表面处理铜箔、附载体铜箔、基材、及树脂基材

    公开(公告)号:CN109951964A

    公开(公告)日:2019-06-28

    申请号:CN201910187117.8

    申请日:2014-07-23

    Abstract: 本发明涉及一种表面处理铜箔、附载体铜箔、基材、及树脂基材。提供一种可在去除铜箔后赋予基材面的轮廓形状的表面处理铜箔,该轮廓形状可维持微细配线形成性,且实现无电镀铜被膜的良好密合力。提供一种基材,从表面处理层侧将表面处理铜箔贴合在基材,将该表面处理铜箔去除时,该基材的该铜箔去除侧表面的三维表面积B与二维表面积A的比B/A为1.01~1.5。提供一种树脂基材,从表面处理层侧将表面处理铜箔贴合在树脂基材,将该表面处理铜箔去除时,该树脂基材的该铜箔去除侧表面的黑色面积率为10~50%,且该树脂基材的该铜箔去除侧表面的孔的直径平均值为0.03~1.0μm。

    附载体铜箔
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104584699B

    公开(公告)日:2017-09-26

    申请号:CN201380041401.5

    申请日:2013-08-08

    Abstract: 本发明提供一种附载体铜箔,其在向绝缘基板的积层步骤前载体与极薄铜层的密接力高,另一方面,在向绝缘基板的积层步骤后载体与极薄铜层的密接性降低,而可容易地在载体/极薄铜层的界面进行剥离,且可良好地抑制极薄铜层侧表面的针孔的产生。中间层在铜箔载体上依序积层镍、与钼或钴或钼‑钴合金而构成。在中间层中,镍的附着量为1000~40000μg/dm2,在包含钼的情形时钼的附着量为50~1000μg/dm2,在包含钴的情形时钴的附着量为50~1000μg/dm2。当使中间层/极薄铜层之间剥离时,在自中间层表面起算的深度方向分析的区间[0.0,4.0]中,∫i(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)或∫j(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)为20%~80%,在[4.0,12.0]中,∫g(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)满足40%以上。

    附载体铜箔
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104584699A

    公开(公告)日:2015-04-29

    申请号:CN201380041401.5

    申请日:2013-08-08

    Abstract: 本发明提供一种附载体铜箔,其在向绝缘基板的积层步骤前载体与极薄铜层的密接力高,另一方面,在向绝缘基板的积层步骤后载体与极薄铜层的密接性降低,而可容易地在载体/极薄铜层的界面进行剥离,且可良好地抑制极薄铜层侧表面的针孔的产生。中间层在铜箔载体上依序积层镍、与钼或钴或钼-钴合金而构成。在中间层中,镍的附着量为1000~40000μg/dm2,在包含钼的情形时钼的附着量为50~1000μg/dm2,在包含钴的情形时钴的附着量为50~1000μg/dm2。当使中间层/极薄铜层之间剥离时,在自中间层表面起算的深度方向分析的区间[0.0,4.0]中,∫i(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)或∫j(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)为20%~80%,在[4.0,12.0]中,∫g(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)满足40%以上。

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