公开(公告)号：WO2017098573A1

公开(公告)日：2017-06-15

申请号：PCT/JP2015/084353

申请日：2015-12-08

申请人： 株式会社日立ハイテクノロジーズ

发明人： 西元　琢真 ,  李　ウェン ,  高橋　弘之 ,  川野　源

IPC分类号： H01J37/248 ,  H01J37/244

CPC分类号： H01J37/244 ,  H01J37/248

摘要： 高電圧電源装置において、隣接配置された電源回路等から外乱が流入した場合でも，低リップル化を実現できるようにする。高電圧電源装置を、駆動回路（３１）と、駆動回路（３１）の出力電圧を昇圧させるトランス（３２）と、トランス（３２）で昇圧させた電圧を更に昇圧させる昇圧回路（３３）と、トランス（３２）と昇圧回路（３３）とを覆うシールド（３５）と、昇圧回路（３３）から出力された高電圧をフィルタリングし平滑化して出力するフィルタ回路（３４）とを備えて構成し、複数のインピーダンス素子（３９１，３９２，３９３，３９４）をループ状に結線して構成したインピーダンスループ回路（３９）を更に備え、昇圧回路の接地点（３３０）とシールドの接地点（３５０）とフィルタ回路の接地点（３４０）とは、インピーダンスループ回路（３９）を介して接地されるように構成する。

摘要翻译： 即使在高压电源装置中从相邻配置的电源电路等流入干扰的情况下，也能够实现低脉动。 一种高压电源，驱动电路（31），变压器（32），用于提升所述驱动电路的输出电压（31），变压器的升压电路，其进一步增强通过用（32）（33）升压后的电压， 覆盖变压器（32）和升压电路（33）的屏蔽（35），以及对从升压电路（33）输出的高电压进行滤波和平滑的滤波电路（34） 还包括：通过连接（39）中的环形形状的多个阻抗元件（391392393394）的，升压电路的接地点和（330）所述屏蔽件的接地点和（350）滤波器构成的阻抗回路 并且电路的接地点（340）通过阻抗回路电路（39）接地。

公开(公告)号：WO2016174921A1

公开(公告)日：2016-11-03

申请号：PCT/JP2016/056694

申请日：2016-03-04

申请人： 株式会社日立ハイテクノロジーズ

发明人： 藪　修平 ,  古賀　直人 ,  赤津　光男 ,  高平　功 ,  富田　真一 ,  能田　弘行 ,  増田　藍

IPC分类号： H01J37/16 ,  H01J37/248

CPC分类号： H01J37/16 ,  H01J37/248 ,  H01J37/26 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/2813

摘要： 小型ながら高性能で搬送も容易な荷電粒子線装置を提供する。　荷電粒子線装置（１００）は、着脱可能な本体ユニット（１５）と補助ユニット（１４）を備え、前記本体ユニット（１５）は荷電粒子線に関する機能部を収容し、前記補助ユニット（１４）は電源部（９）を収容する。

摘要翻译： 提供了一种小型，高性能，易于运输的带电粒子束装置。 带电粒子束装置（100）设置有可拆卸主体单元（15）和辅助单元（14），所述主体单元（15）容纳与带电粒子束相关的功能单元，并且所述辅助单元（14） 电源单元（9）。

公开(公告)号：WO2007111822A3

公开(公告)日：2008-04-03

申请号：PCT/US2007006069

申请日：2007-03-09

申请人： AXCELIS TECH INC ,  WEIGUO QUE ,  HUANG YONGZHANG ,  YE JOHN ,  TAO DAVID ,  SPLINTER PATRICK

发明人： WEIGUO QUE ,  HUANG YONGZHANG ,  YE JOHN ,  TAO DAVID ,  SPLINTER PATRICK

IPC分类号： H01J37/248 ,  H01J37/24 ,  H01J37/304 ,  H01J37/317

CPC分类号： H01J37/3171 ,  H01J37/241 ,  H01J37/248 ,  H01J37/304

摘要： The present invention is directed to a circuit and method for quickly quenching an arc that may form between high voltage extraction and/or suppression electrodes associated with an ion source of an ion implantation system to shorten the duration of the arc and mitigate non-uniform ion implantations, for example. The circuit and method also facilitates repainting the ion beam over those areas where an arc was detected to recover any dose loss during such arcing. A high voltage high speed switching circuit is added between each high voltage supply and its respective electrode to quickly extinguish the arc which may otherwise substantially discharge a HV capacitor of the supply and disrupt ion beam current which slowly recovers. The high voltage switch is controlled by a trigger circuit which detects voltage or current changes to each electrode. Protection circuits for the HV switch absorb energy from reactive components and clamp any overvoltages to protect the HV switches.

