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公开(公告)号：CN108823636A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810841153.7
申请日：2013-08-26
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: C30B15/14 , C30B15/12 , C30B29/06 , Y10T117/1052
Abstract: 本发明涉及一种单晶硅生长装置，其是在加热用的石墨加热器的内侧配置石墨坩埚，在其内侧配置石英坩埚，并从石英坩埚内装满的原料熔融液中使结晶生长，基于切克劳斯基单晶生长法的单晶硅生长装置，在石墨加热器的外侧具有加热器外侧绝热部件，在石墨坩埚的下部具有坩埚下部绝热部件，在石墨坩埚及石英坩埚的直体部上方具有坩埚上部绝热部件，具有位于石墨坩埚的直体部外侧的坩埚外侧绝热部件，在石墨坩埚及石英坩埚的直体部内侧具有坩埚内侧绝热部件，在原料熔融液液面的上方具有隔热部件，在坩埚上部绝热部件、坩埚外侧绝热部件和坩埚内侧绝热部件的内侧所形成的空间内，石墨坩埚以及石英坩埚可升降。由此，提供一种能够维持原料熔融液液面的保温性，抑制因凝固等而导致的有错位化的单晶硅生长装置以及单晶硅生长方法。
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公开(公告)号：CN107073683B
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：CN201580060154.2
申请日：2015-10-21
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/34 , B24B37/08 , H01L21/304
Abstract: 本发明是一种工件的加工装置，包含上定盘支承机构，透过沿上定盘的旋转轴方向延伸的汽缸而自上方支承上定盘，使之上下可移动；水平板，固定于汽缸以使其主表面相对于汽缸的长度方向的轴呈直角；至少三个位移传感器，测定上定盘下降至固定位置时水平板的表面的高度位置；控制装置，透过位移传感器测定的水平板的表面的高度位置计算出上定盘的相对高度位置及上定盘的旋转轴与汽缸的长度方向的轴所成的角度。因此，能在工件加工前短时间高精度检测出工件的支承异常而防止工件及加工装置的损坏，在工件加工中检测出汽缸的偏心角而抑制工件的质量恶化。
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公开(公告)号：CN106029958B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201580008300.7
申请日：2015-02-03
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是一种单晶硅制造装置，其是基于CZ法的单晶硅制造装置，具备在内部具有加热原料的加热器的腔室以及通过冷却介质来冷却腔室的装置，所述单晶硅制造装置具备：供冷却所述腔室的冷却介质在腔室内流通的流路上的入口温度、出口温度及流量的测定装置；基于入口温度、出口温度及流量的测定值来计算从腔室去除的去除热量的运算装置；以及基于计算出的去除热量来控制加热器功率的加热器功率控制装置。由此，提供一种单晶硅制造装置，其基于由冷却介质的温度及流量的测定值计算出的从腔室去除的去除热量来控制加热器功率，由此能够以更接近目标值的结晶直径及结晶提拉速度来进行单晶的提拉。
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公开(公告)号：CN108666259A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810201351.7
申请日：2018-03-12
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/762
Abstract: 技术问题：本发明提供一种贴合晶圆的制造方法，在将外延晶圆用于接合晶圆或者基底晶圆的情况下，能够制造平台宽度较小的贴合晶圆。解决手段：一种贴合晶圆的制造方法，该方法是从接合晶圆的表面离子注入氢离子、稀有气体离子的至少一种气体离子从而在晶圆内部形成离子注入层，直接或者隔着绝缘膜贴合所述接合晶圆的进行了离子注入的表面与基底晶圆的表面后，通过在所述离子注入层使接合晶圆剥离，从而来制造在所述基底晶圆上具有薄膜的贴合晶圆，其中，作为所述接合晶圆和所述基底晶圆的至少一方而使用外延晶圆，并通过单晶圆旋转清洗来进行该外延晶圆的形成外延层前的清洗。
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公开(公告)号：CN105612605B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201480049474.3
申请日：2014-08-20
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02024 , B24B37/08 , H01L21/02008 , H01L21/02013 , H01L21/02019 , H01L21/304 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L22/12 , H01L22/26
