, and a temperature controller which during operation controls the temperature of the fluid transported by the delivery system.

Abstract translation: 一种化学机械抛光装置，包括用于在抛光步骤期间将用于保持具有抛光表面的焊盘的垫板，用于保持基板和抛光表面的子系统以及用于测量抛光表面的温度的温度传感器，其中所述子系统 接受由传感器测量的温度，并被编程为响应于测量的温度改变抛光工艺参数。 一方面，一种具有用于保持具有抛光表面的焊盘的压板的化学机械抛光装置，用于将流体从源传送到抛光表面的流体输送系统以及在操作期间控制流体温度的温度控制器 由运送系统运输。