摘要翻译： 本发明涉及用于快速淬灭与离子注入系统的离子源相关的高电压提取和/或抑制电极之间形成的电弧的电路和方法，以缩短电弧的持续时间并减轻非均匀离子 植入例如。 电路和方法还有助于在检测到电弧的那些区域上再次离子束，以在这种电弧过程中恢复任何剂量损失。 在每个高压电源和其各自的电极之间增加一个高电压高速开关电路，以快速熄灭电弧，否则电弧可能会大大放电电源的HV电容器，并破坏缓慢恢复的离子束电流。 高压开关由触发电路控制，该触发电路检测每个电极的电压或电流变化。 HV开关的保护电路从无功元件吸收能量，并夹紧任何过电压以保护HV开关。

公开(公告)号：WO2007106395A3

公开(公告)日：2007-09-20

申请号：PCT/US2007/006073

申请日：2007-03-09

申请人： AXCELIS TECHNOLOGIES, INC. ,  WEIGUO, Que ,  HUANG, Yongzhang ,  YE, John ,  TAO, David

发明人： WEIGUO, Que ,  HUANG, Yongzhang ,  YE, John ,  TAO, David

IPC分类号： H01J37/248 ,  H01J37/317 ,  H02H7/00 ,  G05F1/569

摘要： The present invention is directed to a circuit (100) for quenching an arc that may form between high voltage extraction or suppression electrodes associated with an ion source (120) of an ion implantation system to mitigate an erratic ion beam current and avoid non-uniform ion implantations, for example. High voltage high speed switching circuits (104) are added in series with the high voltage supplies (102) for the suppression and/or extraction electrodes to extinguish the harmful arcs which may nearly discharge the high voltage capacitors of such HV power supplies, which dramatically affects the ion beam current and takes considerable time thereafter to recover. The high voltage switches are controlled by trigger circuits (108) which detect current or voltages changes in the HV supplies (102) to the electrodes. The arc quenching circuit also comprises protection circuits (110,115) for the HV switches that absorb excess energy from reactive components and clamp any overvoltages to protect the HV switches (104).

公开(公告)号：WO2022058120A2

公开(公告)日：2022-03-24

申请号：PCT/EP2021/073051

申请日：2021-08-19

申请人： ASML NETHERLANDS B.V.

发明人： VAN DER KROON, Boudewijn, Weijert, Herman, Jan ,  VAN SOEST, Jurgen

IPC分类号： H01J37/248 ,  H01R13/53 ,  H01R13/533

摘要： Disclosed herein is a connector (401) for electrically connecting a feedthrough (411) of a vacuum tool to a high voltage power source, the connector comprising: a connector wire assembly (405+406) configured to be in electrical connection with a high voltage power source, the wire assembly comprising a plug for receiving the end of a feedthrough pin (408); and a connector insulator (402) comprising a channel (407) configured to extend into the connector insulator and to receive the feedthrough pin so as to electrically connect the connector wire assembly with the feedthrough pin; wherein the connector insulator is configured to engage with the feedthrough so that a boundary surface of the connector insulator extends substantially bi-directionally in the direction of the longitudinal axis of the channel, the boundary surface substantially extending into the connector insulator.

公开(公告)号：WO2014055417A1

公开(公告)日：2014-04-10

申请号：PCT/US2013/062642

申请日：2013-09-30

申请人： VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.

发明人： LEVAY, William, T. ,  GAMMEL, George, M. ,  KOO, Bon-Woong ,  BINNS, Brant, S. ,  WHITE, Richard, M.

