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公开(公告)号：CN108389946B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN201810324277.8
申请日：2014-10-13
申请人： 世迈克琉明有限公司
摘要： 本发明涉及半导体发光元件，其包括，多个半导体层，它们利用生长衬底而依次生长，且包括：第一半导体层，其具备第一导电性；第二半导体层，其具备与第一导电性不同的第二导电性；及有源层，其介于第一半导体层与第二半导体层之间，并通过电子和空穴的复合而生成光；第一电极部，其与第一半导体层电气连通；第二电极部，其与第二半导体层电气地连通；及非导电性反射膜，其以将从有源层生成的光反射到生长衬底侧的方式形成在多个半导体层上，并形成有开口，并且通过蚀刻而减小高度差的露出面构成开口的上缘边，第一电极部和第二电极部中的至少一个包括：下部电极、电连接器及上部电极。
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公开(公告)号：CN109196667B
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN201780016053.4
申请日：2017-03-07
申请人： 世迈克琉明有限公司
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/02 , H01L33/50 , H01L33/36 , H01L33/52 , H01L33/62 , H01L33/10 , H01L33/60
摘要： 本公开涉及半导体发光元件，其特征在于，包括：主体，其包括底部，在底部形成有至少一个以上的孔；半导体发光元件芯片，其位于各个至少一个以上的孔内，包括多个半导体层和电极，多个半导体层包括通过电子和空穴的复合生成光的有源层，上述电极与多个半导体层电连接；以及密封材料，其覆盖半导体发光元件芯片，其中，形成孔的底部内侧面具有多个倾斜角。
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公开(公告)号：CN106571418B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201610112045.7
申请日：2016-02-29
申请人： 世迈克琉明有限公司
摘要： 半导体发光装置。公开了一种半导体发光装置，该半导体发光装置包括：主体，其具有将至少一个孔形成在其中的底部、侧壁，以及由所述底部和所述侧壁限定的腔；半导体发光芯片，其放置在每一个孔中，并且包括多个半导体层，所述多个半导体层适于通过电子‑空穴复合和电连接至所述多个半导体层的电极来生成光；以及包封构件，该包封构件被至少设置至所述腔，以覆盖所述半导体发光芯片，其中，所述半导体发光芯片的所述电极朝着所述主体的所述底部的下表面露出。
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公开(公告)号：CN106415859B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201580029434.7
申请日：2015-06-03
申请人： 世迈克琉明有限公司
摘要： 本发明涉及半导体发光元件，其特征在于，其包括：多个半导体层，其包括具备第一导电性的第一半导体层、具备与第一导电性不同的第二导电性的第二半导体层及介于第一半导体层与第二半导体层之间，通过电子和空穴的复合而生成光的有源层；电极，其与多个半导体层电连接；光吸收防止膜，其至少设于电极的周边；及非导电性反射膜，其覆盖多个半导体层、光吸收防止膜及电极，反射来自有源层的光，具备通过光吸收防止膜与电极之间的高度差而在电极的周边反射率下降的异常区域，在从电极的横截面观察时，从电极露出的光吸收防止膜比异常区域更长，以阻断来自有源层的光入射到非导电性反射膜的异常区域侧。
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公开(公告)号：CN108565323A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810343147.9
申请日：2013-07-18
申请人： 世迈克琉明有限公司
摘要： 本公开涉及一种半导体发光器件，包括：在生长衬底上顺序生长的多个半导体层，所述多个半导体层包括第一半导体层、第二导电性的第二半导体层、以及有源层；向所述第一半导体层提供电子和空穴中的一个的第一电极；向所述第二半导体层提供电子和空穴中的另一个的第二电极；不导电反射膜，所述不导电反射膜形成在所述第二半导体层上，用于从所述有源层向在所述生长衬底侧的所述第一半导体层反射光，且所述不导电反射膜具有双层结构，该双层结构包括通过化学气相沉积法形成的分布式布拉格反射器和通过物理气相沉积形成的电介质膜；以及多个连接件，所述多个连接件位于所述不导电反射膜的下面，与所述第一电极和所述第二电极中的一个电连通。
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公开(公告)号：CN103946994A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201380003999.9
申请日：2013-01-14
申请人： 世迈克琉明有限公司
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/382
