公开(公告)号：WO2016054981A1

公开(公告)日：2016-04-14

申请号：PCT/CN2015/090922

申请日：2015-09-28

Applicant: HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.

Inventor： YAN, Xuejin ,  GONG, Jianmin ,  LEI, Hongbing ,  GAO, Jianhe

IPC: H01S5/06 ,  H01S5/068

CPC classification number: H01S5/0612 ,  H01S5/024 ,  H01S5/0261 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/06213 ,  H01S5/06216 ,  H01S5/068 ,  H01S5/12 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2222 ,  H01S5/223 ,  H01S5/227 ,  H01S5/323 ,  H01S2301/176

Abstract: An apparatus comprising a burst-mode laser(610) comprising an active layer(720) and configured to emit an optical signal during a burst period, wherein a temperature change of the burst-mode laser(610) causes the optical signal to shift in wavelength, and a heater(620) thermally coupled to the active layer(720) and configured to reduce a wavelength shift of the optical signal during the burst period by applying heat to the active layer(720) based on timing of the burst period.

Abstract translation: 一种包括突发模式激光器（610）的装置，包括有源层（720）并且被配置为在突发周期期间发射光信号，其中突发模式激光器（610）的温度变化导致光信号在 以及热耦合到有源层（720）的加热器（620），并且被配置为基于突发周期的定时，通过向有源层（720）施加热来减少在脉冲串周期期间光信号的波长偏移。

公开(公告)号：WO2013153999A1

公开(公告)日：2013-10-17

申请号：PCT/JP2013/060163

申请日：2013-04-03

Applicant: ソニー株式会社

Inventor： 渡邊　秀輝 ,  河野　俊介 ,  倉本　大

IPC: H01S5/14

CPC classification number: H01S5/12 ,  B82Y20/00 ,  H01S3/105 ,  H01S5/06253 ,  H01S5/0657 ,  H01S5/101 ,  H01S5/14 ,  H01S5/141 ,  H01S5/143 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/323 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/34333

Abstract: 半導体レーザ装置組立体は、（Ａ）半導体レーザ素子１０、及び、（Ｂ）外部共振器を構成し、０次以外の回折光を半導体レーザ素子１０に戻し、０次回折光を外部に出力する回折格子１０１を備えており、回折格子１０１の回折面の延びる方向と、回折格子１０１に入射するレーザ光の電界の主たる振動方向とは概ね平行である。

Abstract translation: 该半导体激光器件组件具有：（A）半导体激光元件（10）; 和（B）构成外部谐振器的衍射光栅（101），其向半导体激光元件（10）返回除了0级衍射光以外的衍射光，并将0级衍射光输出到外部 它们。 衍射光栅（101）的衍射面延伸的方向与入射在衍射光栅（101）上的激光的电场中的主振荡方向基本平行。

公开(公告)号：WO2013130065A1

公开(公告)日：2013-09-06

申请号：PCT/US2012/027107

申请日：2012-02-29

Applicant: HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P. ,  LIANG, Di ,  FATTAL, David

Inventor： LIANG, Di ,  FATTAL, David

IPC: H01S3/083

CPC classification number: H01S3/083 ,  H01S3/063 ,  H01S5/021 ,  H01S5/026 ,  H01S5/042 ,  H01S5/0656 ,  H01S5/1028 ,  H01S5/1071 ,  H01S5/323 ,  H01S5/4087

Abstract: A laser includes an active ring, a passive waveguide, and a reflector. The active ring is to generate light. The passive waveguide is associated with the active ring to capture generated light. The reflector is associated with the passive waveguide to cause captured light from the waveguide to be coupled into the active ring to trigger domination of unidirectional lasing in the active ring to generate light.

Abstract translation: 激光器包括有源环，无源波导和反射器。 活动环是产生光。 无源波导与活动环相关联以捕获生成的光。 反射器与无源波导相关联，以使来自波导的捕获光耦合到有源环中，以触发主动环中的单向激光的支配以产生光。

公开(公告)号：WO2011113638A1

公开(公告)日：2011-09-22

申请号：PCT/EP2011/051282

申请日：2011-01-31

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  LELL, Alfred ,  STRASSBURG, Martin

Inventor： LELL, Alfred ,  STRASSBURG, Martin

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/042 ,  H01S5/323 ,  H01S5/20

CPC classification number: H01S5/4043 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2059 ,  H01S5/3013 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/323 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/405 ,  H01S5/4087 ,  H01S5/4093 ,  H01S2301/173

