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公开(公告)号：CN114156165A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111177993.6
申请日：2019-05-06
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/033 , H01L21/02 , H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/3105 , H01L21/311 , H01L21/67 , H01L21/768 , C23C16/04 , C23C16/30 , C23C16/40 , C23C16/455 , G03F7/20
摘要： 提出了用于选择性沉积蚀刻停止层以在半导体制造期间增强图案化的方法、系统和计算机程序。一种方法包括以下操作：在衬底的基材(M1)的顶部添加光致抗蚀剂材料(M2)，M2限定用于在M1上方不存在M2的区域中蚀刻M1的图案。该方法还包括以下操作：在添加M2后，用氧化物材料(M3)保形地覆盖衬底；以及在所述保形地覆盖后，用填充材料M4对所述衬底进行间隙填充。此外，在所述间隙填充之后，使停止蚀刻材料(M5)选择性地在M3的暴露表面上生长而不在M4的表面上生长。另外，该方法还包括以下操作：在选择性地生长M5之后，从所述衬底上去除M4；以及在去除M4之后蚀刻所述衬底，以将所述图案转移到M1中。M5添加了蚀刻保护，从而能够更深地蚀刻到M1中。
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公开(公告)号：CN109791870A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201780060533.0
申请日：2017-09-13
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 凯文·M·麦克劳克林 , 阿米特·法尔克亚 , 卡普·瑟里什·雷迪
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/324 , C23C16/455
CPC分类号： H01L21/02164 , C23C16/402 , C23C16/45523 , C23C16/505 , C23C16/56 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0234 , H01L21/02348 , H01L21/0274 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/31144
摘要： 在低于约200℃的温度下通过PECVD将氧化硅层沉积在半导体衬底上，并用氦等离子体处理以将沉积层的应力降低至小于约80MPa的绝对值。等离子体处理降低了氧化硅层中的氢含量，并且导致低应力膜，其也可具有高密度和低粗糙度。在一些实施方案中，将膜沉积在半导体衬底上，该半导体衬底包含一个或多个温度敏感层，例如有机材料层或旋涂电介质，其不能承受高于250℃的温度。在一些实施方案中，氧化硅膜沉积至约100-200埃之间的厚度，并且在蚀刻半导体衬底上的其他层期间用作硬掩模层。
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公开(公告)号：CN115917714A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202180047266.X
申请日：2021-09-27
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 马修·斯科特·韦默 , 拉格什·普顿科维拉卡姆 , 卡普·瑟里什·雷迪 , 许金瑞
IPC分类号： H01L21/311
摘要： 本文提供用于使用减少竞争性蚀刻工艺的添加剂在高温下在衬底上沉积可灰化硬掩模(AHM)的方法和相关设备。六氟化硫可用于在对所得膜的性质作出最小改变的情况下改进所述AHM的沉积速率。
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公开(公告)号：CN114503240A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202080069284.3
申请日：2020-09-23
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 卡普·瑟里什·雷迪 , 乔恩·亨利 , 弗朗西斯·斯隆·罗伯茨
IPC分类号： H01L21/033 , H01L21/308 , H01L21/67
摘要： 一种用于制造具有非常严密的关键尺寸控制的高深宽比特征的工具和方法，其用于通过以下方式来处理衬底：封装掩模以防止在回蚀刻期间退化，从而防止特征衬垫材料在沉积‑蚀刻循环期间夹断开口。
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公开(公告)号：CN112136206A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201980033022.9
申请日：2019-05-10
申请人： 朗姆研究公司
摘要： 提供用于独立输送不同的、相互反应的工艺气体至晶片处理空间的喷头。所述喷头包含具有经由间隙而彼此隔开的多个充气室结构的第一气体分配器、以及定位于所述第一气体分配器上方的第二气体分配器。可使来自第二气体分配器的隔离气体向下流至第一气体分配器上并通过第一气体分配器的所述充气室结构之间的间隙，从而建立隔离气体帘，其避免从各充气室结构释出的工艺气体寄生性地沉积于提供其他气体的充气室结构上。