Abstract: 本发明是一种镜面研磨晶圆的制造方法，其对于从硅晶棒切片而成的多片硅晶圆，以批次方式分别实施下述各工序来制造多片镜面研磨晶圆，这些工序包含：切片歪斜除去工序，其除去因切片所产生的表面的歪斜；蚀刻工序，其除去在切片歪斜除去工序中所产生的歪斜；以及，双面研磨工序，其将蚀刻后的硅晶圆的双面进行镜面研磨；其特征在于，从在切片歪斜除去工序中的同一批次内已处理的硅晶圆当中，选择要在双面研磨工序中以批次方式处理的硅晶圆，且将该选择的硅晶圆的数量设定为与在切片歪斜除去工序中已处理的硅晶圆的数量相同或其约数。由此，提供一种镜面研磨晶圆的制造方法，其能够制造平坦度良好的镜面研磨晶圆。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108290269A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680064805.X
申请日：2016-10-17
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/34 , B24B49/12 , H01L21/304
Abstract: 本发明为一种晶圆的研磨方法，其特征在于，在卸载工序之后且在保持下一个进行研磨的晶圆的装载工序之前，具有：对取出了结束研磨的晶圆后的样板的凹部的深度PDt进行测定的测定工序；计算所测定的凹部的深度PDt与用于研磨前的样板的凹部的深度PD0的差ΔPD的计算工序；以及，根据算出的差ΔPD对下一个进行研磨的晶圆的研磨条件进行调整的调整工序。由此，提供一种晶圆的研磨方法及研磨装置，其能够调整因样板的凹槽深度的数值变动而引起的晶圆的平整度的变动。
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公开(公告)号：CN108140593A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680060750.5
申请日：2016-10-24
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明为一种判定自CZ法所制造的单晶硅所切出的硅晶圆的缺陷区域的缺陷区域的判定方法，包含下列步骤：(1)镜面加工该硅晶圆，使其表面的雾度等级在通过使用波长266nm的激光的微粒计数器的雾度测定中为0.06ppm以下；(2)使用得以进行15nm以下尺寸的缺陷测定的微粒计数器，而测定该镜面加工后的硅晶圆表面的缺陷数及/或缺陷密度分布；以及(3)自该测定的缺陷数及/或缺陷密度分布，判定该硅晶圆的缺陷区域。由此提供将自通过CZ法制造的硅单晶所切出的硅晶圆的缺陷区域予以短时间且非破坏检查的判定方法。
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公开(公告)号：CN108138355A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680059722.1
申请日：2016-09-20
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是一种单晶制造装置，其特征在于，其具有：测量原料熔液的熔液面位置的至少两个以上不同的熔液面位置测量单元；基于测量的熔液面位置来控制熔液面位置的控制单元；以及判断在熔液面位置测量单元是否发生测量异常的判断单元，通过多个熔液面位置测量单元同时测量熔液面位置，从多个熔液面测量单元中选择一个采用于熔液面位置控制的熔液面位置测量单元，在通过判断单元判断为该选择的熔液面位置测量单元中发生了测量异常的情况下，采用于熔液面位置控制的熔液面位置测量单元切换为别的熔液面位置测量单元。由此，提供一种单晶制造装置以及熔液面位置的控制方法，其即使在熔液面位置的测量中发生了测量异常的情况下，也能够稳定地进行熔液面位置的控制。
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公开(公告)号：CN108025418A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680054094.8
申请日：2016-08-31
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/00 , B24B53/00 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/005 , B24B37/00 , B24B37/08 , B24B37/107 , B24B53/00 , B24B53/017 , B24B53/12 , H01L21/67092
Abstract: 本发明提供一种研磨垫的调节方法，对于研磨垫使用调节头而调节，研磨垫用于研磨贴附于可旋转的圆盘状的平板的晶圆，调节方法包含：通过旋转平板而旋转贴附于平板的研磨垫的同时，于平板的半径方向移动调节头而实施调节，以及因应调节头的自平板的中心的距离而控制平板的转数以及调节头的于平板的半径方向的移动速度。通过此研磨垫的调节方法可对研磨垫的研磨面的全表面进行适当的调节。
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公开(公告)号：CN107923858A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680048656.8
申请日：2016-08-18
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 渡边城康
IPC: G01N23/207
Abstract: 本发明提供一种单晶晶圆的表内判断方法，包含作为该单晶晶圆，使用具有对于基准方向而左右不对称的结晶面之物，该基准方向是连结该单晶晶圆的端面所形成的方位特定用的切口的中心与该单晶晶圆的中心的方向；正对该左右不对称的结晶面，通过向该单晶晶圆照射X光并检测绕射X光，测定该正对的结晶面的方位与该基准方向所构成的角度；自该经测定的角度值，判断该单晶晶圆的面为表面或是内面。由此，确实判断单晶晶圆的表内，且于成本方面优良的单晶晶圆的表内判定方法。
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