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公开(公告)号：CN102456852A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110328681.0
申请日：2011-10-21
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: C23C14/042 , C23C14/12 , C23C14/243 , C23C14/50 , C23C14/568 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供了一种有机层沉积设备和一种使用该有机层沉积设备制造有机发光显示装置的方法。所述有机层沉积设备包括静电夹盘，所述静电夹盘与基底组合，以固定地支撑所述基底。所述有机层沉积设备包括：用于容纳所述基底的具有设定的曲率的容纳表面；沉积源，用于朝向所述基底排放沉积材料；沉积源喷嘴单元，设置在所述沉积源的一侧，并包括沿第一方向布置的多个沉积源喷嘴；图案化狭缝片，被设置为面向所述沉积源喷嘴单元，并具有沿垂直于所述第一方向的第二方向布置的多个图案化狭缝，其中，所述图案化狭缝片在由沿所述第二方向和第三方向延伸的线形成的平面上的剖面弯曲设定的程度，其中，所述第三方向垂直于所述第一方向和所述第二方向。
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公开(公告)号：CN101942640A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN201010224415.9
申请日：2010-07-07
Applicant: 三星移动显示器株式会社
Inventor： 罗兴烈 , 李基龙 , 徐晋旭 , 郑珉在 , 洪钟元 , 姜有珍 , 张锡洛 , 梁泰勋 , 郑胤谟 , 苏炳洙 , 朴炳建 , 伊凡·马伊达楚克 , 李东炫 , 李吉远 , 白原奉 , 朴钟力 , 崔宝京 , 郑在琓
IPC: C23C14/24 , C23C16/448 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45525 , C23C16/4481 , C23C16/45544 , C23C16/52 , Y10T137/6416
Abstract: 本发明公开一种用于沉积装置的罐和一种利用该罐的沉积装置和方法，所述罐在原料通过原子层沉积被沉积在基板上时能够保持包含在供应到沉积室的反应气体中的原料的预定量，该罐包括：主体、被配置为存储原料的原料存储器、设置在所述主体的外侧的加热器以及被配置为控制所述原料从所述原料存储器供应到所述主体的第一供给控制器。
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公开(公告)号：CN102312218A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110006623.6
申请日：2011-01-10
Applicant: 三星移动显示器株式会社
Inventor： 郑珉在 , 李基龙 , 洪钟元 , 罗兴烈 , 姜有珍 , 张锡洛 , 徐晋旭 , 梁泰勋 , 郑胤谟 , 苏炳洙 , 朴炳建 , 李东炫 , 李吉远 , 白原奉 , 朴钟力 , 崔宝京 , 伊凡·马伊达楚克 , 郑在琓
IPC: C23C16/448 , C23C16/455 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/4481 , C23C16/45525 , C23C16/52
Abstract: 一种用于沉积装置的罐和使用罐的沉积装置，并且更为具体地，一种能够提供包含在供应到沉积室中的反应气体中的均匀量的原材料并且提高原材料供应的安全性的沉积装置的罐，以及使用罐的沉积装置。该沉积装置包括：沉积室；将反应气体供应到该沉积室的罐；以及用于将载气供应到罐的载气供应器，其中该罐包括主体、加热该主体的加热单元以及布置在该主体下方的温度测量单元。
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公开(公告)号：CN102064197A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010287308.0
申请日：2010-09-16
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/10 , H01L21/336 , H01L27/32
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L27/1277 , H01L27/3262
Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管、其制造方法和具有该薄膜晶体管的有机发光二极管显示器装置。所述薄膜晶体管包括：基板；缓冲层，位于所述基板上；半导体层，包括在所述缓冲层上的源/漏区和沟道区；栅绝缘层，对应于所述沟道区；栅极，对应于所述沟道区；和源/漏极，与所述半导体层电连接。所述沟道区的多晶硅层可仅包括小角度晶界，且大角度晶界可布置在所述半导体层的除所述沟道区外的区域中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101826556A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN201010124380.1
申请日：2010-02-26
Applicant: 三星移动显示器株式会社
Inventor： 朴炳建 , 梁泰勋 , 徐晋旭 , 李基龙 , 马克西姆·利萨琴科 , 崔宝京 , 李大宇 , 李吉远 , 李东炫 , 朴钟力 , 安志洙 , 金永大 , 罗兴烈 , 郑珉在 , 郑胤谟 , 洪钟元 , 姜有珍 , 张锡洛 , 郑在琓 , 尹祥渊
