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公开(公告)号：CN102906009B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201180025546.7
申请日：2011-06-08
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供了平面腔体微机电系统（MEMS）结构、制造和设计结构的方法。该方法包括：采用反向镶嵌工艺形成至少一个微机电系统（MEMS）腔体（60a，60b），该至少一个微机电系统腔体具有平面表面。
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公开(公告)号：CN103650343A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280023350.9
申请日：2012-05-11
申请人： 芬兰国家技术研究中心
CPC分类号： B81B3/0072 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0271 , B81C2201/0164 , B81C2201/0167 , B81C2201/0177 , G06F17/5045 , H03H9/02448 , H03H9/2447 , H03H2009/2442
摘要： 本发明涉及一种微机械装置，包括：半导体元件，所述半导体元件能够产生偏转或谐振，并且包括具有不同材料性质的至少两个区域；以及功能性连接到所述半导体元件的驱动或传感机构。根据本发明，所述区域中的至少一个包括一种或多种n型掺杂剂，并且所述区域的相对体积、掺杂浓度、掺杂剂和/或晶体定向构造成使得所述区域的广义刚度的温度敏感度至少在一个温度下符号相反，并且在100℃的温度范围内，所述半导体元件的广义刚度的总体温度漂移为50ppm或更少。所述装置可以为谐振器。还公开了一种设计所述装置的方法。
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公开(公告)号：CN102906009A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201180025546.7
申请日：2011-06-08
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供了平面腔体微机电系统（MEMS）结构、制造和设计结构的方法。该方法包括：采用反向镶嵌工艺形成至少一个微机电系统（MEMS）腔体（60a，60b），该至少一个微机电系统腔体具有平面表面。
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公开(公告)号：CN102782324A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201080051330.3
申请日：2010-11-12
申请人： 法国原子能与替代能委员会
CPC分类号： F04B43/046 , A61M5/14586 , B81B2201/036 , B81B2203/0127 , B81C1/00182 , B81C2201/0167 , B81C2201/019 , F04B43/02 , F04B43/043 , F05C2203/02 , F05C2203/06 , Y10T29/494
摘要： 本发明涉及一种制造至少一变形膜微泵的方法，所述变形膜微泵包含一第一衬底（10）及一与所述第一衬底（10）相互组装在一起的第二衬底（20），所述第一衬底（10）包含至少一孔穴（12-2）及所述第二衬底（20）包含面对所述孔穴（12-2）设置的至少一变形膜（22-2）。所述方法包含下列步骤：在所述第一衬底（10）内制造所述孔穴（12-2）；然后组装所述第一衬底（10）以及所述第二衬底（10）；然后在所述第二衬底内（20）制造所述变形膜（22-2）。
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公开(公告)号：CN102608754A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210065596.4
申请日：2006-10-19
申请人： 高通MEMS科技公司
CPC分类号： G02B26/001 , B81B3/0072 , B81B2201/047 , B81C1/00793 , B81C2201/0167
摘要： 本发明提供一种制造干涉式调制器的方法，其包含：沉积硅层；将扩散阻挡层沉积于所述硅层上；将包括金属的金属层沉积于所述扩散阻挡层上，其中所述扩散阻挡层适合于实质上抑制所述硅层的任何部分与所述金属层的任何部分混合；及利用能够蚀刻所述硅而不是硅与所述金属的合金的蚀刻剂蚀刻所述硅层。
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公开(公告)号：CN1338116A
公开(公告)日：2002-02-27
申请号：CN99816420.8
申请日：1999-02-04
申请人： 蒂科电子输给系统股份公司
CPC分类号： B81C1/00666 , B81C2201/0167 , H01H59/0009 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 提供了一种包括S形支撑元件的微结构继电器。S形支撑元件在继电器中产生了多余行程,用以在继电器的整个寿命期限中产生高的接触力和低的接触电阻。在支撑元件上适当部位的压应力和拉应力引发层使之按所需弯曲。
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公开(公告)号：CN107148562A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201580057455.X
申请日：2015-08-27
申请人： 凯欧尼克公司
IPC分类号： G01L9/00
CPC分类号： G01L9/003 , B81B3/0072 , B81B2201/0264 , B81C1/00 , B81C1/00666 , B81C2201/0167 , G01L9/0027 , G01L9/0055 , G01L9/0073 , G01L9/008 , G01L9/0082 , G01L13/00 , G01L13/02 , G01P15/006 , G01P15/08 , H01L21/00
摘要： 本文描述了使用包括(多个)可变形压力容器的(多个)压力传感器来进行压力感测的技术。压力容器是具有限定空隙的横截面的物体。可变形压力容器为具有至少一个弯曲部分的压力容器，所述至少一个弯曲部分被配置为基于空腔中的空腔压力与所述压力容器中的容器压力之间的压差而在结构上发生变形(例如，弯曲、剪切、拉长等)，所述压力容器的至少一部分悬挂在所述空腔中。
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公开(公告)号：CN106920782A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201610843672.8
申请日：2016-09-23
申请人： 罗伯特·博世有限公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/488
CPC分类号： B81B3/0054 , B81B2201/0264 , B81B2207/098 , B81C1/00309 , B81C1/00333 , B81C2201/0167 , B81C2201/053 , H01L2224/27013 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L23/488 , H01L24/09
摘要： 本发明建立了微电子的结构元件装置和用于微电子的结构元件装置的相应的制造方法。微电子的结构元件装置包括传感器，其中，所述传感器具有至少一个侦测面和至少一个带有彼此处于第一间距中的接触元件的区域。微电子的结构元件装置还包括带有安装面的载体，所述传感器借助至少局部地彼此处于第一间距中的接触元件紧固在载体上，并且所述侦测面具有相对于所述安装面的第二间距地对置于安装面。在此，接触元件通过使得机械稳定的材料润湿，并且所述至少一个带有所述接触元件的区域通过所述使得机械稳定的材料包封并且所述侦测面没有所述使得机械稳定的材料。
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公开(公告)号：CN103650343B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201280023350.9
申请日：2012-05-11
申请人： 芬兰国家技术研究中心
CPC分类号： B81B3/0072 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0271 , B81C2201/0164 , B81C2201/0167 , B81C2201/0177 , G06F17/5045 , H03H9/02448 , H03H9/2447 , H03H2009/2442
摘要： 本发明涉及一种微机械装置，包括：半导体元件，所述半导体元件能够产生偏转或谐振，并且包括具有不同材料性质的至少两个区域；以及功能性连接到所述半导体元件的驱动或传感机构。根据本发明，所述区域中的至少一个包括一种或多种n型掺杂剂，并且所述区域的相对体积、掺杂浓度、掺杂剂和/或晶体定向构造成使得所述区域的广义刚度的温度敏感度至少在一个温度下符号相反，并且在100℃的温度范围内，所述半导体元件的广义刚度的总体温度漂移为50ppm或更少。所述装置可以为谐振器。还公开了一种设计所述装置的方法。
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公开(公告)号：CN102906008B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180025545.2
申请日：2011-06-15
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： B81B3/00
CPC分类号： B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
摘要： 一种形成微机电系统（MEMS）的方法包括在MEMS的腔体内的第一绝缘体层上形成下电极。该方法还包括在下电极的顶部上的另一绝缘材料之上形成上电极，上电极与下电极至少部分地接触。下电极和上电极的形成包括调整下电极和上电极的金属体积以修改梁弯曲。
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