公开(公告)号：WO2016137576A3

公开(公告)日：2016-10-13

申请号：PCT/US2016012183

申请日：2016-01-05

Applicant: UNIV NEW YORK STATE RES FOUND

Inventor： COOLBAUGH DOUGLAS ,  ADAM THOMAS ,  LEAKE GERALD L

IPC: H01L31/08 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/054 ,  H01L31/10

CPC classification number: G02B6/13 ,  G02B6/12002 ,  G02B6/132 ,  G02B6/1347 ,  G02B6/136 ,  G02B2006/121 ,  G02B2006/12104 ,  G02B2006/12123 ,  G02B2006/12169 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2033 ,  H01L21/2053 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14629 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/028 ,  H01L31/105 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547

Abstract: A photonic structure can include in one aspect one or more waveguides formed by patterning of waveguiding material adapted to propagate light energy. Such waveguiding material may include one or more of silicon (single-, poly-, or non-crystalline) and silicon nitride.

Abstract translation: 在一个方面中，光子结构可以包括通过图案化适于传播光能的波导材料形成的一个或多个波导。 这种波导材料可以包括硅（单晶，多晶或非晶）和氮化硅中的一种或多种。

公开(公告)号：WO2016140051A1

公开(公告)日：2016-09-09

申请号：PCT/JP2016/054417

申请日：2016-02-16

Applicant: 昭和電工株式会社

Inventor： 乘松　潤 ,  宮坂　晶 ,  影島　慶明 ,  亀井　宏二 ,  武藤　大祐

IPC: C30B29/36 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B29/36 ,  H01L21/20 ,  H01L21/2003 ,  H01L21/205 ,  H01L21/2053

Abstract: 本発明の一態様に係るＳｉＣエピタキシャルウェハは、（０００１）面から＜１１－２０＞方向に４度以下のオフセット角を有するＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル層が形成されたＳｉＣエピタキシャルウェハであって、前記ＳｉＣエピタキシャルウェハに含まれる台形欠陥が、ステップフロー下流側の下底の長さがステップフロー上流側の上底の長さ以下である反転した台形欠陥を含む。

Abstract translation: 根据本发明的一个实施例的SiC外延晶片包括在从（0001）面向<11-20>方向上具有4度或更小偏移角的SiC单晶衬底上形成的SiC外延层。 包括在SiC外延晶片中的梯形缺陷包括倒梯形缺陷，其中阶梯流的下游侧的基底的长度与阶梯流的上游侧的顶部的长度相同或更小。

公开(公告)号：WO2014160162A1

公开(公告)日：2014-10-02

申请号：PCT/US2014/025946

申请日：2014-03-13

Applicant: UNITED STATES OF AMERICA, AS REPRESENTED BY THE ADMINISTRATOR OF THE NATIONAL AERONAUTICS AND SPACE ADMINISTRATION

Inventor： PARK, Yeonjoon ,  CHOI, Sang, Hyouk

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/2011 ,  H01L21/2053 ,  H01L21/2056 ,  H01L25/167 ,  H01L27/15 ,  H01L29/267 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/125 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1812 ,  H01L31/1848 ,  H01L31/1852 ,  H01L33/007 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

Abstract: One aspect of the present invention is a double sided hybrid crystal structure including a trigonal Sapphire wafer containing a (0001) C-plane and having front and rear sides. The Sapphire wafer is substantially transparent to light in the visible and infrared spectra, and also provides insulation with respect to electromagnetic radio frequency noise. A layer of crystalline Si material having a cubic diamond structure aligned with the cubic direction on the (0001) C-plane and strained as rhombohedron to thereby enable continuous integration of a selected (SiGe) device onto the rear side of the Sapphire wafer. The double sided hybrid crystal structure further includes an integrated Ill-Nitride crystalline layer on the front side of the Sapphire wafer that enables continuous integration of a selected III-Nitride device on the front side of the Sapphire wafer.

