公开(公告)号：WO2014055417A1

公开(公告)日：2014-04-10

申请号：PCT/US2013/062642

申请日：2013-09-30

Applicant: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.

Inventor： LEVAY, William, T. ,  GAMMEL, George, M. ,  KOO, Bon-Woong ,  BINNS, Brant, S. ,  WHITE, Richard, M.

IPC: H01J37/24 ,  H01J37/248 ,  H01J37/317 ,  H01J37/32

CPC classification number: C23C14/48 ,  C23C14/021 ,  C23C14/022 ,  C23C14/048 ,  C23C14/5826 ,  H01J37/241 ,  H01J37/243 ,  H01J37/248 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32935 ,  H01J2237/0206 ,  H01J2237/24535 ,  H01L2224/81913

Abstract: Methods of reducing glitch rates within an ion implanter are described. In one embodiment, a plasma-assisted conditioning is performed, wherein the bias voltage to the extraction electrodes is modified so as to inhibit the formation of an ion beam. The power supplied to the plasma generator in the ion source is increased, thereby creating a high density plasma, which is not extracted by the extraction electrodes. This plasma extends from the ion source chamber through the extraction aperture. Energetic ions then condition the extraction electrodes. In another embodiment, a plasma-assisted cleaning is performed. In this mode, the extraction electrodes are moved further from the ion source chamber, and a different source gas is used to create the plasma. In some embodiments, a combination of these modes is used to reduce glitches in the ion implanter.

Abstract translation: 描述了降低离子注入机内毛刺率的方法。 在一个实施例中，执行等离子体辅助调理，其中对提取电极的偏压被修改以便抑制离子束的形成。 提供给离子源中的等离子体发生器的功率增加，从而产生不被提取电极提取的高密度等离子体。 该等离子体从离子源室延伸穿过提取孔。 能量离子然后调节萃取电极。 在另一个实施例中，执行等离子体辅助清洁。 在该模式中，提取电极进一步从离子源室移动，并且使用不同的源气体来产生等离子体。 在一些实施例中，使用这些模式的组合来减少离子注入机中的毛刺。

公开(公告)号：WO2013101241A1

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：PCT/US2011/068275

申请日：2011-12-31

Applicant: INTEL CORPORATION ,  ALEKSOV, Alexsandar ,  DAMBRAUSKAS, Tony ,  FARUQUI, Danish ,  HLAD, Mark S. ,  PRACK, Edward R.

Inventor： ALEKSOV, Alexsandar ,  DAMBRAUSKAS, Tony ,  FARUQUI, Danish ,  HLAD, Mark S. ,  PRACK, Edward R.

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02263 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68304 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11474 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/1162 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2224/81026 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81207 ,  H01L2224/81375 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81913 ,  H01L2224/831 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552

Abstract: Electronic assemblies and their manufacture are described. One embodiment relates to a method including depositing an organic thin film layer on metal bumps on a semiconductor wafer, the organic thin film layer also being formed on a surface adjacent to the metal bumps on the wafer. The wafer is diced into a plurality of semiconductor die structures, the die structures including the organic thin film layer. The semiconductor die structures are attached to substrates, wherein the attaching includes forming a solder bond between the metal bumps on a die structure and bonding pads on a substrate, and wherein the solder bond extends through the organic thin film layer. The organic thin film layer is then exposed to a plasma. Other embodiments are described and claimed.

Abstract translation: 描述了电子组件及其制造。 一个实施例涉及一种方法，包括在半导体晶片上的金属凸块上沉积有机薄膜层，该有机薄膜层也形成在与晶片上的金属凸块相邻的表面上。 将晶片切割成多个半导体管芯结构，该管芯结构包括有机薄膜层。 半导体管芯结构附着到基板上，其中，附接包括在管芯结构上的金属凸块和衬底上的焊盘之间形成焊料接合，并且其中焊料接合延伸穿过有机薄膜层。 然后将有机薄膜层暴露于等离子体。 描述和要求保护其他实施例。

公开(公告)号：WO2016013310A1

公开(公告)日：2016-01-28

申请号：PCT/JP2015/066293

申请日：2015-06-05

Applicant: 日東電工株式会社

Inventor： 福井　章洋 ,  高本　尚英 ,  花園　博行

IPC: H01L21/60 ,  B32B7/02 ,  B32B27/38 ,  C08G59/66 ,  C08J5/18 ,  C08L63/00 ,  C08L101/00 ,  C09J7/00 ,  C09J11/06 ,  C09J133/00 ,  C09J163/00 ,  C09J201/00 ,  H01L21/304 ,  H01L21/56

CPC classification number: B32B7/02 ,  B32B27/38 ,  C08G59/66 ,  C08J5/18 ,  C08L63/00 ,  C08L101/00 ,  C09J7/00 ,  C09J11/06 ,  C09J133/00 ,  C09J163/00 ,  C09J201/00 ,  H01L21/304 ,  H01L21/56 ,  H01L24/27 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81913 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2924/00

Abstract: 　保存性がよく、且つ、半導体装置の製造プロセスにおいて速硬化性を有するシート状樹脂組成物を提供すること。　１２０℃で１０分加熱した後の熱硬化率が４０％以下であり、２００℃で２０秒加熱した後の熱硬化率が５０％以上である半導体装置製造用のシート状樹脂組成物。

Abstract translation: 提供一种片状树脂组合物，其在半导体器件的制造过程中具有良好的储存稳定性和显示快速固化性能。 一种用于制造半导体器件的片状树脂组合物，其在120℃下加热10分钟后的热固化率为40％以下，同时加热后的热固化率为50％以上 在200℃下20秒。

公开(公告)号：WO2014034102A1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：PCT/JP2013/005059

申请日：2013-08-27

Applicant: シャープ株式会社

Inventor： 青田　圭司

IPC: G09F9/00 ,  G02F1/1345 ,  G09F9/30 ,  H01L21/60

CPC classification number: G02F1/13452 ,  C09J9/02 ,  H01L21/50 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/91 ,  H01L2021/603 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/29078 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/81913 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/83912 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 　出力用及び入力用バンプ群（31G,33G）を有するＩＣチップ（30）が表示パネル（10）にＡＣＦ（34）を介して実装され、出力用バンプ群（31G）を成す出力用バンプ（31）先端面（31s）の総面積が入力用バンプ群（33G）を成す入力用バンプ（33）先端面（33s）の総面積よりも大きい表示装置（S）において、ＡＣＦ（34）のうち出力用バンプ群（31G）対応部分（35a）の導電性粒子（37）の含有率を入力用バンプ群（33G）対応部分（35b）の導電性粒子（37）の含有率よりも低くする。

Abstract translation: 在显示装置（S）中，具有输出和输入凸起组（31G，33G）的IC芯片（30）经由ACF（34）安装在显示面板（10）上，并且端面（31s）的总面积 ）构成输出凸块组（31G）的输出凸块（31）的面积大于构成输入凸块组（33G）的输入凸块（33）的端面（33s）的总面积。 在该显示装置中，将与输出凸块组（31G）对应的ACF（34）的部分（35a）中的导电粒子（37）的含量设定为低于导电粒子（37）的含量， 对应于输入凸块组（33G）的ACF（34）的部分（35b）。