IPC分类号： H01J37/24 ,  H01J37/248 ,  H01J37/317 ,  H01J37/32

CPC分类号： C23C14/48 ,  C23C14/021 ,  C23C14/022 ,  C23C14/048 ,  C23C14/5826 ,  H01J37/241 ,  H01J37/243 ,  H01J37/248 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32935 ,  H01J2237/0206 ,  H01J2237/24535 ,  H01L2224/81913

摘要： Methods of reducing glitch rates within an ion implanter are described. In one embodiment, a plasma-assisted conditioning is performed, wherein the bias voltage to the extraction electrodes is modified so as to inhibit the formation of an ion beam. The power supplied to the plasma generator in the ion source is increased, thereby creating a high density plasma, which is not extracted by the extraction electrodes. This plasma extends from the ion source chamber through the extraction aperture. Energetic ions then condition the extraction electrodes. In another embodiment, a plasma-assisted cleaning is performed. In this mode, the extraction electrodes are moved further from the ion source chamber, and a different source gas is used to create the plasma. In some embodiments, a combination of these modes is used to reduce glitches in the ion implanter.

摘要翻译： 描述了降低离子注入机内毛刺率的方法。 在一个实施例中，执行等离子体辅助调理，其中对提取电极的偏压被修改以便抑制离子束的形成。 提供给离子源中的等离子体发生器的功率增加，从而产生不被提取电极提取的高密度等离子体。 该等离子体从离子源室延伸穿过提取孔。 能量离子然后调节萃取电极。 在另一个实施例中，执行等离子体辅助清洁。 在该模式中，提取电极进一步从离子源室移动，并且使用不同的源气体来产生等离子体。 在一些实施例中，使用这些模式的组合来减少离子注入机中的毛刺。

公开(公告)号：WO2013187155A1

公开(公告)日：2013-12-19

申请号：PCT/JP2013/062896

申请日：2013-05-08

申请人： 株式会社日立ハイテクノロジーズ

发明人： 大西　崇 ,  渡辺　俊一 ,  金田　実

IPC分类号： H01J37/248 ,  H01J37/067 ,  H01J37/16

CPC分类号： H01J37/04 ,  H01J27/024 ,  H01J29/485 ,  H01J37/026 ,  H01J37/067 ,  H01J37/073 ,  H01J37/16 ,  H01J37/241 ,  H01J37/248 ,  H01J2237/16

摘要： 　本発明の荷電粒子ビーム発生装置は、荷電粒子源と、荷電粒子源からの荷電粒子の照射方向に沿って配置された複数の第１の電極と、第１の電極間に配置された複数の絶縁部材と、複数の第１の電極の周囲に設けられたハウジングとを備える。ハウジングが、絶縁性の固体材料で形成され、ハウジングが、複数の第１の電極に対して近接した位置に配置された複数の第２の電極を備える。複数の第２の電極の少なくとも１つが、複数の第１の電極の少なくとも１つに電気的に接続されて、複数の第２の電極の各々が、近接する第１の電極の電位と同じ電位になる。

摘要翻译： 该带电粒子束产生装置具有：带电粒子源; 多个第一电极，其沿带电粒子从带电粒子源辐射的方向设置; 设置在所述第一电极中的多个绝缘构件; 以及设置成围绕第一电极的壳体。 壳体由绝缘固态材料形成，并且壳体设置有多个第二电极，其设置在靠近第一电极的位置。 第二电极中的至少一个电连接到第一电极中的至少一个，并且每个第二电极的电位变得等于靠近第一电极的电位。

公开(公告)号：WO2012003327A1

公开(公告)日：2012-01-05

申请号：PCT/US2011/042610

申请日：2011-06-30

申请人： VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. ,  LUBICKI, Piotr ,  KOO, Bon, Woong

发明人： LUBICKI, Piotr ,  KOO, Bon, Woong

IPC分类号： H01J37/317 ,  H01J37/24 ,  H01J37/248

CPC分类号： H01J37/241 ,  H01J37/243 ,  H01J37/248 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32935 ,  H01J2237/0206 ,  H01J2237/24535

摘要： An ion implantation system (200) and method are disclosed in which glitches in voltage are minimised by modifications to the power system of the implanter. These power supply modifications include faster response time, output filtering, improved glitch detect ion and removal of voltage blanking. By minimizing glitches, it is possible to produce solar cells with acceptable dose uniformity without having to pause the scan each time a voltage glitch is detected. For example, by shortening the duration of a voltage to about 20-4:0 milliseconds, dose uniformity within about 3% can be maintained.