Abstract translation: 本发明的一个方面是一种双面混合晶体结构，其包括具有（0001）C面并具有正面和背面的三角形蓝宝石晶片。 蓝宝石晶片对可见光和红外光谱的光线基本上是透明的，并且还提供了关于电磁射频噪声的绝缘。 在（0001）C面上具有与立方晶体方向对准的立方菱形结构的晶体Si材料层，并被应变为菱面体，从而使所选择的（SiGe）器件能够连续地集成到蓝宝石的后侧 晶圆。 双面混合晶体结构还包括在蓝宝石晶片的正面上的集成的III族氮化物晶体层，其能够在蓝宝石晶片的正面上连续地集成选定的III-氮化物器件。

公开(公告)号：WO2013103929A1

公开(公告)日：2013-07-11

申请号：PCT/US2013/020433

申请日：2013-01-06

Applicant: AKHAN TECHNOLOGIES, INC.

Inventor： KHAN, Adam

IPC: C30B29/04 ,  C30B31/00 ,  H01L29/00

CPC classification number: H01L21/0415 ,  H01L21/02085 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/043 ,  H01L21/2053 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/06 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/6603 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78 ,  H01L29/868 ,  H01L31/028 ,  H01L33/005 ,  H01L33/34 ,  Y02E10/547

Abstract: Disclosed herein is a new and improved system and method (1200) for fabricating monolithically integrated diamond semiconductor. The method may include the steps of seeding the surface of a substrate material (1204), forming a diamond layer upon the surface of the substrate material (1206); and forming a semiconductor layer within the diamond layer (1208), wherein the diamond semiconductor of the semiconductor layer has n-type donor atoms (306) and a diamond lattice (304), wherein at least.16% of the donor atoms (306) contribute conduction electrons with mobility greater than 770 cm 2 /Vs to the diamond lattice (304) at 100 kPa and 300K.

Abstract translation: 本文公开了一种用于制造单片集成金刚石半导体的新的和改进的系统和方法（1200）。 该方法可以包括以下步骤：将衬底材料（1204）的表面接合，在衬底材料（1206）的表面上形成金刚石层; 以及在所述金刚石层（1208）内形成半导体层，其中所述半导体层的所述金刚石半导体具有n型施主原子（306）和金刚石晶格（304），其中至少16％的所述施主原子 ）在100kPa和300K下向金刚石晶格（304）贡献具有大于770cm 2 / Vs的迁移率的传导电子。

公开(公告)号：WO2016167554A1

公开(公告)日：2016-10-20

申请号：PCT/KR2016/003861

申请日：2016-04-12

Applicant: 주식회사 유진테크

Inventor： 정우덕 ,  제성태 ,  최규진 ,  한성민

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/683 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/2053 ,  H01L21/02 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/205 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67303 ,  H01L21/683

Abstract: 본 발명은 내부에 공간이 형성되는 튜브, 상기 튜브 내부에서 복수의 기판을 다단으로 적재하고 상기 복수의 기판이 각각 처리되는 복수의 처리공간을 개별적으로 형성하는 기판 지지부, 모든 상기 복수의 처리공간에 제1 가스를 공급하는 제1 가스공급부, 상기 복수의 기판 각각에 제2 가스를 개별적으로 공급하도록 상기 복수의 처리공간 각각에 대응되게 배치되는 복수의 분사기를 구비하는 제2 가스공급부, 및 상기 튜브 내 가스를 배기하는 배기부를 포함하여, 복수의 기판 각각이 처리되는 공간마다 개별적으로 가스를 공급할 수 있다.