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/32
CPC classification number: H01L29/6675 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02667 , H01L21/02672 , H01L27/1277 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78696
Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管(TFT)和有机发光二极管(OLED)显示器装置。所述TFT和OLED显示器装置包括基板；缓冲层，所述缓冲层位于所述基板上；半导体层，所述半导体层位于所述缓冲层上；栅电极，所述栅电极与所述半导体层绝缘；栅绝缘层，所述栅绝缘层将所述半导体层与所述栅电极绝缘；以及源电极和漏电极，所述源电极和漏电极与所述栅电极绝缘，且部分连接所述半导体层，其中所述半导体层由金属催化剂结晶化的多晶硅层形成，且所述金属催化剂通过使用蚀刻剂吸杂来去除。此外，OLED显示器装置包括绝缘层，所述绝缘层位于所述基板的整个表面上；第一电极，所述第一电极位于所述绝缘层上，且电连接所述源电极和漏电极其中之一；有机层；和第二电极。
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公开(公告)号：CN102051596A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010285202.7
申请日：2010-09-15
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67109 , C23C16/46
Abstract: 本发明涉及加热单元和具有加热单元的基板处理装置。该基板处理装置包括加热单元，该加热单元对处理多个基板的处理室进行加热，并且在所述处理之后快速冷却所述处理室。所述加热单元包括：具有进气口和排气口的主体；位于所述主体内部的一个或多个加热器；连接至所述主体的进气口的冷却器；连接至所述主体的排气口的排气泵；以及控制所述冷却器的控制器。所述基板处理装置包括：船形体，多个基板被堆叠在该船形体中；提供处理所述基板的空间的处理室；将所述船形体送入或送出所述处理室的传送单元；以及位于所述处理室外部的所述加热单元。
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公开(公告)号：CN102108500A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010512357.X
申请日：2010-10-09
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/77 , H01L27/32
CPC classification number: C23C16/4481 , H01L27/1277
Abstract: 本发明提供一种汽相沉积装置和使用该汽相沉积装置制造有机发光显示装置的方法。该汽相沉积装置包括：被配置为容纳汽相沉积源的罐，所述罐包括彼此相对的气体入口和气体出口；被配置为对所述罐进行加热的加热器；与所述罐流体连通的室，所述室被配置为容纳汽相沉积对象；以及载气供给单元，被配置为将载气供给到所述罐中。
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公开(公告)号：CN101866853A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN201010128599.9
申请日：2010-03-03
Applicant: 三星移动显示器株式会社
Inventor： 罗兴烈 , 李基龙 , 徐晋旭 , 郑珉在 , 洪钟元 , 姜有珍 , 张锡洛 , 郑胤谟 , 梁泰勋 , 苏炳洙 , 朴炳建 , 李东炫 , 李吉远 , 朴钟力 , 崔宝京 , 伊凡·迈丹丘克 , 白原奉 , 郑在琓
IPC: H01L21/324 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67109
Abstract: 本发明公开一种基板处理设备，其通过均匀地加热基板，在多个基板上形成薄膜和热处理基板。该基板处理设备包括处理室、其中堆叠基板的船形器皿、位于处理室外部的外部加热器、将船形器皿移进和移出处理室的输送器、位于输送器下方的下部加热器、和位于船形器皿中间的中间加热器。
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公开(公告)号：CN101866853B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201010128599.9
申请日：2010-03-03
Applicant: 三星移动显示器株式会社
Inventor： 罗兴烈 , 李基龙 , 徐晋旭 , 郑珉在 , 洪钟元 , 姜有珍 , 张锡洛 , 郑胤谟 , 梁泰勋 , 苏炳洙 , 朴炳建 , 李东炫 , 李吉远 , 朴钟力 , 崔宝京 , 伊凡·迈丹丘克 , 白原奉 , 郑在琓
IPC: H01L21/324 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67109
Abstract: 本发明公开一种基板处理设备，其通过均匀地加热基板，在多个基板上形成薄膜和热处理基板。该基板处理设备包括处理室、其中堆叠基板的船形器皿、位于处理室外部的外部加热器、将船形器皿移进和移出处理室的输送器、位于输送器下方的下部加热器、和位于船形器皿中间的中间加热器。
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