Abstract: Es handelt sich um eine Laserdiodenanordnung mit mindestens einem Halbleitersubstrat (2; 2x, 2y), mit mindestens zwei Laserstapeln (30, 31, 32) mit jeweils einer aktiven Zone (6, 12, 18) und mit mindestens einer Zwischenschicht (9, 15; 56, 58). Die Laserstapel (30, 31, 32) und die Zwischenschicht (9, 15; 56, 58) sind monolithisch auf das Halbleitersubstrat (2; 2x, 2y) aufgewachsen. Die Zwischenschicht (9, 15; 56, 58) ist zwischen den Laserstapeln (30, 31, 32) angeordnet. Die aktive Zone (6) des ersten Laserstapel (30) ist von der aktiven Zone (12, 18) des mindestens einen weiteren Laserstapels (31, 32) getrennt ansteuerbar. Die Zwischenschicht kann als Tunneldiode (9, 15) aufweisen, die insbesondere einen elektrischen Durchlassbereich innerhalb einer Stromblende (55, 57) darstellen kann. Alternativ kann die Zwischenschicht (4009, 4015) einen Isolator aufweisen. Die aktiven Zonen (6, 12, 18) sind insbesondere so ausgelegt, dass Laserdioden aus verschiedenen Laserstapeln (30, 31, 32) elektromagnetische Strahlung in voneinander verschiedenen Wellenlängenbereichen emittieren.

Abstract translation: 有一个激光二极管阵列与至少一个半导体衬底（2; 2X，2Y），具有至少两个激光叠层（30，31，32），每个具有有源区（6,12，18）和至少一个中间层（9，15 ; 56，58）。 激光堆（30，31，32）和中间层（9，15; 56，58）是整体地在半导体基板上（2; 2X，2Y）生长。 布置在所述激光叠层（30，31，32）之间;所述中间层（56，58 9，15）。 从所述至少一个另外的激光堆（31，32）的有源区（12，18）与第一激光叠层（30）的有源区（6）可分别控制。 该中间层可以被用作隧道二极管（9，15），其尤其可以是一个当前的光圈（55，57）内的电通带。 可替换地，中间层（4009，4015）有一个绝缘体。 有源区（6,12，18）是特别设计了不同的激光叠层（30，31，32）在相互不同的波长范围发射的电磁辐射，使得激光二极管。

公开(公告)号：WO2007023845A1

公开(公告)日：2007-03-01

申请号：PCT/JP2006/316476

申请日：2006-08-23

Applicant: ローム株式会社 ,  田邉 哲弘

Inventor： 田邉 哲弘

IPC: H01S5/22

CPC classification number: H01S5/22 ,  H01S5/323 ,  H01S5/40

Abstract: 　半導体基板（１）上に、たとえば赤外光用の第１導電形クラッド層（２ａ）、活性層（３ａ）、第２導電形クラッド層（４ａ）を有する赤外光用の発光層形成部（９ａ）が少なくとも形成された赤外素子（１０ａ）と、赤色光用の第１導電形クラッド層（２ｂ）、活性層（３ｂ）、第２導電形クラッド層（４ｂ）を有する赤色光用の発光層形成部（９ｂ）が少なくとも形成された赤色素子とが同一の半導体基板面（１）上に形成され、かつ、それぞれの第２導電形クラッド層（４ａ、４ｂ）が同一材料で形成されている。その結果、リッジ形成プロセスを共通化でき、また、両素子共に高出力動作が可能な窓構造を有する構造にすることができる。

Abstract translation: 红外线元件（10a）至少包括由例如用于红外光的第一导电覆盖层（2a），有源层（3a）和第二导电覆盖层（...）形成的发光层形成部（9a） 图4a）。 红色元件至少包括由例如用于红光的第一导电覆盖层（2b），有源层（3b）和第二导电覆盖层（4b）形成的发光层形成部分（9b）。 红外元件（10a）和红色元件形成在相同的半导体衬底（1）上，并且它们的第二导电覆盖层（4a，4b）由相同的材料形成。 结果，可以共享脊形成工艺，并且它们可以具有能够对两个元件进行高输出操作的窗口结构。

公开(公告)号：WO01055814A2

公开(公告)日：2001-08-02

申请号：PCT/US2001/002073

申请日：2001-01-22

IPC: G02F1/01 ,  G02F1/21 ,  G02F1/225 ,  G02F1/313 ,  H01Q3/26 ,  H01Q23/00 ,  H01S5/10 ,  H01S5/12 ,  H01S5/20 ,  H01S5/323 ,  G06F

CPC classification number: H01Q23/00 ,  G02F1/011 ,  G02F1/225 ,  G02F1/2257 ,  G02F1/3132 ,  G02F1/3137 ,  G02F2001/212 ,  G02F2201/16 ,  G02F2203/05 ,  G02F2203/15 ,  G02F2203/585 ,  H01Q3/2682 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/12 ,  H01S5/20 ,  H01S5/2036 ,  H01S5/323

Abstract: An RF-photonics integrated communications module (100) including: a plurality of RF input channels (111,121,131 and 141); a plurality of modulators (110,120,130 and 140) each being responsive to one of the RF input channels; and, a plurality of photonic output channels (114, 124, 134 and 144) coupled to the modulators via a switching network. The switching network includes a plurality of resonating elements coupled between the modulators and the output channels to selectively apply outputs of the modulators to the output channels.