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公开(公告)号：CN118043935A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202280051552.8
申请日：2022-07-20
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 戈登·亚历克斯·麦克唐纳德 , 拉格什·普顿科维拉卡姆 , 托德·施罗德 , 许晋睿 , 萨加尔·巴拉根咖达拉·乌迪亚瓦拉 , 卡普·瑟里什·雷迪 , 崎山行则
摘要： 一种装置包括具有处理区的真空室、RF产生器、传感器及控制器。真空室被配置成接收处理气体以用于衬底的基于等离子体的处理。RF产生器在真空室的第一电极与第二电极之间提供RF信号，以产生用于基于等离子体的处理的等离子体。传感器被配置成感测RF信号的至少一个信号特征。控制器被配置成在基于等离子体的处理期间，从传感器检索多个信号。多个信号表示在对应的多个时间阶段的RF信号的至少一个信号特征。控制器基于来自传感器的多个信号而确定基于等离子体的处理的终点。控制器基于终点而终止基于等离子体的处理。
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公开(公告)号：CN117897795A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202280059469.5
申请日：2022-07-01
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 迈克尔·达内克 , 本杰明·艾伦·哈斯凯尔 , 卡普·瑟里什·雷迪 , 大卫·巴特 , 布莱恩·约瑟夫·威廉姆斯 , 保罗·弗兰岑 , 卡尔·弗雷德里克·利瑟 , 詹尼弗·利·佩特拉利亚 , 崎山行则 , 卡皮尔·索拉尼
摘要： 诸如相机传感器之类的多像素传感器可以被配置为捕获处理室或其他制造工具的内部的二维和/或三维图像。传感器可以被配置成在处理这种处理室中的衬底之前、期间和/或之后从这种处理室的内部捕获像素化的电磁辐射强度信息。此类传感器还可用于控制、预测和/或诊断应用。
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公开(公告)号：CN109791914B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN201780060540.0
申请日：2017-09-27
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 卡普·瑟里什·雷迪 , 纳格拉杰·尚卡尔 , 尚卡尔·斯娃米纳森 , 梅里哈·歌德·兰维尔 , 弗兰克·L·帕斯夸里
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/02
摘要： 特征在于介电常数(k)小于约7且密度为至3少约2.5g/cm的介电复合膜沉积在部分制成的半导体器件上，以用作蚀刻停止层。在一实施方案中，复合膜包含选自Al、Si和Ge中的至少两种元素和选自O、N和C中的至少一种元素。在一实施方案中，复合膜包含Al、Si和O。在一实施方案中，将包含暴露的介电层(例如，ULK电介质)和暴露的金属层的衬底与含铝化合物(例如三甲基铝)接触，并且依次与含硅化合物接触。然后用含氧等离子体(例如，在含CO2的气体中形成的等离子体)处理所吸附的化合物，以形成含有Al，Si和O
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公开(公告)号：CN109791870B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201780060533.0
申请日：2017-09-13
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 凯文·M·麦克劳克林 , 阿米特·法尔克亚 , 卡普·瑟里什·雷迪
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/324 , C23C16/455
摘要： 在低于约200℃的温度下通过PECVD将氧化硅层沉积在半导体衬底上，并用氦等离子体处理以将沉积层的应力降低至小于约80MPa的绝对值。等离子体处理降低了氧化硅层中的氢含量，并且导致低应力膜，其也可具有高密度和低粗糙度。在一些实施方案中，将膜沉积在半导体衬底上，该半导体衬底包含一个或多个温度敏感层，例如有机材料层或旋涂电介质，其不能承受高于250℃的温度。在一些实施方案中，氧化硅膜沉积至约100‑200埃之间的厚度，并且在蚀刻半导体衬底上的其他层期间用作硬掩模层。
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公开(公告)号：CN118541781A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202380016614.6
申请日：2023-01-10
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 丹妮拉·安乔斯里格斯比 , 卡普·瑟里什·雷迪 , 托德·施罗德
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/02 , C23C16/26 , C23C16/509
摘要： 公开关于沉积碳掩模以使经部分蚀刻的掩模变厚的示例。一示例提供一种方法，其包含在衬底上形成掩模层、以及蚀刻该衬底以部分地形成一或更多个经蚀刻的特征，该衬底的蚀刻还引起该掩模层的蚀刻。该方法还包含，在蚀刻该一或更多个经蚀刻的特征的一部分之后但在完成该一或更多个经蚀刻的特征的蚀刻之前，通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)，在该掩模层上沉积碳掩模。
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