Abstract translation: 本发明包括：具有形成在其中的空间的管; 衬底支撑单元，其具有在管内层叠成多层的多个基板，并且分别形成有多个处理空间，多个基板分别处理在其中; 第一气体供给单元，其用于将第一气体供给到所述多个处理空间; 第二气体供给单元，其具有分别与所述多个处理空间对应配置的多个喷射器，使得第二气体分别供给到所述多个基板中的每一个; 以及用于排出管内的气体的排出单元，从而能够将气体单独供给到正在处理多个基板的每个空间。

公开(公告)号：WO2016137576A2

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：PCT/US2016/012183

申请日：2016-01-05

Applicant: THE RESEARCH FOUNDATION FOR THE STATE UNIVERSITY OF NEW YORK

Inventor： COOLBAUGH, Douglas ,  ADAM, Thomas ,  LEAKE, Gerald L.

IPC: H01L31/08 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/054 ,  H01L31/10

CPC classification number: G02B6/13 ,  G02B6/12002 ,  G02B6/132 ,  G02B6/1347 ,  G02B6/136 ,  G02B6/43 ,  G02B2006/121 ,  G02B2006/12104 ,  G02B2006/12123 ,  G02B2006/12169 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/2033 ,  H01L21/2053 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14629 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/028 ,  H01L31/105 ,  H01L31/1808 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547

Abstract: A photonic structure can include in one aspect one or more waveguides formed by patterning of waveguiding material adapted to propagate light energy. Such waveguiding material may include one or more of silicon (single-, poly-, or non-crystalline) and silicon nitride.

Abstract translation: 光子结构可以在一个方面包括通过对适于传播光能的波导材料的图案化形成的一个或多个波导。 这种波导材料可以包括硅（单晶，多晶或非晶）和氮化硅中的一种或多种。

公开(公告)号：WO2016105167A1

公开(公告)日：2016-06-30

申请号：PCT/KR2015/014276

申请日：2015-12-24

Applicant: 엘지이노텍 주식회사

Inventor： 이건화

IPC: H01L33/36

CPC classification number: H01L33/36 ,  H01L21/182 ,  H01L21/2053 ,  H01L21/28512 ,  H01L29/16 ,  H01L29/66136 ,  H01L33/382 ,  H01L33/486 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0016

Abstract: 실시예는 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템에 관한 것이다. 실시예에 따른 발광소자는 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물; 상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제1 전극; 상기 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제2 전극; 상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 노출하면서 상기 발광구조물 상에 배치되는 절연부재; 상기 제1 전극 상에 배치된 제3 전극; 상기 제2 전극 상에 배치된 제4 전극; 상기 제3 전극은 상기 제1 전극과 직접 접하는 제3 전극의 제1 부 및 상기 제3 전극의 제1 부 상에 상기 제3 전극의 제1 부 보다 넓은 수평폭을 갖는 제3 전극의 제2 부; 및 상기 제4 전극은 상기 제2 전극과 직접 접하는 제4 전극의 제1 부 및 상기 제4 전극의 제1 부 상에 상기 제4 전극의 제1 부 보다 넓은 수평폭을 갖는 제4 전극의 제2 부를 포함하여 광추출 효율 및 방열 특성을 개선할 수 있고, 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

Abstract translation: 实施例涉及发光器件，制造发光器件的方法，发光器件封装和照明系统。 根据实施例的发光器件包括：发光结构，包括第一导电半导体层，有源层和第二导电半导体层; 电连接到第一导电半导体层的第一电极; 电连接到第二导电半导体层的第二电极; 绝缘构件，其在暴露所述第一电极和所述第二电极的同时设置在所述发光结构上; 设置在所述第一电极上的第三电极; 以及设置在所述第二电极上的第四电极。 第三电极具有与第一电极直接接触的第三电极的第一部分，并且设置在第三电极的第一部分上的第三电极的第二部分具有大于第三电极的第一部分的水平宽度 电极。 第四电极具有与第二电极直接接触的第四电极的第一部分，并且设置在第四电极的第一部分上的第四电极的第二部分具有大于第四电极的第一部分的水平宽度 电极。 因此，发光器件可以具有改善的光提取效率和散热特性，并且可以具有增加的可靠性。