摘要： 本公开涉及一种半导体发光器件，所述半导体发光器件包括：多个半导体层，其是使用生长基板按顺序生长的；第一电极，其用于向第一半导体层提供电子和空穴中的一种；非导电反射膜，其形成在第二半导体上，以将光从有源层反射到作为生长基板侧的第一半导体层侧；以及分支电极，其形成在所述多个半导体层和所述非导电反射膜之间，延伸以向所述第二半导体层提供其它的电子和空穴，与所述第二半导体层连通，分支电极设置有电连接件，以被提供其它的电子和空穴。
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公开(公告)号：CN110197864B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201910140687.1
申请日：2019-02-26
申请人： 世迈克琉明有限公司
摘要： 半导体发光器件及其制造方法。公开了一种半导体发光器件，其包括：半导体发光器件芯片，该半导体发光器件芯片包括多个半导体层以及电连接到所述多个半导体层的电极，所述多个半导体层包括适于通过电子和空穴的复合产生紫外光的有源层；封装构件，该封装构件适于包围所述半导体发光器件芯片；以及外部基板，该外部基板包括底座以及电连接到所述半导体发光器件芯片的电极的导电层。所述导电层被布置在所述封装构件的内部并且适于反射所述紫外光，且所述导电层的一个表面由UV反射率小于90％的物质制成。外部基板的与封装构件的下表面接触的平坦区域部分比外部基板的与封装构件的下表面没有接触的平坦区域部分小。
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公开(公告)号：CN108598251B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN201810347403.1
申请日：2015-06-10
申请人： 世迈克琉明有限公司
IPC分类号： H01L33/64 , H01L33/08 , H01L33/10 , H01L33/12 , H01L33/38 , H01L33/46 , H01L33/50 , H01L33/62
摘要： 本发明的半导体发光元件，包括：多个半导体层，包括在生长衬底上依次形成的具备第一导电性的第一半导体层、具备第二导电性的第二半导体层及介于第一半导体层与第二半导体层之间，通过电子和空穴的复合而生成光的有源层；非导电性反射膜，以将在有源层生成的光反射到生长衬底侧的方式形成在多个半导体层；第一电极，形成在非导电性反射膜，与第一半导体层电气性连通，供给电子和空穴中的一个；及第二电极，在非导电性反射膜上与第一电极相对形成，与第二半导体层电气性连通，供给电子和空穴中的另一个，第一电极与第二电极之间的间隔为80μm以上，在俯视图上观察时，第一电极及第二电极相加的面积相对于半导体发光元件的俯视面积的比率为0.7以下。
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公开(公告)号：CN106688115B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201580048716.1
申请日：2015-09-14
申请人： 世迈克琉明有限公司
摘要： 本公开涉及半导体发光元件的制造方法(METHOD OF MANUFACTURING S EMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE)，其特征在于，该制造方法包括：在基底上配置形成有多个开口的掩模的步骤；使用识别掩模的形状而校正要放置元件的位置的元件移送装置，在通过各个开口而露出的基底上放置半导体发光芯片(semi conductor light emitting chip)的步骤；以及将掩模作为围堰(dam)向各个开口供给密封材料的步骤。
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公开(公告)号：CN106663734B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201580031238.3
申请日：2015-06-10
申请人： 世迈克琉明有限公司
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/08 , H01L33/10 , H01L33/12 , H01L33/387 , H01L33/50 , H01L33/62 , H01L33/64 , H01L2224/16225 , H01L2224/16245 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及半导体发光元件，其特征在于，其包括：第一发光部、第二发光部及第三发光部，各个发光部包括多个半导体层，所述多个半导体层依次层叠具备第一导电性的第一半导体层、通过电子和空穴的复合而生成光的有源层及具备与第一导电性不同的第二导电性的第二半导体层而构成；非导电性反射膜，其以覆盖多个半导体层的方式形成，反射在有源层生成的光；第一电极，其以与第一发光部的第一半导体层电气性地连通的方式形成，供给电子和空穴中的一个；第二电极，其以与第二发光部的第二半导体层电气性地连通的方式形成，供给电子和空穴中的另一个；及辅助焊盘，其形成在覆盖第三发光部的非导电性反射膜上。
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