公开(公告)号：CN117118478A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202310903039.3

申请日：2023-07-21

申请人： 北京微电子技术研究所 ,  北京时代民芯科技有限公司

发明人： 庞敏 ,  乐立鹏 ,  马城城 ,  方新嘉 ,  权晶 ,  王伊卜 ,  王小明 ,  刘风华 ,  谢应辉 ,  魏星

IPC分类号： H04B1/59 ,  H04B1/7075 ,  H04B1/7156 ,  H04B1/74

摘要： 本发明属于通信测控领域，具体涉及了一种快速可靠捕获混合扩频信号的测控应答机系统及设备，旨在解决系统精度不够高，可靠性不强的温柔。本发明包括：数字下变频模块，用于接收信号并对信号进行数字下变频处理；直扩码捕获模块，用于捕获所述零中频信号并进行调制，获得扩频信号；跳频区间划分模块，用于根据跳频图案将所述扩频信号的带宽划分为并行的N个跳频区间；匹配滤波器模块，用于对信号进行滤波并进行N点傅里叶运算；捕获判决模块，将所述码相位与门限值进行比较，如果超过门限值，则判定为则捕获成功；同步刷新模块，用于通过同步刷新算法，进行动态刷新。本发明提高了测控应答机的捕获速度和可靠性。

公开(公告)号：CN116937521A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202310498133.5

申请日：2023-05-05

申请人： 北京微电子技术研究所 ,  北京时代民芯科技有限公司

发明人： 王小明 ,  乐立鹏 ,  方新嘉 ,  庞敏 ,  王伊卜

IPC分类号： H02H9/04 ,  H01L27/02 ,  H02H7/20

摘要： 本发明属于芯片架构领域，具体涉及了一种多电源域全芯片ESD保护架构，旨在解决现有技术未从全芯片的全方位保护着手，芯片的抗ESD能力尚达不到预期的问题。本发明包括：分别设置于芯片输入输出端口区和芯片核心区的多个ESD电源钳位电路，用于形成ESD电流的低阻抗泄放通路，钳位电源总线电压低于设定值；分别设置于多电源域全芯片的各电源域之间轨间电路，用于形成不同电源域之间的ESD电流的低阻抗泄放通路；分别设置于芯片输入输出端口环与芯片核心区的设定位置的多组ESD防护电路构成的ESD电源网络，用于消除电源线、地线寄生电容及电阻对ESD的负面影响。本发明提高了整个芯片的抗ESD能力，达到了对整个芯片提供全方位保护的目的。

公开(公告)号：CN115037400A

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202210162430.8

申请日：2022-02-22

申请人： 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

发明人： 谢应辉 ,  陈雷 ,  马杰 ,  王小明 ,  魏星 ,  乐立鹏 ,  马城城 ,  王尹卜 ,  行涛 ,  谷艳 ,  王琰 ,  楚晓梅

IPC分类号： H04J3/06

摘要： 本发明公开了一种Serdes动态阈值码流同步检测方法及系统，包括方法如下步骤：(1)采用移位寄存结构，产生K码采样检测数据；(2)根据K码采样数据数据结构，对m组数据进行检测；(3)动态阈值检测机制对K码同步状态和失锁状态判定。(4)K码同步数据输出。本发明结构简单易实现，通过动态阈值检测机制实现K码同步检测方法的电路在信道好的情况下能够快速锁定；在信道环境差的情况下，能够有效避免误锁定，具备抗干扰能力强等特点，满足电路设计需求。

公开(公告)号：CN117222105A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202310512879.7

申请日：2023-05-08

申请人： 北京微电子技术研究所 ,  北京时代民芯科技有限公司

发明人： 王伊卜 ,  乐立鹏 ,  马城城 ,  王兆辉 ,  权晶 ,  王小明 ,  庞敏 ,  王琰 ,  行涛

IPC分类号： H05K1/11 ,  H05K3/34 ,  H01L23/498

摘要： 本发明属于线路板领域，具体涉及了一种高可靠性flip‑chip工艺基板，旨在解决芯片面积太小，而封装的尺寸受IO数量的约束没有缩减，导致封装基板的尺寸与芯片的面积不能合理匹配等问题。本发明包括：基板主体、上层凸点焊盘、侧方供电管脚、下层焊盘；所述基板主体由基板材料和金属层叠层设置而成；所述上层凸点焊盘分布于所述基板主体的上表面；所述下层焊盘分布于所述基板主体的下表面；所述侧方供电管脚分布于所述基板主体的侧表面。本发明充分利用了基板侧方面积，有效提高基板管脚密度，在同等条件下能够减小基板尺寸，减轻器件重量。并且有效提高器件EMC能力。