Abstract translation: 一种RF光子集成通信模块（100），包括：多个RF输入通道（111,121,131和141）; 多个调制器（110,120,130和140）各自响应于所述RF输入通道之一; 以及经由交换网络耦合到调制器的多个光子输出通道（114,124,134和144）。 开关网络包括耦合在调制器和输出通道之间的多个谐振元件，以选择性地将调制器的输出施加到输出通道。

公开(公告)号：WO2018013717A1

公开(公告)日：2018-01-18

申请号：PCT/US2017/041761

申请日：2017-07-12

Applicant: UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INC. ,  SDPHOTONICS, LLC ,  DEPPE, Dennis, G.

Inventor： DEPPE, Dennis, G.

IPC: H01S5/183

CPC classification number: H01S5/18308 ,  H01S5/183 ,  H01S5/18322 ,  H01S5/18327 ,  H01S5/18358 ,  H01S5/2018 ,  H01S5/2054 ,  H01S5/2059 ,  H01S5/3013 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/323 ,  H01S2301/166

Abstract: A semiconductor vertical light source includes an upper mirror and a lower mirror. An active region is between the upper and lower mirror. The light source includes an inner mode confinement region and outer current blocking region. The outer current blocking region includes a common epitaxial layer that includes an epitaxially regrown interface which is between the active region and upper mirror, and a conducting channel including acceptors is in the inner mode confinement region. The current blocking region includes a first impurity doped region with donors between the epitaxially regrown interface and active region, and a second impurity doped region with acceptors is between the first doped region and lower mirror. The outer current blocking region provides a PNPN current blocking region that includes the upper mirror or a p-type layer, first doped region, second doped region, and lower mirror or an n-type layer.

Abstract translation: 半导体垂直光源包括上部反射镜和下部反射镜。 有源区位于上下镜之间。 光源包括内模式限制区域和外部电流阻挡区域。 外部电流阻挡区域包括共同的外延层，该共同的外延层包括位于有源区和上部反射镜之间的外延再生长的界面，并且包含受体的导电沟道处于内部模式限制区中。 电流阻挡区包括在外延再生长界面和有源区之间具有施主的第一杂质掺杂区，并且具有受主的第二杂质掺杂区位于第一掺杂区和下镜之间。 外部电流阻挡区域提供PNPN电流阻挡区域，其包括上部反射镜或p型层，第一掺杂区域，第二掺杂区域和下部反射镜或n型层。

公开(公告)号：WO2012127778A1

公开(公告)日：2012-09-27

申请号：PCT/JP2012/001144

申请日：2012-02-21

Applicant: パナソニック株式会社 ,  春日井 秀紀 ,  折田 賢児 ,  大野 啓 ,  山中 一彦

Inventor： 春日井　秀紀 ,  折田　賢児 ,  大野　啓 ,  山中　一彦

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/22

CPC classification number: H01S5/323 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/0045 ,  H01L33/20 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3214 ,  H01S5/34333

Abstract: 　光導波路（１２０）を有する窒化物半導体発光素子であって、下部クラッド層（１０２）と、活性層（１０４）と、上部クラッド層（１０７）とを少なくともこの順に含み、上部クラッド層（１０７）は、透明導電体によって構成された第２上部クラッド層（１０９）と、当該第２上部クラッド層（１０９）よりも活性層側に形成され、窒化物半導体によって構成された第１上部クラッド層（１０８）とを有する。

Abstract translation: 提供了一种氮化物半导体发光元件，其具有光波导（120），并且至少连续地包括底部接地层（102），有源层（104）和顶部接地层（107）。 顶部接地层（107）具有由透明导体形成的第二顶部接地层（109）和由有源层侧而不是第二顶部接地上的氮化物半导体形成的第一顶部接地层（108） 顶层接地层的层（109）侧。

公开(公告)号：WO2011051013A1

公开(公告)日：2011-05-05

申请号：PCT/EP2010/062416

申请日：2010-08-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  LAUER, Christian ,  GOMEZ-IGLESIAS, Alvaro

Inventor： LAUER, Christian ,  GOMEZ-IGLESIAS, Alvaro

IPC: H01S5/10 ,  H01S5/20 ,  H01S5/042 ,  H01S5/32 ,  H01S5/40

CPC classification number: H01S5/0655 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/10 ,  H01S5/1082 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2018 ,  H01S5/2036 ,  H01S5/2081 ,  H01S5/2086 ,  H01S5/209 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/323 ,  H01S5/4031 ,  H01S2301/166 ,  H01S2301/176 ,  H01S2301/18