摘要翻译： 公开了一种离子注入系统（200）和方法，其中通过对注入机的动力系统的修改来最小化电压中的毛刺。 这些电源修改包括更快的响应时间，输出滤波，改进的毛刺检测离子和消除电压消隐。 通过最小化毛刺，可以在每次检测到电压毛刺时不必暂停扫描，生产具有可接受的剂量均匀性的太阳能电池。 例如，通过将电压的持续时间缩短到约20-4:0毫秒，可以保持在约3％内的剂量均匀性。

公开(公告)号：WO2007105389A1

公开(公告)日：2007-09-20

申请号：PCT/JP2007/052201

申请日：2007-02-08

申请人： 浜松ホトニクス株式会社 ,  松村 達也

发明人： 松村 達也

IPC分类号： H01J3/02 ,  H01J35/06 ,  G21K5/04 ,  H01J37/065 ,  H01J37/248 ,  H05G1/00

CPC分类号： H01J3/027 ,  H01J33/00 ,  H01J33/04 ,  H01J2235/087 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/06308 ,  H01J2237/164

摘要： An energy ray generating device (1a) comprises an electron gun (2), a vacuum vessel (3), and an outgoing window forming part (10a or 10b). The electron gun (2) comprises a resin member (4), a case (5), a connector (6), a filament (7), and internal wires (9a, 9b). The case (5) comprises inner surfaces (5a, 5b) facing each other in the Z-axis direction and inner surfaces (5c, 5d) facing each other in the X-axis direction and an opening (5g) passing from the inner surface (5a) to the outer surface. The resin member (4) is disposed in contact with the inner surfaces (5a, 5c) of the case (5) and apart from the other inner surfaces (5b, 5d to 5f). The resin member (4) comprises a projecting part (4b) projecting from the opening (5g). The filament (7) is fitted to the end of the projecting part (4b). The connector (6) is disposed on the inner surface (5c). Consequently, the effect of the expansion of the resin member (4) due to heating with a high voltage can be effectively suppressed.

摘要翻译： 能量射线产生装置（1a）包括电子枪（2），真空容器（3）和出射窗形成部分（10a或10b）。 电子枪（2）包括树脂构件（4），壳体（5），连接器（6），细丝（7）和内部导线（9a，9b）。 壳体（5）包括在Z轴方向上彼此相对的内表面（5a，5b）和在X轴方向上彼此相对的内表面（5c，5d）和从内表面 （5a）到外表面。 树脂构件（4）与壳体（5）的内表面（5a，5c）和其他内表面（5b，5d至5f）分开设置。 树脂构件（4）包括从开口（5g）突出的突出部分（4b）。 灯丝（7）装配到突出部分（4b）的端部。 连接器（6）设置在内表面（5c）上。 因此，可以有效地抑制由于高压加热引起的树脂构件（4）膨胀的影响。

公开(公告)号：WO2021070223A1

公开(公告)日：2021-04-15

申请号：PCT/JP2019/039497

申请日：2019-10-07

申请人： 株式会社日立ハイテク

发明人： 門井　涼 ,  李　ウェン ,  石垣　直也

IPC分类号： H02M3/08 ,  H01J37/248 ,  H02M7/10

摘要： リップルノイズを低減可能な電源供給モジュールおよび荷電粒子ビーム装置を提供する。高電圧生成回路１０１は、互いに対称構成である２系統の昇圧回路ＣＰａ，ＣＰｂを含み、当該２系統の昇圧回路ＣＰａ，ＣＰｂ内の容量素子およびダイオードを用いて昇圧動作を行う。高電圧生成回路は、筐体に収容され、基準電源電圧が印加される。左側電極１０２ａは、筐体内で、２系統の昇圧回路ＣＰａ，ＣＰｂの一方の近傍に固定的に設置され、右側電極１０２ｂは、筐体内で、２系統の昇圧回路ＣＰａ，ＣＰｂの他方の近傍に固定的に設置される。浮遊容量調整回路１００ａは、左側電極１０２ａと基準電源電圧１０４との間の電気的な接続特性と、右側電極１０２ｂと基準電源電圧１０４との間の電気的な接続特性とをそれぞれ電気的に制御することで、２系統の昇圧回路ＣＰａ，ＣＰｂの浮遊容量の容量値を調整する。