Abstract: Es wird ein kantenemittierender Halbleiterlaser mit einem Halbleiterkörper (10) angegeben, der einen Wellenleiterbereich (4) aufweist, wobei der Wellenleiterbereich (4) eine erste Wellenleiterschicht (2A), eine zweite Wellenleiterschicht (2B) und eine zwischen der ersten Wellenleiterschicht (2A) und der zweiten Wellenleiterschicht (2B) angeordnete aktive Schicht (3) zur Erzeugung von Laserstrahlung (17) aufweist, der Wellenleiterbereich (4) zwischen einer ersten Mantelschicht (1A) und einer dem Wellenleiterbereich (4) in Wachstumsrichtung des Halbleiterkörpers (10) nachfolgenden zweiten Mantelschicht (1B) angeordnet ist, in dem Halbleiterkörper (10) eine Phasenstruktur (6) zur Selektion lateraler Moden der von der aktiven Schicht (3) emittierten Laserstrahlung ausgebildet ist, wobei die Phasenstruktur (6) mindestens eine Ausnehmung (7) umfasst, die sich von einer Oberfläche (5) des Halbleiterkörpers (10) in die zweite Mantelschicht (1B) hinein erstreckt, in die zweite Mantelschicht (1B) mindestens eine erste Zwischenschicht (11) aus einem von dem Halbleitermaterial der zweiten Mantelschicht (1B) verschiedenen Halbleitermaterial eingebettet ist, und sich die Ausnehmung (7) von der Oberfläche (5) des Halbleiterkörpers (10) zumindest teilweise bis in die erste Zwischenschicht (11) erstreckt.

Abstract translation: 提供了一种边发射半导体激光器包括具有波导区域的半导体主体（10）（4），其中，所述波导区（4）包括第一波导层（2A），第二波导层（2B）与第一波导层之间（2A）和 具有第二波导层（2B）（3）为第二包覆层之下产生激光辐射（17），一个第一包层（1A）和在半导体本体（10）的生长方向的波导区域（4）之间的波导区域（4）布置的有源层 （1B）被布置在所述半导体主体（10），一个相结构（6）（3）形成所发射的激光辐射的有源层的横向模式的选择中，所述相位结构（6）包括（7）延伸的至少一个凹部 从表面（5）在所述第二包覆层（1B）的半导体主体（10）的，延伸到第二Mantelschich 吨第二包层（1B）不同的半导体材料的半导体材料中的一个的（1B）嵌入在至少一个第一中间层（11）和所述凹部（7）的表面（5）的半导体主体（10）至少部分地进入所述的 第一中间层（11）。

公开(公告)号：WO2007023844A1

公开(公告)日：2007-03-01

申请号：PCT/JP2006/316475

申请日：2006-08-23

Applicant: ローム株式会社 ,  田邉 哲弘

Inventor： 田邉 哲弘

IPC: H01S5/22

CPC classification number: H01S5/22 ,  H01S5/323 ,  H01S5/40

Abstract: 　半導体基板（１）上に、ｎ形クラッド層（２ａ）、活性層（３ａ）、リッジ部が形成されるｐ形クラッド層（４ａ）を有する赤外発光層形成部（９ａ）、リッジ部側部に設けられる電流狭窄層（５ａ）からなるＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ素子（１０ａ）と、ｎ形クラッド層（２ｂ）、活性層（３ｂ）、リッジ部が形成されるｐ形クラッド層（４ｂ）を有する赤色発光層形成部（９ｂ）、そのリッジ部側部に設けられる電流狭窄層（５ａ）からなるＩｎＧａＡｌＰ系半導体レーザ素子（１０ｂ）とが設けられ、両素子の電流狭窄層が同じ材料で、かつ、赤色発光層形成部の活性層（３ｂ）のバンドギャップよりも大きいバンドギャップ材料により形成されている。その結果、結晶成長の回数を増やすことなく、高温高出力動作可能なモノリシック型半導体レーザを得ることができる。

Abstract translation: 公开了一种在半导体衬底（1）上形成AlGaAs半导体激光元件（10a）和InGaAlP半导体层元件（10b）的单片半导体激光器。 AlGaAs半导体激光元件（10a）由具有n型覆层（2a），有源层（3a）和p型覆层（4a）的红外发光层形成部（9a） ），并且形成在所述脊部的一侧的电流变窄层（5a），而所述InGaAlP半导体层元件（10b）由红色发光层形成部（9b）构成，所述半导体层 具有设置有脊部的n型包覆层（2b），有源层（3b）和p型覆盖层（4b），以及形成在所述脊部的一侧的电流变窄层（5b） 。 两个元件的电流变窄层由具有比红色发光层形成部分的有源层（3b）更大的带隙的相同带隙材料制成。 因此，可以获得能够在不增加晶体生长的情况下进行高温，高输出操作的单片半导体激光器。